一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法技术

技术编号:7899476 阅读:288 留言:0更新日期:2012-10-23 05:16
本发明专利技术涉及一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,属于电子信息自动化元器件制造技术领域。封装件包括引线框架载体,粘片胶,IC芯片,键合线,塑封体,引线框架载体上固定粘片胶,粘片胶上固定IC芯片,IC芯片的PAD键合线与引线框架载体相连,构成了电路的电流和信号通道,塑封料包围了引线框架载体、粘片胶、IC芯片、IC芯片上的PAD与引线框架载体连接的键合线构成电路整体;本发明专利技术可有效缩小产品尺寸,且属于载体外露的高密度封装,不但降低了成本,而且扩大了产品的应用范围,提高封装可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,属于电子信息自动化元器件制造

技术介绍
DFN是ー种最新的的电子封装エ艺.采用先进的双边扁平无铅封装(DFN)。DFN平台是最新的表面贴装封装技木。印刷电路板(PCB)的安装垫、阻焊层和模版样式设计以及组装过程,都需要遵循相应的原则。DFN平台具有多功能性,可以让ー个或多个半导体器件在无铅封装内连接。QFN (Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引脚封装)是ー种焊盘尺寸小、体 积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技木。由于底部中央大暴露的焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN是ー种无引脚封装,呈正方形或矩形,封装底部中央位置一个大面积裸露的焊盘,具有导热的作用,在大焊盘的封装外围有实现电气连接的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线,内部引脚与焊盘之间的导电路径短,自感系数以及封装体内布线电阻很低,所以,它能提供卓越的电性能。此外,它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能,该焊盘具有直接散热的通道,用于释放封装内的热量。通常,将散热焊盘直接焊接在电路板上,并且PCB中的散热过孔有助于将多余的功耗扩散到铜接地板中,从而吸收多余的热量。由于体积小、重量轻,加上杰出的电性能和热性能,这种封装特别适合任何ー个对尺寸、重量和性能都有要求的应用。LED (Light-Emitting-Diode,为发光二极管)是ー种能够将电能转化为光能的半导体,它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理,而采用电场发光。据分析,LED的特点非常明显,寿命长、光效高、无辐射与低功耗。LED的光谱几乎全部集中于可见光频段,其发光效率可超过1501m/W(2010年)。将LED与普通白炽灯、螺旋节能灯及T5三基色荧光灯进行对比,结果显示普通白炽灯的光效为121m/W,寿命小于2000小时,螺旋节能灯的光效为601m/W,寿命小于8000小时,T5荧光灯则为961m/W,寿命大约为10000小时,而直径为5毫米的白光LED光效理论上可以超过1501m/W,寿命可大于100000小时。有人还预测,未来的LED寿命上限将无穷大。然而,LED灯的工作原理使得在大功率LED照明行业里散热问题变得非常突出,许多LED照明方案不够重视散热,或者是技术水平有限,所以目前量产的大功率LED灯普遍存在实际使用寿命远远不如理论值,性价比低于传统灯具的尴尬情況,目前还没有真正做到适合商业化的量产。传统的LEDエ艺有着污染物焊接。焊点损伤变形等常见缺陷,封装过程次品率较高,而且产品尺寸较大,应用有局限。
技术实现思路
针对上述基于DFN、QFN封装的新型LED封装件的缺点,提供一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,可有效缩小产品尺寸,且属于载体外露的高密度封装,不但降低了成本,而且扩大了产品的应用范围,提高封装可靠性。本专利技术采用的技术方案封装件包括引线框架载体1,粘片胶2,IC芯片3,键合线4,塑封体5,引线框架载体I上固定粘片胶2,粘片胶2上固定IC芯片3,IC芯片3的PAD键合线4与引线框架载体I相连,构成了电路的电流和信号通道,塑封料5包围了引线框架载体I、粘片胶2、TC芯片3、IC芯片3上的PAD与引线框架载体I连接的键合线4构成电路整体。所述的粘片胶2为导电胶或绝缘。所述的ー种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行第一歩、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为50μηι 200μηι,粗糙度Ra O. IOum O.30um ;第二步、划片;第三步、采用粘片胶上芯;第四歩、压焊;第五步、采用传统塑封料进行一次塑封;第六步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。所述的方法中的第二步中150μπι以上的晶圆采用普通QFN划片工艺;厚度在150μπι以下晶圆,采用双刀划片机及其エ艺;所述的方法中的第三步中上芯时采用的粘片胶可以用胶膜片(DAF)替换;第五步中传统塑封料采用9220进行塑封。所述的方法中的第四步、第五步、第六步均与常规AAQFNエ艺相同。本专利技术的有益效果可有效缩小产品尺寸,且属于载体外露的高密度封装,不但降低了成本,而且扩大了产品的应用范围,提高封装可靠性。附图说明图I为本专利技术的框架剖面图;图2为本专利技术的上芯后广品首I]面图;图3为本专利技术的压焊后产品剖面图;图4为本专利技术的塑封后产品剖面图。图中1_引线框架载体、2-粘片胶、3-IC芯片、4-键合线、5-塑封体。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术进行详细说明。如图4所示本专利技术包括引线框架载体1,粘片胶2,IC芯片3,键合线4,塑封体5,引线框架载体I上是粘片胶2,粘片胶2为导电胶或绝缘胶,粘片胶2上是IC芯片3,IC芯片3上的PAD键合线4与引线框架载体I相连,构成了电路的电流和信号通道。塑封料5围了引线框架载体I、粘片胶2、IC芯片3、IC芯片3上的PAD与引线框架载体I连接的键合线4构成电路整体,对IC芯片3和键合线4到支撑和保护作用。实施例I一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行第一歩、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为50 μ m,粗糙度Ra O. IOum ;第二步、采用双刀划片机及其エ艺进行划片;第三步、采用粘片胶上芯;第四步、采用常规AAQFNエ艺进行压焊;第五步、采用传统塑封料9220进行塑封;第六步、采用常规AAQFNエ艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。实施例2一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行第一歩、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为130 μ m,粗糙度Ra O. 20um ;第二步、采用双刀划片机及其エ艺进行划片;第三步、采用胶膜片(DAF)上芯;第四步、采用常规AAQFNエ艺进行压焊;第五步、采用传统塑封料9220进行塑封;第六步、采用常规AAQFNエ艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。实施例3一种基于DFN、QFN的新型LED封装件的制作方法按照以下步骤进行第一歩、晶圆减薄;晶圆减薄厚度为160 μ m,粗糙度Ra O. 30um ;第二步、采用普通QFN划片エ艺;第三步、采用胶膜片(DAF)上芯;第四步、采用常规AAQFNエ艺进行压焊;第五步、采用传统塑封料9220进行塑封;第六步、采用常规AAQFNエ艺进行后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装、入库。权利要求1.一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,其特征在于封装件包括引线框架载体,粘片胶,IC芯片,键合线,塑封体,引线框架载体上固定粘片胶,粘片胶上固定IC芯片,IC芯片的PAD键合线与引线框架载体相连,构成了电路的电流和信号通道,塑封料包围了引线框架载体、粘片胶、IC芯片、IC芯片上的PAD与引线框架载体连接的键合线构成电路整体。2.根据权利要求I所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,其特征在于所述的粘片胶为导电胶或绝缘。3.根据权利要求I所述的一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,其特征在于所述的一种基于DFN、QF本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种基于DFN、QFN的新型LED封装件及其制作方法,其特征在于:封装件包括引线框架载体,粘片胶,IC芯片,键合线,塑封体,引线框架载体上固定粘片胶,粘片胶上固定IC芯片,IC芯片的PAD键合线与引线框架载体相连,构成了电路的电流和信号通道,塑封料包围了引线框架载体、粘片胶、IC芯片、IC芯片上的PAD与引线框架载体连接的键合线构成电路整体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭小伟崔梦刘建军
申请(专利权)人:华天科技西安有限公司
类型:发明
国别省市:

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