【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种静电吸盘，特别涉及一种边缘设有直流电极的静电吸盘。
技术介绍
现有技术中，如图I所示 在等离子蚀刻室的静电吸盘中放置平板电极1’，从而施加静电力以吸住晶片，该静电力基于电极和晶片的距离，并且总是均匀地穿过晶片。实验数据表明，静电吸盘的中心和边缘表面褪化程度不同，因此对氦气的冷却密封，能够保证氦气在晶片背面给晶片降温，从而保证静电吸盘经受不间断的生产循环。但是密封件的降解会导致高氦气泄漏率，所以氦气在静电吸盘边缘对晶片的冷却效率就降低，静电吸盘中心到边缘将会出现多种不同的温度，从而造成静电吸盘的失效。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种边缘设有直流电极的静电吸盘，能够保证静电吸盘的吸力不随晶片表面的变化而减弱，可补偿静电吸盘边缘对晶片的吸力的损耗，从而能够保证氦气不泄露，确保静电吸盘的有效性，增加静电吸盘的寿命。为了实现以上目的，本技术是通过以下技术方案实现的一种边缘设有直流电极的静电吸盘，在静电吸盘的中心设置有平板直流电极，包含环形直流电极，所述的环形直流电极设置在静电吸盘的边缘。所述的环形直流电极到晶片的距离小于平板直流电极到晶片的距离。所述的环形直流电极距离静电吸盘的上表面的距离小于1mm。所述的环形直流电极与平板直流电极电气相连。连接到所述环形直流电极和平板直流电极的电压不同。连接到所述环形直流电极的电压大于连接到平板直流电极的电压。本技术与现有技术相比，具有以下优点I、保证静电吸盘的吸力不随晶片表面的变化而减弱；2、补偿静电吸盘边缘对晶片的吸力的损耗，保证静电吸盘的有效性；3、增加静电吸盘的寿命。附图说明图I为现有技术的静电吸盘中心放置平...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种边缘设有直流电极的静电吸盘，在静电吸盘的中心设置有平板直流电极(1)，其特征在于，包含环形直流电极(2)，所述的环形直流电极(2)设置在静电吸盘的边缘。2.根据权利要求I所述的边缘设有直流电极的静电吸盘，其特征在于，所述的环形直流电极(2)到晶片的距离小于平板直流电极(I)到晶片的距离。3.根据权利要求2所述的边缘设有直流电极的静电吸盘，其特征在于，所述的环形直流电极(2)距离静电吸盘的上表...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄智林，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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