一种陶瓷基熔断器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种陶瓷基熔断器，包括两层陶瓷层和固化于所述两层陶瓷层之间的银内电极，且所述陶瓷层的材质为锆硼陶瓷。本实用新型专利技术陶瓷基熔断器的银内电极不易向陶瓷层扩散，因而能够使熔断器的电阻值降低，减小能耗；并改善熔断器的电阻值一致性，提高产品良率，降低成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种陶瓷基熔断器。
技术介绍
熔断器被广泛的应用于各种电子元器件的过流保护。利用金属导体作为熔体串联于电路中，当电路发生异常时，电流超过规定值后，熔断器的熔体将会自动熔化，达到断开电路，保护电器的作用。目前众多的过流保护熔断器中采用金属丝、金属片或金属薄膜作为熔体，这些熔体主要由银、铜等金属组成。通过改变熔体的配方、形状和横截面，可以设计出在不同额定电流下正常工作的熔断器，一旦电流超过额定值，过流产生的热量不能及时传导出去，将会导致熔体熔断，切断电路，及时起到保护作用。熔断器的分类很多，例如根据熔断器的基体 材料不同，可以分为高分子基体熔断器、低温共烧陶瓷基体熔断器等等。其中对于使用低温共烧陶瓷作为基体的熔断器，其应具有以下性能(I)烧结温度低于950°C; (2)良好的机械性能；(3)低热导率；(4)陶瓷与内电极无界面反应，且二者收缩匹配；(5)良好的高温灭弧性能；(6)陶瓷材料配方应有利于工艺流程。在实际生产过程中，经常发现对于低温共烧陶瓷基体熔断器，陶瓷基体与内电极之间存在界面反应尤为突出内电极例如银在共烧过程中会产生向玻璃陶瓷材料中的扩散现象，并且该现象会在一定程度上影响产品的电性能，例如熔断器电阻大小、电性能的一致性等等，最终影响熔断器的熔断特性和生产成本等等。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是克服现有技术中陶瓷基熔断器的陶瓷基体在与内电极共烧时内电极会向陶瓷基体扩散，进而影响产品电性能的问题，提供一种改进的陶瓷基熔断器。为解决以上技术问题，本技术采取以下技术方案一种陶瓷基熔断器，包括两层陶瓷层和固化于两层陶瓷层之间的银内电极，且陶瓷层的材质为锆硼陶瓷；所述锆硼陶瓷是指一种含有二氧化锆的硼硅酸盐玻璃，通常二氧化锆的重量含量不会超过30%，这种硼硅酸盐玻璃常用于对化学稳定性要求较高的场合。根据本技术，银内电极的材质可选用纯银或钯银；所述钯银是指常见的钯银合金，主要成分是银，即银的成分应大于钯的成分。优选地，所述陶瓷基熔断器在两端设置有与银内电极相连的银端电极。为便于连接，银端电极上还电镀有一层镍层，镍层上电镀有一层锡层。由于以上技术方案的实施，本技术与现有技术相比具有如下优点本技术陶瓷基熔断器的银内电极不易向掺杂有二氧化锆的硼硅酸玻璃陶瓷层内扩散，因而能够使熔断器的电阻值降低，减小能耗；并改善熔断器的电阻值一致性，提高产品良率，降低成本。以下结合附图和具体的实施方式对本技术做进一步详细的说明图I为本技术陶瓷基熔断器的剖视示意图；其中1、陶瓷层；2、银内电极；3、银端电极；4、镍层；5、锡层。具体实施方式实施例I如图I所示，本实施例的陶瓷基熔断器包括上下两层陶瓷层I、固化于两层陶瓷层 I之间的银内电极2，以及设置在熔断器两端与银内电极2相连的银端电极3 ;其中，银内电极2可以用纯银制成，也可以用钯银制成；陶瓷层I是选用掺杂有二氧化锆的硼硅酸玻璃陶瓷材料制成，这种陶瓷材料在与银内电极2进行低温共烧时，能够有效抑制银内电极2向陶瓷层I的扩散。因此本技术陶瓷基熔断器在使用时，电阻值比普通陶瓷基熔断器小，能够减小能耗；同时电阻值的一致性更好，产品良率高。另外，本技术陶瓷基熔断器成品还在银端电极3上电镀有镍层4和锡层5，便于与其他元件连接。以上对本技术做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本技术的内容并加以实施，并不能以此限制本技术的保护范围，凡根据本技术的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围内。权利要求1.一种陶瓷基熔断器，其特征在于所述陶瓷基熔断器包括两层陶瓷层和固化于所述两层陶瓷层之间的银内电极，且所述陶瓷层的材质为锆硼陶瓷。2.根据权利要求I所述的陶瓷基熔断器，其特征在于所述银内电极的材质为纯银或钯银。3.根据权利要求I或2所述的陶瓷基熔断器，其特征在于所述陶瓷基熔断器在两端设置有与银内电极相连的银端电极。4.根据权利要求3所述的陶瓷基熔断器，其特征在于所述银端电极上电镀有一层镍层，镍层上电镀有一层锡层。专利摘要本技术涉及一种陶瓷基熔断器，包括两层陶瓷层和固化于所述两层陶瓷层之间的银内电极，且所述陶瓷层的材质为锆硼陶瓷。本技术陶瓷基熔断器的银内电极不易向陶瓷层扩散，因而能够使熔断器的电阻值降低，减小能耗；并改善熔断器的电阻值一致性，提高产品良率，降低成本。文档编号H01H85/17GK202662539SQ20122003061公开日2013年1月9日 申请日期2012年1月31日 优先权日2012年1月31日专利技术者单小兵, 李向明, 汪立无, 邓学锋 申请人:Aem科技(苏州)股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷基熔断器，其特征在于：所述陶瓷基熔断器包括两层陶瓷层和固化于所述两层陶瓷层之间的银内电极，且所述陶瓷层的材质为锆硼陶瓷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单小兵，李向明，汪立无，邓学锋，
申请(专利权)人：AEM科技苏州股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：