带双屏蔽结构的零序电流互感器制造技术

技术编号:7927500 阅读:285 留言:0更新日期:2012-10-26 12:39
本实用新型专利技术涉及电力设备领域,尤其涉及一种电流互感器。带双屏蔽结构的零序电流互感器,包括一电流互感器主体,电流互感器主体上设有供三相一次导体电缆穿过的通孔,三相一次导体电缆构成电流互感器主体的一次绕组,通孔的内壁包覆有屏蔽罩,屏蔽罩包括一实现高压屏蔽的高压屏蔽罩和接地的低压屏蔽罩,屏蔽罩与电流互感器主体通过环氧树脂浇注成一体。本实用新型专利技术一次绕组外包覆有高压屏蔽罩和低压屏蔽罩,能有效地改善电场分布,排除尖端放电和气隙放电,减少局放,提高电流互感器主体的使用安全性及延长使用寿命。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电力设备领域,尤其涉及ー种电流互感器。
技术介绍
零序电流互感器为一种线路故障监测器,一般仅有ー个铁心与二次绕组,在回路发生接地故障的情况下,用于转换流入回路的接地电流,并传送给接地继电器,实现接地保护的目的。局部放电是造成零序电流互感器故障的主要原因,局部放电产生的热量会加速绝缘的老化,进而危及零序电流互感器的使用寿命,影响电网系统的可靠运行。为避免局部放电,在零序电流互感器的加工制造过程中,尽可能对尖角毛刺进行 磨光处理,然而仅仅靠这些措施是不够的。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种带双屏蔽结构的零序电流互感器,解决以上技术问题。本技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现带双屏蔽结构的零序电流互感器,包括ー电流互感器主体,其特征在于,所述电流互感器主体上设有供三相一次导体电缆穿过的通孔,所述三相一次导体电缆构成所述电流互感器主体的一次绕组,所述通孔的内壁包覆有屏蔽罩,所述屏蔽罩包括一实现高压屏蔽的高压屏蔽罩和接地的低压屏蔽罩,所述屏蔽罩与所述电流互感器主体通过环氧树脂浇注成一体。所述电流互感器主体包括可拆卸连接的上下两部分,所述电流互感器主体的上下两部分的中间设有所述通孔。本技术一次绕组外包覆有高压屏蔽罩和低压屏蔽罩,能有效地改善电场分布,排除尖端放电和气隙放电,減少局放,提高电流互感器主体的使用安全性及延长使用寿命。同时采用上下开合式结构,方便电缆或母线布置完成后安装。所述通孔的内径为80_180mm。所述高压屏蔽罩上设有至少两个采用锡焊引出的接线端子,所述接线端子与穿过所述通孔的三相一次导体电缆电气连接。所述高压屏蔽罩采用铜网制成的筒状屏蔽网罩。所述屏蔽网罩采用拉伸铜网,也可以为铝网、铝合金网、不锈钢网制成的屏蔽网罩。所述屏蔽网罩的上下两端设有翻边,以便消除毛刺。所述屏蔽网罩上设有菱形孔,所述菱形孔的边长2_3mm。所述屏蔽网罩上设有其他孔型,如六角型、圆孔、三角型、鱼鳞孔。所述低压屏蔽罩包括一圆环形支架、绕制于所述圆环形支架上的半导体材料制成的屏蔽层,所述屏蔽层内设有导线,所述导线采用镀锡铜导体绕制而成的导线。所述低压屏蔽罩设有至少四个接地端子,至少ー个所述接地端子与导线连接。所述低压屏蔽罩与地可靠连接,保证不会造成悬浮放电。由于低压屏蔽罩设有半导体材料制成的屏蔽层,各点所处的高压电场位置不一样,两点间存在电位差,有可能形成内部电流,因此低压屏蔽罩不同位置各点有必要用导体或导电物质可靠连接,然后强制接地,改变内部电场分布。所述低压屏蔽罩的内侧设有电エ纸卷成的绝缘层。所述低压屏蔽罩的外侧设有玻璃纤维网格布制成的增强层,以增强注塑的环氧树脂接触面強度。有益效果由于采用上述技术方案,本技术一次绕组外包覆有高压屏蔽罩和 低压屏蔽罩,能有效地改善电场分布,排除尖端放电和气隙放电,减少局放,提高电流互感器主体的使用安全性及延长使用寿命。附图说明图I为本技术的结构示意图;图2为本技术的高压屏蔽罩的结构示意图;图3为本技术的低压屏蔽罩的结构示意图;。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示进一步阐述本技术。參照图I、图2、图3,带双屏蔽结构的零序电流互感器,包括ー电流互感器主体1,电流互感器主体I上设有供三相一次导体电缆穿过的通孔11,三相一次导体电缆构成电流互感器主体I的一次绕组,通孔11的内壁包覆有屏蔽罩,屏蔽罩包括一实现高压屏蔽的高压屏蔽罩2和接地的低压屏蔽罩3,屏蔽罩与电流互感器主体I通过环氧树脂浇注成一体。电流互感器主体I包括可拆卸连接的上下两部分,电流互感器主体I的上下两部分的中间设有通孔11。本技术一次绕组外包覆有高压屏蔽罩2和低压屏蔽罩3,能有效地改善电场分布,排除尖端放电和气隙放电,減少局放,提高电流互感器主体I的使用安全性及延长使用寿命。同时采用上下开合式结构,方便电缆或母线布置完成后安装。通孔11 的内径可以是 80、100、120、140、160、180mm 的ー种。參照图2,高压屏蔽罩2上设有至少两个采用锡焊引出的接线端子21,接线端子21与穿过通孔11的三相一次导体电缆电气连接。高压屏蔽罩2采用铜网制成的筒状屏蔽网罩。屏蔽网罩采用拉伸铜网,也可以为铝网、铝合金网、不锈钢网制成的屏蔽网罩。屏蔽网罩的上下两端设有翻边,以便消除毛刺。屏蔽网罩上设有菱形孔,菱形孔的边长2_3mm。屏蔽网罩上设有其他孔型,如六角型、圆孔、三角型、鱼鳞孔。參照图3,低压屏蔽罩3包括一圆环形支架、绕制于圆环形支架上的半导体材料制成的屏蔽层,屏蔽层内设有导线,导线采用镀锡铜导体绕制而成的导线。低压屏蔽罩3设有至少四个接地端子33,至少ー个接地端子33与导线连接。低压屏蔽罩3与地可靠连接,保证不会造成悬浮放电。由于低压屏蔽罩3设有半导体材料制成的屏蔽层,各点所处的高压电场位置不一样,两点间存在电位差,有可能形成内部电流,因此低压屏蔽罩3不同位置各点有必要用导体或导电物质可靠连接,然后强制接地,改变内部电场分布。低压屏蔽罩3的内侧设有电エ纸卷制成的绝缘层31。低压屏蔽罩3的外侧设有玻璃纤维网格布制成的增强层32,以增强注塑的环氧树脂接触面強度。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征 和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解,本技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理,在不脱离本技术精神和范围的前提下,本技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。权利要求1.带双屏蔽结构的零序电流互感器,包括ー电流互感器主体,其特征在于,所述电流互感器主体上设有供三相一次导体电缆穿过的通孔,所述三相一次导体电缆构成所述电流互感器主体的一次绕组,所述通孔的内壁包覆有屏蔽罩,所述屏蔽罩包括一实现高压屏蔽的高压屏蔽罩和接地的低压屏蔽罩,所述屏蔽罩与所述电流互感器主体通过环氧树脂浇注成一体。2.根据权利要求I所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述电流互感器主体包括可拆卸连接的上下两部分,所述电流互感器主体的上下两部分的中间设有所述通孔。3.根据权利要求I所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述高压屏蔽罩上设有至少两个采用锡焊引出的接线端子,所述接线端子与穿过所述通孔的三相一次导体电缆电气连接。4.根据权利要求3所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述高压屏蔽罩采用铜网制成的筒状屏蔽网罩;所述屏蔽网罩的上下两端设有翻边。5.根据权利要求4所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述屏蔽网罩上设有菱形孔,所述菱形孔的边长2-3mm。6.根据权利要求I所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述低压屏蔽罩包括一圆环形支架,绕制于所述圆环形支架上的半导体材料制成的屏蔽层,所述屏蔽层内设有导线,所述导线采用镀锡铜导体绕制而成的导线。7.根据权利要求6所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特征在于,所述低压屏蔽罩设有至少四个接地端子,至少ー个所述接地端子与导线连接。8.根据权利要求7所述的带双屏蔽结构的零序电流互感器,其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
带双屏蔽结构的零序电流互感器,包括一电流互感器主体,其特征在于,所述电流互感器主体上设有供三相一次导体电缆穿过的通孔,所述三相一次导体电缆构成所述电流互感器主体的一次绕组,所述通孔的内壁包覆有屏蔽罩,所述屏蔽罩包括一实现高压屏蔽的高压屏蔽罩和接地的低压屏蔽罩,所述屏蔽罩与所述电流互感器主体通过环氧树脂浇注成一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙东昌杨健盛晟
申请(专利权)人:上海旭然电器有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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