SMD石英谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SMD石英谐振器，包括有基板，在基板的正面和背面分别设有用于贴装石英晶片的上凹槽、用于贴装热敏电阻的下凹槽，上、下凹槽互不相通，在上凹槽内设有连接晶片引脚的内电极，所述的内电极沿上凹槽对角线设置在上凹槽的两个对角处，在上凹槽的另外两个对角处各设有一个支撑部，在下凹槽内设有连接热敏电阻引脚的中电极，所述的下凹槽相对于上凹槽倾斜且下凹槽、中电极均是沿着上凹槽内的两个支撑部所处的对角线方向设置。本实用新型专利技术将下凹槽在其所处的平面上扭转了一定角度，并且下凹槽、下凹槽内的中电极是沿着上凹槽的两个支撑部所处的对角线方向设置，与上凹槽的内电极错开，防止产生干扰。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石英谐振器，尤其涉及一种SMD石英谐振器。技术背景SMD石英谐振器核心部位就是压电晶体元件(石英晶片)和温度敏感元件(热敏电阻)，而安装基座作为其中最为重要的组成件之一，它的设计制造就尤为重要。现有的SMD石英谐振器的基板内开有贴装石英晶片的上凹槽和贴装热敏电阻的下凹槽，通常在上凹槽的一侧设有用以与晶片引脚相连的内电极，在另一侧设有支撑部，在下凹槽的一侧设有用以与热敏电阻引脚电极相连的中电极，在使用中，发现谐振器工作不稳定，究其原因，是因为上、下凹槽是顺着同一方向设置的，因此石英晶片与热敏电阻相互间会产生共振及干扰。
技术实现思路
本技术针对上述现有技术中存在的不足，提供了一种可减少石英晶片与热敏电阻之间相互干扰的石英谐振器。本技术的技术方案是这样实现的SMD石英谐振器，包括有基板，在基板的正面设有用于贴装石英晶片的上凹槽，在基板的背面设有用于贴装热敏电阻的下凹槽，上凹槽与下凹槽互不相通，上凹槽与下凹槽的形状均为矩形，上凹槽所处的平面平行于下凹槽所处的平面，在上凹槽内设有连接晶片引脚的内电极，所述的内电极是由第一正电极、第一负电极组成，所述的第一正、负电极沿上凹槽对角线设置在上凹槽的两个对角处，在上凹槽的另外两个对角处各设有一个支撑部，在下凹槽内设有连接热敏电阻引脚的中电极，所述的中电极是由第二正电极、第二负电极组成，所述的下凹槽相对于上凹槽倾斜且下凹槽、第二正电极、第二负电极均是沿着上凹槽内的两个支撑部所处的对角线方向设置。采用了上述技术方案的本技术的有益效果是本技术的上、下凹槽分别开在基板的正面和背面，避免晶片与热敏电阻两者之间造成污染可能的发生；并且本技术将下凹槽在其所处的平面上扭转了一定角度，使下凹槽相对于上凹槽倾斜一定角度，并且下凹槽、下凹槽内的中电极是沿着上凹槽的两个支撑部所处的对角线方向设置，从而与上凹槽的内电极设置方向错开，防止产生共振及干扰，经实践验证，采用了本技术的结构，石英谐振器工作稳定性较以往有了提高。附图说明图I为本技术实施例中石英谐振器的内部结构示意图；图2为基座正面的结构不意图；图3为基座底部的透视图。具体实施方式本技术的具体实施方式如下实施例如图1、2、3所不,一种石央谐振器的基座，包括有基板I，在基板I的正面设有用于贴装石英晶片10的上凹槽6，在基板I的背面设有用于贴装热敏电阻11的下凹槽7，上凹槽6与下凹槽7互不相通，上凹槽6与下凹槽7的形状均为矩形，上凹槽6所处的平面平行于下凹槽7所处的平面。在上凹槽6内设有连接晶片引脚的内电极2，所述的内电极2是由第一正电极4、第一负电极5组成，所述的第一正、负电极4、5沿上凹槽6的一条对角线8设置在上凹槽6的两个对角处，在上凹槽6的另外两个对角处各设有一个支撑部9。在下凹槽7内设有连接热敏电阻引脚的中电极3，所述的中电极3是由第二正电极12、第二负电极13组成，所述的下凹槽7相对于上凹槽6倾斜且下凹槽7、第二正电极12、第二负电极13均是沿着上凹槽2内的两个支撑部9所处的另一对角线14方向设置。从而使得第二正电极12、第二负电极13不是顺着第一正电极4、第一负电极5的方向设置，而是错开来一定角度，防止干扰的产生。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.SMD石英谐振器，包括有基板，其特征是在基板的正面设有用于贴装石英晶片的上凹槽，在基板的背面设有用于贴装热敏电阻的下凹槽，上凹槽与下凹槽互不相通，上凹槽与下凹槽的形状均为矩形，上凹槽所处的平面平行于下凹槽所处的平面，在上凹槽内设有连接晶片引脚的内电极，所述的内电极是由第一正电极、第一负电极组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：辜达元，
申请(专利权)人：辜达元，
类型：实用新型
国别省市：