本发明专利技术公开一种RFID读写器的RF信道选通电路，包括第一信道选通单元、第二信道选通单元以及非门控制单元，该第一信道选通单元具有第一声表面滤波器和第一单刀双掷开关，该第二信道选通单元具有第二声表面滤波器和第二单刀双掷开关，该非门控制单元的输入端与MCU处理器的控制端相连而由其输出端输出反向信号，该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端分别与第一单刀双掷开关的两个使能端相连，该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端还反向连接在第二单刀双掷开关的两个使能端上。本发明专利技术能大大提高源信号的纯度，并且还能防止不必要的信号电波泛滥，另外还可以根据实际需要而改变频段选择。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及RFID读写器领域，更具体的说涉及一种RFID读写器的RF信道选通电路，其主要应用在40M-3. OG范围内的RFID读写器中。
技术介绍
在传统的射频信号处理系统中，普遍采用的是全波段信号处理法，即是射频处理器生成的RF信号没有经过频率特性的物理化处理而直接简单匹配送给功率放大器进行功率放大，然后供给天线使其输出相应信号，对于这种架构的RF信号源是不能完全确保指定信号是干净纯正的，其输出生成的信号亦不能完全满足无线电规范要求，如此形成的非标无线电波必然会或多或少对环境造成危害，同时会导致即使RFID读写器的功率无限加大，却无所需要的指定有用功率输出。与此同时，上述通过不断加大功耗而获得微量的目标信号，还会导致器件高危老 化率以及长时间工作稳定性等的降低，其实则为不得不发人深询的问题。为了获得很纯净的源信号，必须从源信号中滤波其他波段信号，从而防止不必要的信号电波泛滥输出。有鉴于此，本专利技术人针对现有射频识别系统信号源部分的上述缺陷深入研究，遂有本案产生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种RFID读写器的RF信道选通电路，其通过让指定的波段信号通过，从而一方面可以直接获得纯净的源信号，另一方面亦可防止不必要的信号电波泛滥输出。为了达成上述目的，本专利技术的解决方案是 一种RFID读写器的RF信道选通电路，设置在RF信号发生器与功率放大器之间，并还与MCU处理器的控制端相连而接受MCU处理器的控制；其中，该RF信道选通电路包括第一信道选通单元、第二信道选通单元以及非门控制单元，该第一信道选通单元具有第一声表面滤波器和第一单刀双掷开关，该第二信道选通单元具有第二声表面滤波器和第二单刀双掷开关，该第一声表面滤波器和第二声表面滤波器一端与第一单刀双掷开关的两个动端分别相连，另一端则与第二单刀双掷开关的两个动端分别相连，该第一单刀双掷开关的静端以及第二单刀双掷开关的静端则分别形成为RF信道选通电路的RF输入端和RF输出端；该非门控制单兀的输入端与MCU处理器的控制端相连而由其输出端输出反向信号,该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端分别与第一单刀双掷开关的两个使能端相连，该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端还反向连接在第二单刀双掷开关的两个使能端上。进一步，该非门控制单元采用SN74LVC2G04DCKR。进一步，该第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关均采用SW-437T射频开关器。进一步，该第一声表面滤波器采用B399211-B3588-U410，该第二声表面滤波器采用 B39871-B3717-U410。进一步，该第二单刀双掷开关与该MCU处理器的控制端之间还设置有第一电阻，该第二单刀双掷开关与该非门控制单元的输出端之间还设置有第二电阻。进一步，该第一电阻和第二电阻的阻值均为1ΚΩ。进一步，该RF输入端与第一单刀双掷开关之间还设置有第三电阻，该第一单刀双掷开关与第二声表面滤波器之间还设置有第四电阻，该第二表面滤波器与第二单刀双掷开关之间还设置有第五电阻。进一步，该第一单刀双掷开关中与第二声表面滤波器相连的动端还通过第六电阻而与大地相连。进一步，该非门控制单元的输出端还通过第一电容而与大地相连，该第二单刀双掷开关的两个使能端还分别通过第二电容和第三电容而分别与大地相连。采用上述结构后，本专利技术涉及的一种RFID读写器的RF信道选通电路，其至少具有如下有益效果 一、其能通过第一声表面滤波器或第二声表面滤波器而仅让指定频段范围内的射频信号导通，从而能大大提高源信号的纯度，并且还能防止不必要的信号电波泛滥； 二、其能在MCU处理器控制端的控制下，利用非门控制单元而实现择一导通第一信道 选通单元或第二信道选通单元，如此可以根据实际需要而改变频段选择，当然如果觉得频率使用范围还不够，则可以直接通过更换第一声表面滤波器或第二声表面滤波器来实现。附图说明图I为本专利技术涉及的一种RF信道选通电路应用在RFID读写器中时的整体结构框 图2为本专利技术涉及一种RF信道选通电路较佳实施例的电路 图3为图2中SW-437T的内部原理图。图中 RFID读写器100上位机I MCU处理器2RF信号发生器 3 RF信道选通电路 4第一信道选通单元41 第二信道选通单元42非门控制单元 43 功率放大器5信号藕合电路 6 天线7。具体实施例方式为了进一步解释本专利技术的技术方案，下面通过具体实施例来对本专利技术进行详细阐述。如图I所示，其为本专利技术涉及一种RF信道选通电路4所应用在RFID读写器100的整体结构框图，该RFID读写器100包括上位机I、MCU处理器2、RF信号发生器3、RF信道选通电路4、功率放大器5、信号藕合电路6以及天线7，该上位机I发送指令给MCU处理器2，然后由MCU处理器2控制RF信号发生器3生成指定RF信号向外发送，该RF信号经过RF信道选通电路4进行频道范围选择，之后送给功率放大器5放大，再经过信号藕合电路6后由天线7向外辐射信号；电子标签在接收到辐射信号后，会向RF信号发生器3返回应答信号，接着经MCU处理器2转发给上位机1，完成整个信息的交互。如图I和图2所示，本专利技术涉及的一种RF信道选通电路4，其设置在RF信号发生器3与功率放大器5之间，并还与MCU处理器2的控制端PA13相连而接受MCU处理器2的控制。该RF信道选通电路4包括第一信道选通单元41、第二信道选通单元42以及非门控制单兀43,该第一信道选通单兀41具有第一声表面滤波器UlOl和第一单刀双掷开关Ul I，该第二信道选通单元42具有第二声表面滤波器UlO和第二单刀双掷开关U9。该第一声表面滤波器UlOl和第二声表面滤波器UlO —端与第一单刀双掷开关Ull的两个动端分别相连，另一端则与第二单刀双掷开关U9的两个动端分别相连，该第一单刀双掷开关Ull的静端以及第二单刀双掷开关U9的静端则分别形成为RF信道选通电路4的RF输入端和RF输出端；该非门控制单元43的输入端与MCU处理器2的控制端PA13相连 而由其输出端输出反向信号，该MCU处理器2的控制端PA13和非门控制单元43的输出端PA13-N0R分别与第一单刀双掷开关Ull的两个使能端相连，该MCU处理器2的控制端PA13和非门控制单元43的输出端PA13-N0R还反向连接在第二单刀双掷开关U9的两个使能端上。在本实施例中，该非门控制单元43采用SN74LVC2G04DCKR ;该第一单刀双掷开关Ull和第二单刀双掷开关U9均采用SW-437T射频开关器；该第一声表面滤波器UlOl采用B399211-B3588-U410，该第二声表面滤波器UlO采用B39871-B3717-U410 ;即频段范围分别是902M-928M和863M-870M，简称915M和866. 5M,即第一信道的频段为866. 2M，而第二信道的频段为915M。其中，该MCU处理器2的控制端PA13和非门控制单元43的输出端PA13-N0R分别与第一单刀双掷开关Ul I的第4端子和第6端子相连，而与第二单刀双掷开关U9的第6端子和第4端子相连。如图3所示，该第一单刀双掷开关Ull或第二单刀双掷开关U9的内部原理图，其均具有6个端子，第一端子至第六端子分别为RF1、GND、RF2、V2、RFC以及本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种RFID读写器的RF信道选通电路，设置在RF信号发生器与功率放大器之间，并还与MCU处理器的控制端相连而接受MCU处理器的控制；其特征在于，该RF信道选通电路包括第一信道选通单元、第二信道选通单元以及非门控制单元，该第一信道选通单元具有第一声表面滤波器和第一单刀双掷开关，该第二信道选通单元具有第二声表面滤波器和第二单刀双掷开关，该第一声表面滤波器和第二声表面滤波器一端与第一单刀双掷开关的两个动端分别相连，另一端则与第二单刀双掷开关的两个动端分别相连，该第一单刀双掷开关的静端以及第二单刀双掷开关的静端则分别形成为RF信道选通电路的RF输入端和RF输出端；该非门控制单元的输入端与MCU处理器的控制端相连而由其输出端输出反向信号，该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端分别与第一单刀双掷开关的两个使能端相连，该MCU处理器的控制端和非门控制单元的输出端还反向连接在第二单刀双掷开关的两个使能端上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李忠明，李金华，
申请(专利权)人：厦门英诺尔电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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