一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。本发明专利技术提供的阵列基板能够形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，达到提高液晶显示装置的透过率、亮度和对比度的目的，避免了因像素电极和公共电极存在较大的交叠区域而导致形成较大存储电容的问题，从而可以避免因较大存储电容导致的Greenish和线残像等品质性不良问题，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及。
技术介绍
目前 TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)存在多种电场显示模式，如ADS、IPS (In-Plane Switching，共平面切换)、VA等，不同的显示模式具有不同的设计结构，因此不仅在产品品质方面存在显著不同，在阵列基板制备工艺中也存在较大差异。图I所示为IPS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板11、像素电极12和公共电极13，其像素电12和公共电极13在同一平面上交替排列，形成图I中箭头所示方向的电场；基于图I所示的结构，IPS显示模式的阵列基板采用4次构图(即4mask)工艺制作，具 体为栅线和栅极构图，有源层、数据线和源漏电极构图，过孔构图，像素电极和公共电极构图；即IPS显示模式的阵列基板中，像素电极和公共电极在同一构图工艺中形成。图2所示为ADS显示模式的阵列基板结构，包括衬底基板21、像素电极22和公共电极23，其像素电极22与公共电极23为上下层设置关系，如图2所示，像素电极22在上层，由具有狭缝结构的透明电极图案构成，像素电极22与公共电极23之间设有绝缘层，公共电极23在下层，至少在对应像素电极22中的狭缝位置设置公共电极23，形成如图2中箭头所示方向的电场；基于图2所示的结构，ADS显示模式的阵列基板采用1+4次构图(SPl+4mask)工艺制作，该制作方法与IPS显示模式阵列基板所采用的4次构图工艺相比，需要分别形成像素电极和公共电极，因此，ADS显示模式阵列基板采用的1+4次构图工艺比IPS显示模式阵列基板采用的4次构图工艺多出I次构图步骤。根据图I和图2可知，ADS显示模式阵列基板与IPS显示模式阵列基板相比具有如下特点=ADS显示模式阵列基板的像素电极和公共电极形成的电场可控区域更大一些，因此，在透过率、亮度和对比度等方面ADS显示模式比IPS显示模式好；但是ADS显示模式阵列基板中的像素电极和公共电极存在较大的交叠区域，会形成较大的存储电容，引起Greenish (画面发绿)和线残像等不良品质缺陷，并且这种缺陷会随着面板的大尺寸化越来越明显；此外，ADS显示模式阵列基板采用的1+4次构图工艺，相比IPS显示模式阵列基板采用的4次构图工艺更繁琐，生产成本也会更高一些。综上所述，ADS显示模式阵列基板和IPS显示模式阵列基板各有优缺点，因此，生产能够综合以上二者优点的新型边缘电场显示模式阵列基板成为重要的研究课题。
技术实现思路
本专利技术提供，用以形成一种新型边缘电场显示模式的阵列基板，该阵列基板在具有较好的电场可控区域的同时，避免了像素电极和公共电极之间存储电容的问题，提闻了广品品质。本专利技术包括一种阵列基板，包括多个像素単元，所述像素単元包括像素电极、公共电极和绝缘部，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。ー种如上所述阵列基板的制作方法，包括通过第一次构图エ艺，形成包括栅线、栅电极、公共电极线的图形； 通过第二次构图エ艺，形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道的图形；通过第三次构图エ艺，形成钝化层以及位于所述钝化层和/或栅绝缘层上的第一过孔；通过第四次构图エ艺，形成像素电极和公共电极。本专利技术提供，一方面使像素电极与公共电极设置于不同平面上，从而形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，达到提高液晶显示装置的透过率、亮度和对比度的目的，另ー方面使像素电极和公共电极不存在交叠区域，避免了因像素电极和公共电极存在较大的交叠区域而导致形成较大存储电容的问题，从而可以避免因较大存储电容导致的Greenish和线残像等品质性不良问题，提闻了广品良率。附图说明图I为
技术介绍
中IPS显示模式的阵列基板结构示意图；图2为
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中ADS显示模式的阵列基板结构示意图；图3 (I)为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板平面示意图；图3 (2)为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板剖面示意图；图3 (3)为本专利技术实施例ニ提供的一种阵列基板剖面示意图；图4为本专利技术实施例三提供的一种阵列基板的制作方法流程图；图5 (I)为本专利技术实施例三进行第一构图エ艺后基板的平面示意图和剖面示意图；图5 (2)为本专利技术实施例三进行第二构图エ艺后基板的平面示意图和剖面示意图；图5 (3)为本专利技术实施例三进行第三构图エ艺后基板的平面示意图和剖面示意图；图5 (4)为本专利技术实施例三进行第四构图エ艺后基板的平面示意图和剖面示意图；图5 (5)为本专利技术实施例三形成平坦层315后的剖面示意图；图6 (I)为本专利技术实施例四形成具有倒角的第一过孔313的剖面示意图；图6 (2)为本专利技术实施例四形成像素电极311和公共电极312后的剖面示意图；图6 (3)为本专利技术实施例四形成的阵列基板结构剖面示意图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例，对本专利技术提供的阵列基板及其制作方法的具体实施方式作进ー步详细描述。需要说明的是I、本专利技术所称的构图エ艺包括光刻胶涂覆、掩膜、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等エ艺步骤，本专利技术实施例以正性光刻胶为例进行说明；2、本专利技术实施例中所称的例如“X设置于Y上”或“X上设置有Y”中的“上” 一般包含了 X与Y接触，并且X位于Y的上方的意思，如附图所示本专利技术将衬底基板设置于最下方；3、本专利技术对像素电极的图案不作具体限定，本专利技术实施例中仅以附图所示的像素电极图案为例进行说明。 本专利技术提供一种阵列基板，包括多个像素単元；所述像素単元包括像素电极、公共电极和绝缘部，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。本专利技术提供的阵列基板结构中，第一过孔设置于绝缘部内，第一过孔的内壁由绝缘部组成，具有绝缘效果，从而可使得设置于第一过孔的底表面或绝缘部表面的像素电极和公共电极相互绝缘；像素电极和公共电极的设置包括以下两种情況像素电极位于第一过孔底表面，公共电极位于绝缘部表面，或，像素电极位于绝缘部表面，公共电极位于第一过孔底表面；以上两种设置情况既使得像素电极和公共电极设置于不同平面上，能形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，又使得像素电极和公共电极不存在交叠区域，达到不产生存储电容的目的；考虑到利用第一过孔的自身结构可达到使像素电极和公共电极交错设置于不同平面上且相互绝缘的目的，并且像素电极和公共电极都可由透明导电金属制成的特点，在第一过孔所在区域沉积ー层透明导电金属的基础上，通过一次构图エ艺形成分别位于第一过孔底表面或绝缘部表面的像素电极和公共电极。本专利技术提供的阵列基板结构特点既使得像素电极与公共电极设置于不同平面上，从而形成具有较好可控区域的液晶分子旋转电场，达到提高液晶显示装置的透过率、亮度和对比度的目的，又使得像素电极和公共电极不存在交叠区域，避免了因像素电极和公共电极存在较大的交叠区域而导致形成较大存储电容的问题，从而可以避免因较大存储电容导致的Greenish和线残像等品质性不良本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于，所述绝缘部包括多个第一过孔；所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、公共电极和绝缘部，其特征在于， 所述绝缘部包括多个第一过孔； 所述公共电极设置于所述第一过孔的底表面，所述像素电极设置于所述绝缘部的表面，或 所述公共电极设置于所述绝缘部的表面，所述像素电极设置于所述第一过孔的底表面。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部包括栅绝缘层和/或钝化层。3.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的内壁与底表面夹有锐角形倒角。4.如权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层。5.—种如权利要求1-4任一所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括 通过第一次构图工艺，形成包括栅线、栅电极、公共电极线的图形； 通过第二次构图工艺，形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道的图形； 通过第三次构图工艺，形成钝化层以及位于所述钝化层和/或栅绝缘层上的第一过孔； 通过第四次构图工艺，形成像素电极和公共电极。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第三次构图工艺，形成位于所述钝化层和/或栅绝缘层上的第一过孔，具体包括 在所述钝化层和/或栅绝缘层上形成内壁垂直于底表面的第一过孔。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第四次构图工艺，形成像素电极和公共电极，具体包括 形成透明导电薄膜，在所述透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：封宾，林鸿涛，王章涛，邵喜斌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：