【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及堆叠芯片
,尤其涉及。
技术介绍
传统上驱动大电流信号,如果用金线或者铜线wire bonding互连堆叠芯片时,因为金线的横截面积一般是O. 7平方毫米,铜线的横截面积一般是O. 8平方毫米,用这样的线传输大电流不会产生很大的电压降,有利于大电流的传输。娃通孔连接(TSV,Through-Silicon-Via)互连线技术作为一个新兴技术,正在被广泛用于芯片堆叠技术中,但由于TSV的连线直径是遵循最小工艺尺寸的,如果是在深亚微米工艺中用硅通孔技术传输大电流信号,因为金属线宽非常小,使得连线的电阻非常大,会产生很大的电压降,达不到传输大电流的效果,如图3所示。所以TSV连线的电阻值就会很大,对于那些需要驱动大 电流的信号传输就会带来很大问题,导致驱动能力下降,从而使芯片的性能降低了。
技术实现思路
本专利技术克服了
技术介绍
中堆叠芯片中无法有效传输驱动大电流信号的缺陷,提出了。本专利技术提出了,包括步骤一在所述堆叠芯片的传输驱动大电流信号的导线之间选用至少两根互连线上下连接;步骤二 所述驱动大电流信号同时在所述互连线上并行传输;其中,所述驱动大电流信号的驱动电流为IOmA以上。其中,所述堆叠芯片之间的互连线为硅通孔连接互连线。本专利技术通过将驱动大电流信号在堆叠芯片之间进行多路并行传输,有效降低了驱动大电流信号在堆叠芯片的互连线上传输的损耗,提高了驱动大电流信号在堆叠芯片间传输时的驱动能力,有效提闻了芯片的性能。附图说明图I为本专利技术在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法的流程图。图2为本专利技术中传输驱动大电流信号的示意图。图3为背景技 ...
【技术保护点】
一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法,其特征在于,包括:步骤一:在所述堆叠芯片的传输驱动大电流信号的导线之间选用至少两根互连线上下连接;步骤二:所述驱动大电流信号同时在所述互连线上并行传输。
【技术特征摘要】
1.一种在堆叠芯片之间传输驱动大电流信号的方法,其特征在于,包括 步骤一在所述堆叠芯片的传输驱动大电流信号的导线之间选用至少两根互连线上下连接; 步骤二 所述驱动大电流信号同时在所述互连线上并行传输。2.如权利要求I...
【专利技术属性】
技术研发人员:景蔚亮,陈邦明,亢勇,
申请(专利权)人:上海新储集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。