防磁转轴和轴承座框架制造技术

技术编号:7947808 阅读:177 留言:0更新日期:2012-11-05 22:36
本实用新型专利技术公开了一种防磁转轴和轴承座框架,以解决交流接触器的整体框架结构在接触器使用过程中存在的产品晃动、安装强度不够的问题。它包括转轴、轴承座,所述轴承座包括左轴承座和右轴承座,所述转轴包括左转轴、右转轴,所述左轴承座和右轴承座对称安装在的大方轴的两端,所述左轴承座和右轴承座上分别装有左转轴和右转轴,左转轴和右转轴之间安装有小方轴。本实用新型专利技术框架整体刚性、安装稳定性好、没有磁损耗,具有很好的防漏磁的功能。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及交流接触器的整体框架结构,具体地说是一种交流接触器中用于安装接触系统和磁系统的框架。
技术介绍
国内转动式交流接触器多为由扁钢制成的单条架或双条 架结构,再配有由铸铝件压铸而成的轴承座及小方钢制成的转轴组合在一起形成支撑接触系统和磁系统的框架。现有技术是左右轴承座直接与一根转轴安装,现有技术轴承座比较薄与转轴连接部分为6晕米左右,其它部分增加加强筋,现有技术中轴承座安装是从底部与扁钢制成的条架连接。现有技术转轴最大为20X20毫米,材料为钢件不具有防漏磁功能。转轴上直接安装电磁系统、接触系统等。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种防磁转轴和轴承座框架,以解决交流接触器的整体框架结构在接触器使用过程中存在的产品晃动、安装强度不够的问题。本技术技术方案如下一种防磁转轴和轴承座框架,包括转轴、轴承座,所述轴承座包括左轴承座和右轴承座,所述转轴包括左转轴、右转轴,所述左轴承座和右轴承座对称安装在的大方轴的两端,所述左轴承座和右轴承座上分别装有左转轴和右转轴,左转轴和右转轴之间安装有小方轴。本技术中转轴与底座按最佳计算截面(大方轴36X36毫米和小方轴30X30毫米)的方轴形式设计,轴承座按20毫米厚铸铜件制造的结构,强度好,大大增强了接触器的整体刚性和安装稳定性。轴承座是在与底面成45°的方向安装,对轴承座斜度方向有一个拉力。为了使接触器在使用过程中尽可能地减少磁损耗,将两个大方轴材料选用为防磁的有色金属铸铝合金材料,轴承座选用为铸铜材料,另外,与方轴接触件也全部选用不锈钢材料制成的零件;为了加强相间及相对地的电气缘缘性能,转轴上主要区域进行了全长塑封,塑封长度达600毫米之长。本技术框架整体刚性、安装稳定性好、没有磁损耗,具有很好的防漏磁的功倉泛。以下结合附图对本技术做进一步详细的说明。附图说明图I是本技术的结构示意图;图2是图I的侧视图。具体实施方式一种防磁转轴和轴承座框架,包括转轴、轴承座,轴承座包括左轴承座2和右轴承座6,转轴包括左转轴I、右转轴5,左轴承座2和右轴承座6对称安装在大方轴4的两端,左轴承座2和右轴承座6上分别装有左转轴I和右转轴5,左转轴I和右转轴5之间安装有小方轴3。轴承座的中心线与大方轴4的底平面最佳成45°角方向安装,对轴承座斜度方向有一个拉力。本实施方式按最佳计算截面大方轴4的尺寸为36X36毫米,小方轴3的尺寸为30X30毫米,左右轴承座的尺寸为20毫米厚。权利要求1.一种防磁转轴和轴承座框架,包括转轴、轴承座,所述轴承座包括左轴承座和右轴承座,其特征在于所述转轴包括左转轴(I )、右转轴(5),所述左轴承座(2)和右轴承座(6)对称安装在的大方轴(4)的两端,所述左轴承座(2)和右轴承座(6)上分别装有左转轴(I)和右转轴(5 ),左转轴(I)和右转轴(5 )之间安装有小方轴(3 )。2.根据权利要求I所述的防磁转轴和轴承座框架,其特征在于所述轴承座的中心线与大方轴(4)的底平面成45°角。专利摘要本技术公开了一种防磁转轴和轴承座框架,以解决交流接触器的整体框架结构在接触器使用过程中存在的产品晃动、安装强度不够的问题。它包括转轴、轴承座,所述轴承座包括左轴承座和右轴承座,所述转轴包括左转轴、右转轴,所述左轴承座和右轴承座对称安装在的大方轴的两端,所述左轴承座和右轴承座上分别装有左转轴和右转轴,左转轴和右转轴之间安装有小方轴。本技术框架整体刚性、安装稳定性好、没有磁损耗,具有很好的防漏磁的功能。文档编号H01H50/04GK202513087SQ201220144508公开日2012年10月31日 申请日期2012年4月9日 优先权日2012年4月9日专利技术者张光宇, 赵竹青, 邓利辉 申请人:天水长城控制电器有限责任公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防磁转轴和轴承座框架,包括转轴、轴承座,所述轴承座包括左轴承座和右轴承座,其特征在于:所述转轴包括左转轴(1)、右转轴(5),所述左轴承座(2)和右轴承座(6)对称安装在的大方轴(4)的两端,所述左轴承座(2)和右轴承座(6)上分别装有左转轴(1)和右转轴(5),左转轴(1)和右转轴(5)之间安装有小方轴(3)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:邓利辉张光宇赵竹青
申请(专利权)人:天水长城控制电器有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:

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