一种N沟道MOS管的降压电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种N沟道MOS管的降压电路，包括MOS管、二极管、电感、电解电容及电容；特点是电解电容与电容并联，电解电容的正端分别接二极管的阴极、输入端正及输出端正，电解电容的负端分别接电感的一端及输出端负，电感的另一端分别接二极管的阳极及MOS管的漏极，MOS管的源极接输入端负，MOS管的栅极接驱动信号PWM输入。其优点为：一方面由于N沟道MOS管的源极和栅极都位于低电位侧，可以直接驱动，不需要驱动隔离电路，减少了驱动波形的失真，提高驱动的可靠性；另一方面电路简单，不需要增加元件，降低电路的成本；最后由于该降压电路输出高电位测和输入高电位测是等电位连接，从而减少电路的干扰。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种N沟道MOS管的降压电路，属于开关电源

技术介绍
目前，在各种开关电源中，对于非隔离性的降压电路通常采用导通电阻小、价格便宜的N沟道MOS管作为开关，如图I所示，但由于N沟道MOS管的栅极和源极都位于高电位侧，驱动信号不能直接驱动MOS管，这样使驱动电路变得复杂，同时也增加电路的成本。针对上述问题，现有的技术主要有如下几种方法，ー是采用自举驱动方式，ニ是采用光耦隔离驱动方式，三是采用变压器隔离驱动方式，四是采用新型隔离驱动模块。这几种方法都存在一定的缺陷，自举驱动方式当输入电压较高时不易处理，由于增加电荷泵电路使电路复杂；光耦隔离驱动方式由于次级需要隔离电源使电路复杂，并且受光耦速度的影响电路工作频率不能太高；变压器隔离驱动方式由于变压器只能传递交流信号，输出的正负脉冲幅值随占空比而变，只适用占空比在O. 5左右的情況，并且驱动波形前后沿不理想；采用新型隔离驱动模块效果最好但成本会增加很多。
技术实现思路
本技术的目的在于为了解决上述问题，提供了ー种N沟道MOS管的降压电路，它具有电路简单可靠、N沟道MOS管可以直接驱动、干扰小、成本低等特点。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案是ー种N沟道MOS管的降压电路，包括MOS管、ニ极管、电感、电解电容及电容；其特征在于所述电解电容与电容并联，电解电容的正端分别接ニ极管的阴极、输入端正及输出端正，电解电容的负端分别接电感的一端及输出端负，所述电感的另一端分别接ニ极管的阳极及MOS管的漏极，所述MOS管的源极接输入端负，MOS管的栅极接驱动信号PWM输入。所述的MOS管为N沟道MOS管。所述驱动信号PWM输入直接由驱动芯片或驱动电路产生。本技术采用的技术方案与现有技术相比的优点为一方面由于N沟道MOS管的源极和栅极都位于低电位侧，可以直接驱动，不需要驱动隔离电路，減少了驱动波形的失真，提高驱动的可靠性；另一方面电路简单，不需要増加元件，降低电路的成本；最后由于该降压电路输出高电位测和输入高电位测是等电位连接，从而减少电路的干扰。附图说明图I为现有技术的电路原理图；图2为本技术具体实施例的电路原理图。具体实施方式下面将结合附图和实施例对本技术做进ー步的详述如图2所示，ー种N沟道MOS管的降压电路，包括MOS管Ql、ニ极管Dl、电感LI、电解电容Cl及电容C2 ;本技术特点是所述电解电容Cl与电容C2并联，电解电容Cl的正端分别接ニ极管Dl的阴极、输入端正及输出端正，电解电容Cl的负端分别接电感LI的一端及输出端负，所述电感LI的另一端分别接ニ极管Dl的阳极及MOS管Ql的漏极，所述MOS管Ql的源极接输入端负，MOS管Ql的栅极接驱动信号PWM输入。在本实施例中，ニ极管Dl起续流作用，电解电容Cl起储能作用，电容C2起滤波作用。在本实施例中，所述的MOS管Ql为N沟道MOS管。所述驱动信号PWM输入直接由驱动芯片或驱动电路产生。 工作原理如图2所示，N沟道的MOS管Ql的源极和栅极都位于低电位侧，MOS管Ql的源极接输入端负即输入电压地，MOS管Ql的栅极和源极有共同參考地，从而MOS管Ql可以直接被驱动，驱动信号的PWM输入直接由驱动芯片或驱动电路产生。当驱动信号的PWM输入为高电平吋，MOS管Ql导通，ニ极管Dl截止，电路形成了输入端正一电解电容Cl、电容C2 —输出端正一输出端负一电感LI — MOS管Ql —输入端负的回路，输入电压对电容Cl充电，对负载供电，电感LI储能。当驱动信号的PWM输入为低电平吋，MOS管Ql截止，ニ极管Dl导通，电路形成了电感LI —续流ニ极管Dl —电解电容Cl、电容C2 —输出端正一输出端负一电感LI的回路，电感LI和电解电容Cl同时对负载放电，来維持负载两端电压不变，输出稳定的电压，实现电压的降压变换。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施例，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的范围内，根据本技术的技术方案及其构思加以等同替换或改变，都属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N沟道MOS管的降压电路，包括MOS管(Ql)、二极管(DI)、电感(LI)、电解电容(Cl)及电容(C2);其特征在于所述电解电容(Cl)与电容(C2)并联，电解电容(Cl)的正端分别接二极管(Dl)的阴极、输入端正及输出端正，电解电容(Cl)的负端分别接电感(LI)的一端及输出端负，所述电感(LI)的另一端分别接二极管(D...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢飞，桂芳，邓榆林，
申请(专利权)人：顺德职业技术学院，
类型：实用新型
国别省市：