【技术实现步骤摘要】
本专利涉及光学、集成光电子学、纳米材料、纳米加工、纳米测量、仪器科学等多学科交叉的前沿研究领域，具体涉及一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺。
技术介绍
由于受到衍射效应的限制，光波导中传播的光波不能被限制在小于波长量级的横截面内，从而使得相邻光波导元件之间的最小间隙、光波导元件的最大弯曲角度和最大分布密度都受到了限制。1968年，前苏联物理学家Veselago首次提出了负折射率材料的概念；2001年，Shelby等研制出了负折射率材料，负折射率材料的真实性逐步得到了确认，这为突破光学衍射极限提供了可能。但是把超材料应用到可见光波段，它们要比可见光的波长更小，如果用浸在介质中有限宽度的金属薄膜窄带制成等离子体激元波导，使光沿波导传播，这样金属薄膜就可起到超材料的作用。Bozhevolnyi等对纳米线等离子体光波导进行了研究；2009年，美国University of California, Berkeley的张翔研究组在《Nature》杂志上报道了他们最新研究成果一纳米线等离子体激光器，在减小激光器物理尺寸的同时，减小了光学模态尺寸，从而突破了衍射极限。
技术实现思路
研制具有表面等离子体增强效果的分光比为50 50的光耦合器，该光耦合器的波导层由半导体薄膜和金属颗粒共同组成，通过优化波导层结构和几何尺寸，使得光耦合器产生表面等离子体效应。具体如下一种基于表面等离子体的光耦合器的波导层制备方法，包括如下步骤首先在Si基底上通过射频磁控溅射工艺沉积ZnO薄膜，其后通过气相沉积工艺对薄膜在大气气氛下进行热处理，保温后，再通过直流磁控溅射工艺沉积Ag颗...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于表面等离子体的波导光稱合器的波导层制备方法，其特征在于，包括如下步骤首先在硅(Si)基底(I)上通过射频磁控溅射エ艺沉积金属氧化物薄膜(2)，其后通过气相沉积エ艺对薄膜在大气气氛下进行热处理，保温后，再通过直流磁控溅射エ艺沉积金属银(Ag)颗粒(3)。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在干由溅射时间来控制Ag颗粒(3)的形貌和厚度。3.根据权利要求I或2所述的方法，其特征在于所述基底为Si基底。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨树明，韩枫，李磊，张坤，胡庆杰，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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