本发明专利技术提供一种防止切割带的松弛导致的芯片的品质降低等的工件分割装置及工件分割方法。在将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的工件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片的工件分割装置中，具备：工件，其由具有预定分离线的半导体晶片构成；选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述工件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却；工件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述工件及所述芯片粘接膜分割；选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述工件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及エ件分割装置及エ件分割方法，尤其涉及对于经由切割带安装在环状的框架并切割、分组加工成各芯片的半导体晶片，在切割加工后使切割带扩展而分割成各个芯片的エ件分割装置及エ件分割方法。
技术介绍
目前，在制造半导体芯片时，在例如将半导体晶片经由带有被称为DAF(DieAttach Film芯片粘接膜)的芯片接合用膜状粘接剂的切割带(粘结带、粘结片)而铺设在框架上的エ件中，通过扩张(扩展)切割带而将半导体晶片及DAF分割成各个芯片，其中所述半导体晶片预先通过激光照射等而在其内部形成有预定分离线。在图28中示出エ件。图28(a)为立体图，图28(b)为剖视图。如图所示，半导体晶片W在背面经由DAF(D)粘贴有在单面上形成有粘结层的厚度IOOym左右的切割带S。并且，切割带S安装在具有刚性的环状的框架F上，在エ件分割装置中，半导体晶片W载置在工作台上，通过将切割带S扩展而单片化(分割)成各芯片T。在此，DAF在室温附近时粘性高，为了如上述那样使带有DAF的带扩张而将半导体晶片单片化成芯片，必须在冷却DAF而使其脆性化的状态下使带扩张。作为具有代表性的冷却方法公知有低温工作盘方式和气氛冷却方式。另ー方面，为了进行扩张带而将芯片单片化后的エ序中的处理，必须将扩张后的松弛的带再度张紧。作为具有代表性的张紧方法，包括将带扩张用环与框架铆接(かしめる)的方式和利用暖风加热器等加热带的方式。其中，使用暖风加热器的方法虽然运转成本低，但由于暖风具有扩散的特性，因此将带搭载到冷却、扩张的単元上进行冷却、扩张及加热、张紧难以在ー个单元中进行。例如，作为エ件分割装置提出有如下エ件分割装置(例如，參照专利文献I等)，该エ件分割装置具有分割机构，其保持经由切割带将预先形成有预定分割线的エ件支承的状态下的框架即带エ件的框架的框架，使框架与エ件在与エ件的面正交的方向上分离而扩张切割帯，由此将エ件沿着预定分割线分割；加热机构，其通过加热而除去因扩张产生的切割带的松弛；清洗机构，其在使带エ件的框架旋转的同时对エ件供给清洗液从而清洗エ件；对エ件的切割带照射紫外线的机构。先行技术文献专利文献专利文献I日本特开2010-206136号公报然而，在上述专利文献I中记载的装置中，由于冷却、扩张单元和热收缩单元为分开的单元，因此在带松弛的状态下在所述单元间输送エ件。在带松弛这样的状态下进行的输送存在以下情況，即，由于带形状垂下很多而不稳定，因此在带上单片化后的芯片的上表面彼此相互接触或受到过度的弯曲应力。因此，存在导致芯片的破损、品质下降和材料利用率降低的问题。此外，在使松弛的带张紧时，在利用整面加热器等使气氛过热的情况下，先冷却而脆化的带也被加热，导致其具有过度的粘性。即，此后，在将芯片从切割带剥离吋，由于具有过度的粘结カ的DAF的影响，无法将芯片从切割带完好地剥离。因情况的不同，还可能存在DAF彼此粘在一起而导致芯片间的分离性变差的情況
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述这样的问题而作出的，其目的在于提供一种エ件分割装置及エ件分割方法，通过利用同一单元来实施工件的冷却、扩张及基于热收缩等的扩张状态的保持而避免单元间的エ件输送，防止因切割带的松弛导致的芯片相互的接触引起的品质下降等，并且防止通过加热DAF而使其过度地与切割带粘结。为了实现所述目的，本专利技术的エ件分割装置将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其中，具备エ件，其由具有预定分离线的半导体晶片构成；选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却；エ件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割；选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展弓I起的松弛。根据本专利技术，由于具备选择性地对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却机构和选择性地对切割带的贴附有エ件的区域以外的部分进行加热的选择性加热机构，因此能够在同一单元内实施工件的冷却、扩张和扩展状态的保持，无需在单元间进行エ件输送，能够防止切割带的因松弛导致的芯片的品质下降等。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性冷却机构是与经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却的冷却机构。根据该结构，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性冷却机构是冷冻吸盘。根据该结构，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，所述エ件分割机构是将冷却后的所述エ件的外周部从所述切割带的外周支承部相对地推起而扩展的顶起用环。根据该结构，能够由简单的机构一次性地将エ件分割。此外，作为ー实施方式，优选，还具备晶片罩，其具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域，配置成能够升降，并且在下降时覆盖所述エ件，所述选择性加热机构在该晶片罩的周围配置成能够升降。根据该结构，即使使顶起用环下降，也能够维持芯片间隔，并通过晶片罩对半导体晶片的区域隔断选择性加热机构的热，防止芯片粘接膜熔化，且能够防止芯片间的间隙消失。此外，作为ー实施方式，优选，所述エ件分割机构是将冷却后的所述エ件的外周部从所述切割带的外周支承部相对地推起而进行扩展的顶起用环，在所述晶片罩下降而覆盖所述エ件吋，该晶片罩的侧部的前端面与所述扩展了的顶起用环的前端面对合而将所述エ件密闭在所述晶片罩内部。由此，能够完全对半导体晶片的区域隔断热。优选，所述选择性加热机构配置成能够以一定的周期在覆盖所述エ件的晶片罩的周围旋转。由此，能够对切割带均等地加热而能够防止在切割带的张紧状态中产生差异。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性加热机构是通过光的辐射选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分加热的光加热机构。根据该结构，能够选择性地对切割带的因扩展而松弛的部分进行加热。此外，为了实现所述目的，本专利技术的エ件分割方法将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其特征在于，具有选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却エ序；在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割的エ件分割エ序；选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛的选择性加热エ序。根据本专利技术，能够选择性地对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却，并选择性地对在经由芯片粘接膜贴附有エ件的区域以外的部分产生的松弛进行加热，通过在同一単元内实施工件的冷却、扩张及热收缩，从而无需进行单元间的エ件输送，能够防止切割带的松她引起的芯片的品质下降等。此外，作为ー实施方式，优选，在所述选择性冷却エ序中，使冷却机构与经由所述芯片粘接膜而贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却。根据该方式，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，在所述エ件分割エ序中，利用顶起用环将冷却后的所述エ件的外周部从本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.02.16 JP 2011-031291;2011.12.26 JP 2011-282761.一种エ件分割装置，将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其特征在于，具备 由具有预定分离线的半导体晶片构成的エ件； 选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却； エ件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割； 选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛。2.根据权利要求I所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性冷却机构是与经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却的冷却机构。3.根据权利要求2所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性冷却机构是冷冻吸盘。4.根据权利要求I至3中任一项所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述エ件分割机构是从所述切割带的外周支承部相对地推起冷却后的所述エ件的外周部而进行扩展的顶起用环。5.根据权利要求I至3中任一项所述的エ件分割装置，其特征在干， 还具备晶片罩，其具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域，配置成能够升降，并且在下降时覆盖所述エ件， 所述选择性加热机构在该晶片罩的周围配置成能够升降。6.根据权利要求5所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述エ件分割机构是从所述切割带的外周支承部相对地推起冷却后的所述エ件的外周部而进行扩展的顶起用环， 在所述晶片罩下降而覆盖所述エ件吋，该晶片罩的侧部的前端面与进行着扩展的所述顶起用环的前端面对合而将所述エ件密闭在所述晶片罩的内部。7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水翼，藤田隆，小岛恒郎，
申请(专利权)人：株式会社东京精密，
类型：发明
国别省市：
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