一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，用以提高显示装置图像色度的均匀性，提高图像的画质。本发明专利技术提供的阵列基板，包括：基板、栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极位于基板上不同区域，源极和漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；半导体层，所述半导体层形成在所述源极和漏极之间，半导体层在基板上的投影和源极与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；第一绝缘层，所述第一绝缘层，形成在所述基板之上栅极之下，且覆盖所述源极或漏极；还包括，像素电极、栅极线，数据线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及。
技术介绍
在显示
,平板显示装置，如液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,TFT-LCD)和有机电致发光显不器(Organic Light Emitting Display),因其轻、薄、低功耗、高亮度，以及高画质等优点，在平板显示领域占据重要的地位。首先，开ロ率是决定平板显示装置高亮度的重要指标，开ロ率越高，光线通过的效率越高。现有提高像素开ロ率的方法包括采用更加先进的细微加工技术，减小每ー个像素的配线部和TFT所占面积，増加像素的透光率。 由于现有细微加工技术的制约，如曝光精度的制約，限制TFT的进ー步减小。如图I所示，为现有技术典型的底栅型薄膜晶体管，栅极101位于玻璃基板100上，半导体层102位于栅极101和源漏极(源极103和漏极104)之间，源极103和漏极104位于同一层且欧姆接触层105隔开，栅极101和半导体层102之间还设置有栅极绝缘层106。如图2所示，TFT由源极103、漏极104以及源极和漏极之间的半导体层102所占面积组成。采用上述结构的TFT较大，相应的平板显示装置的开ロ率较低。在源极和漏极的尺寸一定的情况下，只能减小源极和漏极之间的沟道的距离，但是目前的曝光机的曝光精度已经无法制作出更窄的沟道。另外，TFT中栅极与源极和漏极的对准程度，决定图像画质的均匀程度。画质不均主要因栅极与源极之间的电容C1，和栅极与漏极之间的电容C2不相等导致。通过将栅极设置在与源极和漏极位于不同层，且位于源极和漏极正中间的位置，可以使得栅极与源极之间的电容C1，和栅极与漏极之间的电容C2接近或相等。但是，在现有的TFT制作エ艺条件下，源极103和漏极104在同一层制作，导致每个TFT的栅极101很难和源极103、漏极104对准(所谓对准即源极和漏极相对于栅极在水平方向对称)。这就造成了栅极101和源漏极之间的对准存在一定的误差，该误差存在于每个TFT结构中。如图2所示的阵列基板结构俯视图，栅极101与源103和漏极104没有对准。如果ー个显示面板需要经过多次曝光等过程才能形成所有TFT，不同曝光过程形成的TFT，栅极11与源极和漏极之间的对准误差不同，使得整个阵列基板上的TFT对应的图像色度不均匀，形成的图像画质较差。并且，现有TFT设计方式，由于栅极具有一定厚度，栅极和玻璃基板之间形成一定的台阶(台阶的高度为栅极的厚度)，导致栅极绝缘层的厚度不能太薄，如果太薄会导致栅极绝缘层断裂的现象，栅极绝缘层较厚，要求TFT的开关电流较大，不利于提高TFT的电学特性。现有的TFT结构，源极和漏极设计在同一平面上，在垂直方向上没有重叠区域，导致TFT面积较大，像素的开ロ率较低，并且现有TFT的设计方式，栅极和源漏极之间的对准误差较大，会导致显示装置的图像色度不均匀，图像画质较差的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供，用以提高平板显示装置像素的开ロ率。为实现上述目的，本专利技术实施例提供的阵列基板，包括 基板、栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极位于基板上不同区域，源极和漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；半导体层，所述半导体层形成在所述源极和漏极之间，半导体层在基板上的投影和源极与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；第一绝缘层，所述第一绝缘层，形成在所述基板之上栅极之下，且覆盖所述源极或漏极；还包括，像素电极，所述像素电极与所述漏极相连；栅极线，所述栅极线与所述栅极相连；数据线，所述数据线与所述源极相连。本专利技术实施例提供的显示装置，包括所述阵列基板。本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，包括采用构图エ艺在基板上形成源极和数据线；采用构图エ艺在所述源极上形成与源极在基板上的垂直投影具有重叠区域的半导体层；采用构图エ艺在所述半导体层上形成与源极和半导体层在基板上的垂直投影具有重叠区域的漏极；采用构图エ艺在基板上形成覆盖整个基板的第一绝缘层；采用构图エ艺在所述第一绝缘层上与所述源极、半导体层，和漏极位于基板的不同区域的栅极和栅极线；采用构图エ艺在覆盖漏极的第一绝缘层上形成ー个露出漏极的过孔；采用构图エ艺在所述基板上形成像素电极，该像素电极通过所述过孔和漏极相连。本专利技术实施例提供的另ー种阵列基板的制作方法，包括采用构图エ艺在基板上形成像素电极；采用构图エ艺在基板上形成漏扱，该漏极与所述像素电极相连；采用构图エ艺在所述漏极上形成与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域的半导体层；采用构图エ艺在所述半导体层上形成与漏极和半导体层在基板上的垂直投影具有重叠区域的源扱，以及数据线；采用构图エ艺在基板上形成覆盖整个基板的第一绝缘层；采用构图エ艺在所述第一绝缘层上与所述源极、半导体层，和漏极位于基板的不同区域的栅极和栅极线。本专利技术实施例提供的阵列基板，源极和漏极在垂直方向相对放置，使得TFT所占像素区域的面积减小，大大提高了平板显示装置像素的开ロ率。附图说明图I为现有底栅型薄膜晶体管结构的剖视示意图；图2为现有底栅型薄膜晶体管结构的俯视示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板ー个像素结构的俯视示意图；图4为本专利技术实施例提供的TFT结构的剖视示意图；图5为本专利技术实施例提供的另ー种TFT结构的剖视示意图；图6为本专利技术实施例提供的另ー种TFT结构的剖视示意图；图7为本专利技术实施例提供的另ー种TFT结构的剖视示意图；·图8为本专利技术实施例提供的阵列基板中TFT的结构的剖视示意图；图9为本专利技术实施例提供的另ー种阵列基板中TFT的结构的剖视示意图；图10为本专利技术实施例提供的另ー种阵列基板中TFT的结构的剖视示意图；图11为本专利技术实施例提供的具有凹槽的阵列基板中TFT的结构的剖视示意图；图12为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程示意图；图13为本专利技术实施例提供的形成有与源极对应的凹槽的阵列基板中TFT的结构示意图；图14为本专利技术实施例提供的形成有源极的阵列基板中TFT的结构示意图；图15为本专利技术实施例提供的形成有半导体层和第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的阵列基板中TFT的结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的形成有漏极的阵列基板中TFT的结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的形成有第一绝缘层的阵列基板中TFT的结构示意图；图18为本专利技术实施例提供的阵列基板在采用半色调掩膜曝光后的光刻胶保留示意图；图19为本专利技术实施例提供的形成有栅极的阵列基板中TFT的结构示意图；图20为本专利技术实施例提供的形成有第二绝缘层的阵列基板中TFT的结构示意图；图21为本专利技术实施例提供的另ー种阵列基板的制作方法流程示意图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了，用以提高平板显示装置像素的开ロ率。本专利技术实施例提供的阵列基板，源极和漏极形成在基板上且在垂直方向相对放置，即源极和漏极设置在基板上的不同层，且源极和漏极在基板上的垂直投影部分或全部重叠。本专利技术提供的源极和漏极在垂直方向相对放置的方式，大大减小了薄膜晶体管TFT占用像素区域的面积，提高平板显示装置像素的开ロ率。并且，本专利技术实施例提供的阵列基板，薄膜晶体管的栅极形成在与源极和漏极不同区域的基板上，且与所述源极和漏极相绝缘。栅极距离源极的垂直距离等于栅极距离漏极的垂直距离，栅极与源极的交叠面积等于栅极与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板、栅极、源极和漏极，所述源极和漏极与所述栅极位于基板上不同区域，源极和漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；半导体层，所述半导体层形成在所述源极和漏极之间，半导体层在基板上的投影和源极与漏极在基板上的垂直投影具有重叠区域；第一绝缘层，所述第一绝缘层，形成在所述基板之上栅极之下，且覆盖所述源极或漏极；还包括，像素电极，所述像素电极与所述漏极相连；栅极线，所述栅极线与所述栅极相连；数据线，所述数据线与所述源极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高涛，吕志军，李太亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：