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无定形氧化膜铝箔的制作方法技术

技术编号:8241863 阅读:163 留言:0更新日期:2013-01-24 22:49
一种无定形氧化膜铝箔的制作方法,涉及电容铝箔的制作方法。无定形氧化膜铝箔的制作方法,包括步骤:A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um~120um,腐蚀孔径在0.05微米以上的腐蚀箔;B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。本发明专利技术形成无定型AL2O3致密的氧化膜,损耗小,适合电容两端压降的变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容铝箔的制作方法。
技术介绍
目前由于电力电子的技术的快速发展,IGBT和MOS管的开关频率的速度的提高,必须提高铝电解电容的耐波纹电流才能适应电力电子发展的需要。另外,由于提高铝箔耐电压也可以提高一些耐纹波电流,降低铝箔比容也可以提高耐纹波电流,但效果并不明显,并且造成许多能源的浪费。例如400WV、530uf的铝箔比容在O. 68uf/cm2,每平方米需要60度电;450WV、620uf的铝箔比容在O. 54uf/cm2,每平方米需要80度电。单对于线路而言,有时并不需要多余的工作电压,一般220V滤波,直流220VX I. 414=311V即使电压变成260V,直流为260X1.414=368V,因此电容器工作电压过高时,电压是多余的,特别是针对电容两端电压变化量大的线路,关键是电容两端允许的电压变动量,例如节能灯线路,频闪灯线路,逆变焊机线路等。增加电容量会造成成品的高次谐波增加,同样也对电网造成了污染,·例如单相逆变焊机,160A输出采用4只400V 470uf,每电容压降在工作时为60V左右,根据能量定律,电容的能量供给为1/2CV2,即为1/2X470 + 106X60X60X4=3. 38焦耳,如果电容的压降允许为150V,那么就可以采用4只,80uf的电解电容。现有的工艺为水煮、一级化成至五级化成,水煮温度在90°C以上,化成一般常用已二酸铵、磷酸氢二铵、五硼酸铵或硼酸工艺,化成时槽液温度在80°C以上。由于现有的中高压铝箔为高温化成工艺,形成为Y型AL2O3的致密型氧化膜,但致密型氧化膜虽然致密稳定,但内阻大,造成电压波动时的发热量大,引起电容的失效,不合适电容两端压降的变化率过大电路环境。因此改善阳极箔的内阻特性,就可以大量改善现有电解电容的应用状况,并节约大量的能源。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种损耗小、内阻小的。本专利技术的目的可以这样实现,设计一种,包括步骤A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um 120um,腐蚀孔径在O. 05微米以上的腐蚀箔;B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。进一步地,所述低温化成工艺包括①草酸处理草酸溶液的温度在10°C 30°C,草酸溶度在1% 10% ;②至少进行三级化成工序,化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺,槽液温液控制在20。。 60。。。优选地,槽液温液控制在30°C 55°C。本专利技术形成无定型AL2O3致密的氧化膜,损耗小,适合电容两端压降的变化。具体实施例方式以下结合实施例对本专利技术作进一步的描述。一种,包括步骤A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um 120um,腐蚀孔径在O. 05微米以上的腐蚀箔;B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。其中的低温化成工艺包括①草酸处理草酸溶液的温度在10°C 30°C,草酸溶度在1% 10%之间;②至少进行三级化成工序,化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺,化成工序中的化成溶液采用现有技术中的五硼酸铵或硼酸槽液,但是液温控制在60°c以下,控制在30°C 55°C较佳。较佳地,采用五级化成,槽液为现有的五硼酸铵或硼酸槽液,槽液液温控制在60°C以下,控制在30°C 55°C较佳,根据需要化成的铝箔电压,逐级进行电压化成。以530VF+400WV化成铝箔为例,普通铝箔比容O. 68uf/cm2,本专利技术的铝箔比容O. 42uf/cm2。专利技术实施例采用五级化成工序,具体工序流程为草酸前处理一一级化成一二级化成一三级化成一四级化成一五级化成一磷酸二氢铵后处理一烘干。权利要求1.一种,其特征在于,包括步骤 A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um 120um,腐蚀孔径在O.05微米以上的腐蚀箔; B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。2.根据权利要求I所述的,其特征在于,所述低温化成工艺包括 ①草酸处理草酸溶液的温度在10°C 30°C,草酸溶度在1% 10%; ②至少进行三级化成工序,化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺,槽液温液控制在20 60。。。3.根据权利要求2所述的,其特征在于所述化成工序为五级化成。4.根据权利要求2所述的,其特征在于所述槽液温液控制在30°C 55°C。5.根据权利要求3所述的,其特征在于低温化成工艺包括草酸前处理、一级化成、二级化成、三级化成、四级化成、五级化成、磷酸二氢铵后处理, 草酸前处理,溶液为2%草酸溶液,溶液温度15°C,化成电压为30V,化成时间为5分钟; 一级化成,溶液为6%硼酸+0. 5%五硼酸铵溶液,溶液温度35°C,化成电压为180V,化成时间为5分钟; 二级化成,溶液为6%硼酸+0. 4%五硼酸铵溶液,溶液温度35°C,化成电压为300V,化成时间为5分钟; 三级化成,溶液为6%硼酸+0. 3%五硼酸铵溶液,溶液温度35°C,化成电压为400V,化成时间为5分钟; 四级化成,溶液为6%硼酸+0. 2%五硼酸铵溶液,溶液温度35°C,化成电压为480V,化成时间为10分钟; 五级化成,溶液为6%硼酸+0. 1%五硼酸铵溶液,溶液温度35°C,化成电压为520V,化成时间为20分钟; 磷酸二氢铵后处理,溶液为O. 5%磷酸二氢铵溶液,溶液温度60°C,化成时间为5分钟。全文摘要一种,涉及电容铝箔的制作方法。,包括步骤A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um~120um,腐蚀孔径在0.05微米以上的腐蚀箔;B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。本专利技术形成无定型AL2O3致密的氧化膜,损耗小,适合电容两端压降的变化。文档编号C01F7/02GK102891012SQ20121034156公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月14日 优先权日2012年9月14日专利技术者朱健雄 申请人:朱健雄本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种无定形氧化膜铝箔的制作方法,其特征在于,包括步骤:A、选用中高压腐蚀铝箔,中高压腐蚀铝箔的厚度为75um~120um,腐蚀孔径在0.05微米以上的腐蚀箔;B、进行低温化成工艺,形成无定型结晶的AL2O3化成箔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱健雄
申请(专利权)人:朱健雄
类型:发明
国别省市:

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