TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。本发明专利技术实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不更改掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器制造
，具体涉及一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法。
技术介绍
随着智能手机、平板电脑 等产品的不断发展，薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)的广视角液晶显示器得到越来越广泛的应用。iphone、ipad产品效应,使横向电场广视角液晶显示器成为小尺寸平板显示技术中的明星，各个厂商都在积极的进行产品的研发与制造。液晶显示器主要包括上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件等几部分，其中下基板组件主要包括玻璃基板和TFT阵列(ARRAY)板，其中ARRAY板的透过率对液晶显示器的亮度有重要影响，而ARRAY板的透过率主要依赖于ARRAY板的结构和制造方法。传统工艺中，ARRAY板的制造方法包括以下步骤提供玻璃基板，在玻璃基板上依次形成栅极绝缘层、像素电极以及源漏电极等。采用上述传统工艺制造的ARRAY板的广视角液晶显示器的透过率比较低。目前，主要通过改变掩膜版的设计图案的方式提高广视角液晶显示器的透过率。但是，改变掩膜版的设计图案来提升透过率的方式，对于加工设备的精度提出了更高的要求，这样生产控制的冗余量会变小，导致良率低下。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种无须改变掩膜版的设计图案即可提高透过率的TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法。为实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。优选地，所述方法还包括在所述保护绝缘层上形成过孔和/或公共电极。优选地，所述形成第一薄层氮化硅时硅烷气体的流量小于所述形成第二层氮化硅时硅烷气体的流量。优选地，所述第一薄层氮化硅的厚度为10(Γ200埃，所述第二层氮化硅的厚度为2400 5800 埃。优选地，所述形成第一薄层氮化硅包括采用化学气相沉积方法在所述源漏电极之上形成第一薄层氮化硅，其中氨气流量为70(T800sccm，硅烷气体流量为4(T60sccm，腔室压强为140(Tl600Pa，电源功率为60(T800W，沉积时间为10 15s。优选地，所述第二层氮化硅包括第一分层氮化硅、第二分层氮化硅以及第三分层氮化硅，所述在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅，包括步骤A :在所述第一薄层氮化硅上形成第一分层氮化硅；步骤B :在所述第一分层氮化硅之上形成第二分层氮化硅；步骤C :在所述第二分层氮化硅之上形成第三分 层氮化硅；其中，所述步骤A中的腔室压强小于所述步骤B中的腔室压强，所述步骤B中的腔室压强小于所述步骤C的腔室压强，且执行所述步骤A的时间大于执行所述步骤B的时间，执行所述步骤B的时间大于执行所述步骤C的时间。优选地，所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述硅烷气体的流量相同，且所述步骤A、步骤B和步骤C中的所述氨气的流量相同。优选地，形成所述源漏电极前，还包括对所述像素电极执行退火操作。优选地，所述对所述像素电极执行退火操作包括将形成所述像素电极后的所述玻璃基板置于退火炉中，在氮气气氛中温度在200 250 °C范围内退火30 60mins。根据本专利技术实施例，通过在源漏电极上形成一层很薄的第一薄层氮化硅，然后再在该第一薄层氮化硅之上形成较厚的第二层氮化硅，从而提高了 ARRAY板的透过率。与现有技术中直接在源漏电极上形成一层较厚的保护绝缘层的方式相比，本专利技术实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不改变掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，图中相同的标记表示相同的部件，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主匕曰ο图I是本专利技术实施例提供的TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法的流程图；图2是本专利技术实施例一的TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法的流程图；图3-11是本专利技术实施例一的ARRAY板制备过程中的各个阶段的结构示意图；附图标记I玻璃基板，2栅极，3栅极绝缘层，4半导体岛状结构，5像素电极，6源漏电极，7第一薄层氮化硅，8第二层氮化硅，9沟道，10公共电极。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为不改变掩膜版设计图案即可提高TFT液晶显示器ARRAY板的透过率，本专利技术实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，如图I所示，为该制备方法的流程图，该方法包括以下步骤步骤SlOl :提供玻璃基板；通常，该玻璃基板需要具有高的透明度、较低的反射率、较好的热稳定性和抗腐蚀性、较高的机械强度和较好的机械加工特性，另外，玻璃基板需要具有良好的电绝缘性。本专利技术实施例中的玻璃基板优选为不含碱离子的硼硅酸盐玻璃、无碱硅酸铝玻璃 坐寸ο步骤S102 :在玻璃基板上形成栅极； 本专利技术实施例中在玻璃基板上形成栅极的过程可以采用本领域技术人员熟知的形成栅极的步骤，如先在玻璃基板上形成金属膜，然后对金属膜进行光刻和湿法刻蚀等操作最终在玻璃基板上形成栅极。在此不再对在玻璃基板上形成栅极的过程进行详述。另外，可以采用磁控溅射等成膜方法在玻璃基板上形成金属膜，金属膜的材料可以是铬、钽、铝、铜、钥等的一种或者其合金，或者是几种金属膜层的叠加，如钥钽(MoTa)、钥钨(MoW)、Mo、Mo-Al-Mo、Mo-AlNcU Mo-AlNd-Mo 等。当然，金属膜的材料也不限于此，本专利技术实施例中的栅极金属膜可以采用本领域技术人员熟知的具有相同作用的各类金属及其合金，在此不再赘述。步骤S103 :在栅极之上覆盖栅极绝缘层；具体地,可以采用化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition,CVD)或者等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)等在栅极之上形成栅极绝缘层。该栅极绝缘层可以覆盖栅极和整个玻璃基板。具体地,该栅极绝缘层可以仅有一层,如SiNx,也可以有多层,如SiNx、Si0x等,此处X的值可以依设计需求具体而定，例如X可以是2。本专利技术实施例中的栅极绝缘层可以依设计要求而具有多种结构，同时本领域技术人员也可以对这些结构进行变形。另外，本专利技术实施例中还可以在栅极绝缘层中位于栅极正上方的位置形成岛状半导体结构，该岛状半导体结构可以通过对栅极绝缘层进行光刻及干刻蚀形成。步骤S104 :在栅极绝缘层之上形成像素电极；具体地，可以采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其特征在于，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任思雨，胡君文，郝付泼，阮文中，洪胜宝，于春崎，谢凡，何基强，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：