【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微制造，所述光致抗蚀剂组合物含有具有酸不稳定基团的树脂、溶剂和包含盐的酸生成剂。US2007/122750A1提及一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，所述树脂具有由式(al-1-2)表示的结构单元，由式(a2-l_l)表示的结构单元和由式(a3-l_l)表示的结构单元，由式(BI)表示的盐，以及溶剂。US2006/194982提及一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含如上提及的树脂、由式(B2)表示的盐以及溶剂。 权利要求1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含 (A)树脂，所述树脂具有含有酸不稳定基团的结构单元和含有内酯环的结构单元，以及 (B)由式⑴表示的盐2.根据权利要求I所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含溶剂。3.根据权利要求I所述的光致抗蚀剂组合物，其中n是I。4.根据权利要求1、2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中L1是单键。5.根据权利要求1、2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中R1是羟基。6.根据权利要求1、2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中R1是由保护基保护的羟基，并且由式(2A)表示，7.根据权利要求1、2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+是芳基锍阳离子。8.根据权利要求1、2或3所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述含有内酯环的结构单元由式(a3-l)、式(a3~2)或式(a3~3)表不9.根据权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述含有内酯环的结构单元由式(a3-2)表示，其中La5表示*-0-(CH2)k3-CO...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(A)树脂，所述树脂具有含有酸不稳定基团的结构单元和含有内酯环的结构单元，以及(B)由式(I)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1？C6全氟烷基，n表示0或1，L1表示单键或其中亚甲基可以被氧原子或羰基代替的C1？C10烷烃二基，条件是当n是0时，L1不是单键，R1表示羟基或由保护基保护的羟基，并且Z+表示有机阳离子。FDA0000153105190000011.tif
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，安立由香子，藤田真吾，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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