【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种屏蔽环，尤其涉及ー种应用在多电极电容传感器中的缝隙屏蔽环。
技术介绍
目前同轴结构的多电极电容传感器在应用中，各个电极的引线采用的是单芯不屏蔽的导线，随着电极数量増加，电极间的缝隙总宽度也要増加，这样单芯导线会感应到更多的泄露电场，而导致电容测量不准，使精确度减低。
技术实现思路
本技术针对现有技术中存在的多电极电容传感器中电场泄露，影响电容测量精确度的问题，提供ー种缝隙屏蔽环，可以有效解决多电极电容传感器在应用中遇到的电场泄露问题。为实现上述目的，本技术所采用的技术方案为一种应用在多电极电容传感器中的缝隙屏蔽环，所述屏蔽环由一端封闭的金属环构成，屏蔽环设置在相邻两段电极的交界处的缝隙处。所述屏蔽环轴向宽度不小于相邻两电极交界处缝隙的宽度。作为本技术的一种优选方式，所述屏蔽环安装在内电极内側。作为本技术的一种优选方式，所述屏蔽环安装在内电极外側。本技术在相邻两段电极的交界处的缝隙处安装有屏蔽环，可以有效解决多电极电容传感器在应用中遇到的电场泄露问题，不会增加额外的电容。本技术结构简単，使用方便。附图说明图I本使用新型实施例I的结构示意图；图2本使用新型实施例2的结构示意图。具体实施方式实施例I如图I所示，一种应用在多电极电容传感器中的缝隙屏蔽环，屏蔽环3由一端封闭的金属环构成，屏蔽环3设置在相邻两段内电极1-1、内电极1-2的交界处的缝隙处，内电极分别有单芯导线2连接，屏蔽环3安装在内电极内側，屏蔽环3轴向宽度不小于相邻两内电极交界处缝隙的宽度。实施例2如图2所示，一种应用在多电极电容传感器中的缝隙屏蔽环，屏蔽环3由一端封闭的金属环构成，屏蔽环...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用在多电极电容传感器中的缝隙屏蔽环，其特征在于所述屏蔽环由一端封闭的金属环构成，屏蔽环设置在相邻两段电极的交界处的缝隙处。2.根据权利要求I所述的缝隙屏蔽环，其特征在于所述屏蔽环...
【专利技术属性】
技术研发人员：易劲，陈国强，
申请(专利权)人：河南长润仪表有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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