晶圆切割方法技术

本发明专利技术有关于一种晶圆切割方法，首先提供一第一晶圆及一设于该第一晶圆下方的第二晶圆，接着使用一切割刀对第一晶圆进行切割，接着再使用一激光切割机对第一晶圆进行隐性激光切割，最后即可将两次切割位置之间的部分移除掉，如此便能避免欲移除的部分在切割过程中产生飞脱现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与有关，特别是有关于一种可防止晶圆在切割过程中所欲移除的部分产生飞脱现象的。
技术介绍
请参阅图IA及图IB所示的现有，首先提供一第一晶圆10及一设于第一晶圆10下方的第二晶圆12，接着使用一切割刀14对第一晶圆10进行两次不同位置的切割，以去除掉第一晶圆10的不必要的部分102，最后再使用切割刀14对第二晶圆12进行切割，以形成多个晶粒16。然而在前述的中，在使用切割刀14对第一晶圆10完成第二次切割的同时，第一晶圆10所欲去除的部分102很容易产生飞脱现象，不仅可能造成切割刀14受到撞击而破损，也可能导致芯片表面被刮伤，甚至可能伤及第一晶圆10与第二晶圆12之间的焊垫18，进而连带影响后续的打线品质及封装产品的测试良率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，其可避免晶圆在切割过程中所欲移除的部分因飞脱现象而造成晶圆的损坏，以有效提升封装后产品的测试良率。为达成上述目的，本专利技术的包含有下列步骤a)提供一第一晶圆及一设于该第一晶圆下方的第二晶圆山)使用一切割刀对该第一晶圆进行切割而于该第一晶圆形成一第一切割位置；c)使用一激光切割机对该第一晶圆进行隐性激光切割而于该第一晶圆形成一第二切割位置，该第二切割位置与该第一切割位置之间相隔一预定距离，使得该第一晶圆于该第一切割位置与该第二切割位置之间形成一待移除部分；d)让该第一晶圆的待移除部分从该第二切割位置产生断裂而完成移除；以及e)使用该切割刀对该第二晶圆进行切割，以形成多个晶粒。由此，本专利技术的利用该激光切割机所提供隐性激光切割方式作为第二次的切割，可确保该第一晶圆的待移除部分在两次切割完成之后不会产生飞脱现象，以有效防止切割设备或芯片受到撞击，并且能提升封装后产品的测试良率。附图说明为了详细说明本专利技术的步骤、特征及功效所在，以下结合较佳实施例并配合附图说明如后，其中图I为现有的流程不意图。图2A至图2B为本专利技术第一较佳实施例的流程示意图。图3A至图3B为本专利技术第二较佳实施例的流程示意图。图4A至图4B为本专利技术第三较佳实施例的流程示意图。具体实施例方式请参阅图2A及图2B，为本专利技术第一较佳实施例所提供的，包含有下列步骤 步骤a):提供一第一晶圆20及一设于第一晶圆20下方的第二晶圆22,第一晶圆20与第二晶圆22之间设有多个焊垫24，其中，第一晶圆20为微机电晶圆，第二晶圆22为互补式金属氧化物半导体晶圆。步骤b):使用一切割刀30对第一晶圆20进行切割而于第一晶圆20形成一第一切割位置Pl。步骤c):使用一激光切割机32对第一晶圆20进行隐性激光切割(StealthDicing)而于第一晶圆20形成一第二切割位置P2，第二切割位置P2与第一切割位置Pl相隔一预定距离，使得第一晶圆20于第一切割位置Pl与第二切割位置P2之间形成一待移除部分202。步骤d):使用一镊子(图未示)通过第一切割位置Pl夹住待移除部分202的一端，再往上施力弯折，让第一晶圆20的待移除部分202从第二切割位置P2产生断裂而完成移除。步骤e):使用切割刀30对第二晶圆22进行切割，以形成多个晶粒26。请再参阅图3A及图3B，为本专利技术第二较佳实施例所提供的，其与第一较佳实施例的主要差异在增加胶带40的设置，如下所述步骤a):提供第一晶圆20及设于第一晶圆20下方的第二晶圆22。步骤b):使用切割刀30对第一晶圆20进行切割而于第一晶圆20形成第一切割位置Pl之后，接着粘贴一胶带40于第一晶圆20的表面。步骤c):使用激光切割机32对第一晶圆20进行隐性激光切割而于第一晶圆20形成第二切割位置P2。步骤d):去除胶带40而让第一晶圆20的待移除部分202随着胶带40产生弯折，并从第二切割位置P2产生断裂以完成移除。步骤e):使用切割刀30对第二晶圆22进行切割，以形成多个晶粒26。请再参阅图4A及图4B，为本专利技术第三较佳实施例所提供的，其与第二较佳实施例的主要差异在胶带40的设置时机，在本实施例的步骤c)中，使用激光切割机32对第一晶圆20进行隐性激光切割之后，接着粘贴胶带40于第一晶圆20的表面，而在步骤d)中，同样是去除胶带40而让第一晶圆20的待移除部分202随着胶带40产生弯折，并从第二切割位置P2产生断裂以完成移除。综合上述可知，本专利技术的利用激光切割机32所提供隐性激光切割方式作为第二次的切割，可确保第一晶圆20的待移除部分202在经过第二次切割之后不会产生飞脱现象，并且只要利用镊子或胶带40即可将顺利完成移除，故本专利技术的确实能够有效防止切割设备或芯片受到意外撞击，并且能够提升封装后产品的测试良率。本专利技术于前揭实施例中所揭露的构成元件，仅为举例说明，并非用来限制本案的范围，其它等效元件的替代或变化，亦应为本案的权利要求范围所涵盖。权利要求1.一种，包含有下列步骤 a)提供一第一晶圆及一设于该第一晶圆下方的第二晶圆； b)使用一切割刀对该第一晶圆进行切割而于该第一晶圆形成一第一切割位置； c)使用一激光切割机对该第一晶圆进行隐性激光切割而于该第一晶圆形成一第二切割位置，该第二切割位置与该第一切割位置之间相隔一预定距离，使得该第一晶圆于该第一切割位置与该第二切割位置之间形成一待移除部分； d)让该第一晶圆的待移除部分从该第二切割位置产生断裂而完成移除；以及 e)使用该切割刀对该第二晶圆进行切割，以形成多个晶粒。2.如权利要求I所述的，其中该第一晶圆为微机电晶圆，该第二晶圆为互补式金属氧化物半导体晶圆。3.如权利要求I所述的，其中步骤d)是使用一镊子通过该第一切割位置夹住该待移除部分的一端，再往上施力弯折该待移除部分，让该待移除部分从该第二切割位置产生断裂。4.如权利要求I所述的，其中步骤b)在使用该切割刀对该第一晶圆进行切割之后，再粘贴一胶带于该第一晶圆的表面；步骤d)是由去除该胶带而让该待移除部分随着该胶带产生弯折，并从该第二切割位置产生断裂。5.如权利要求I所述的，其中步骤c)在使用该激光切割机对该第一晶圆 进行隐性激光切割之后，再粘贴一胶带于该第一晶圆的表面；步骤d)是由去除该胶带而让该待移除部分随着该胶带产生弯折，并从该第二切割位置产生断裂。全文摘要本专利技术有关于一种，首先提供一第一晶圆及一设于该第一晶圆下方的第二晶圆，接着使用一切割刀对第一晶圆进行切割，接着再使用一激光切割机对第一晶圆进行隐性激光切割，最后即可将两次切割位置之间的部分移除掉，如此便能避免欲移除的部分在切割过程中产生飞脱现象。文档编号B28D5/00GK102744795SQ201110104329公开日2012年10月24日 申请日期2011年4月21日 优先权日2011年4月21日专利技术者黄世尊 申请人:菱生精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆切割方法，包含有下列步骤：a)提供一第一晶圆及一设于该第一晶圆下方的第二晶圆；b)使用一切割刀对该第一晶圆进行切割而于该第一晶圆形成一第一切割位置；c)使用一激光切割机对该第一晶圆进行隐性激光切割而于该第一晶圆形成一第二切割位置，该第二切割位置与该第一切割位置之间相隔一预定距离，使得该第一晶圆于该第一切割位置与该第二切割位置之间形成一待移除部分；d)让该第一晶圆的待移除部分从该第二切割位置产生断裂而完成移除；以及e)使用该切割刀对该第二晶圆进行切割，以形成多个晶粒。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄世尊，
申请(专利权)人：菱生精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：