降低漏电流的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金氧半场效应管的漏极通过第一电阻与供电端相连；所述第二金氧半场效应管的漏极通过第二电阻与供电端相连；所述第一金氧半场效应管的漏极还与后端电路的开关控制端相连。本实用新型专利技术可以大幅降低待机电流和该电路上的工作电流。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种电路结构，特别是涉及ー种可以降低漏电流的电路。
技术介绍
漏电流是指半导体的PN结在截止时流过的很微小的电流，即指没信号状态或待机状态下的电流。漏电流的大小直接决定了该产品的待机时间，当漏电流越大，产品的待机时间越短，当漏电流越小，产品的待机时间越长。因此需要设计ー种电路来降低漏电流，从而能够延长产品的待机时间。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种降低漏电流的电路，可以降低待机电流。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管，所述第一金氧半场效应管的栅极与第二金氧半场效应管的漏极相连；所述第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管的源极均接地；所述第一金氧半场效应管的漏极通过第一电阻与供电端相连；所述第二金氧半场效应管的漏极通过第二电阻与供电端相连；所述第一金氧半场效应管的漏极还与后端电路的开关控制端相连。所述的第一金氧半场效应管和第二金氧半场效应管均为N沟道的金氧半场效应管。所述第一电阻的阻值为O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。所述第二电阻的阻值为O. 95ΜΩ-1. 05ΜΩ。 有益效果由于采用了上述的技术方案，本技术与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果本技术通过场效应管的输入阻抗和关断阻抗都很大的特性，同时选用比较大的外部电阻，在供电电压不变的情况下，使得2个场效应管上的关断电流和导通电流都显著減少，从而达到大幅降低待机电流和该电路上的工作电流。附图说明图I是本技术的电路图。具体实施方式下面结合具体实施例，进ー步阐述本技术。应理解，这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解，在阅读了本技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。本技术的实施方式涉及ー种降低漏电流的电路，如图I所示，包括第一金氧半场效应管Ul和第二金氧半场效应管U2，所述第一金氧半场效应管Ul的栅极与第二场金氧半效应管U2的漏极相连；所述第一金氧半场效应管Ul和第二金氧半场效应管U2的源极均接地；所述第一金氧半场效应管Ul的漏极通过第一电阻Rl与供电端相连；所述第二金氧半场效应管U2的漏极通过第二电阻R2与供电端相连；所述第一金氧半场效应管Ul的漏极还与后端电路的开关控制端相连。图I中的第一金氧半场效应管Ul和第二金氧半场效应管U2均为N沟道的金氧半场效应管。第一电阻Rl的阻值范围在O. 95ΜΩ-1.05ΜΩ ;第ニ电阻R2的阻值范围在O. 95ΜΩ-1.05ΜΩ。本技术通过选用金氧半场效应管开关管器件以及合适的外部电阻，可以将待机电流降低至20uA左右(具体数值和选用的器件有关)，也可以大幅减低该电路上的工作电流。由于N沟道的金氧半场效应管的输入阻抗和关断阻抗都很大，利用这个特性，可以选用比较大的外部电阻，在电压供电不变的情况下，在两个金氧半场效应管上的关断电流和导通电流都显著減少，从而达到大幅降低待机电流和该电路上的工作电流。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低漏电流的电路，包括第一金氧半场效应管(UI)和第二金氧半场效应管(U2)，其特征在于，所述第一金氧半场效应管(Ul)的栅极与第二金氧半场效应管(U2)的漏极相连；所述第一金氧半场效应管(Ul)和第二金氧半场效应管(U2)的源极均接地；所述第一金氧半场效应管(Ul)的漏极通过第一电阻(Rl)与供电端相连；所述第二金氧半场效应管(U2)的漏极通过第二电阻(R2)与供电端相连；所述第一金氧半场效应管(U...

【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜，谢小毛，
申请(专利权)人：上海博泰悦臻电子设备制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：