静电放电电路制造技术

公开了一种集成电路（IC）。所述IC包括第一全局电压节点和第二全局电压节点。所述IC还包括各耦合至所述第一全局电压节点的两个或更多个电源域(21、22)。所述两个或更多个电源域(21、22)中的每个电源域都包括功能单元(24)和耦合至所述功能单元(24)的局部电压节点。所述多个电源域(21、22)中的每个电源域还包括耦合在所述局部电压节点和所述第二全局电压节点之间的电源门控晶体管(25)和被配置来检测ESD事件的发生并进一步被配置来响应于检测到所述ESD事件而使所述晶体管(25)启动的ESD（静电放电）电路(26)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·V·科索诺奇，沃伦·R·安德森，
申请(专利权)人：超威半导体公司，
类型：
国别省市：