一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板包括：基板、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源漏电极、钝化层和像素电极；其中，被绝缘介质隔开的两层导电结构通过连接部连接，连接部和绝缘介质下面的导电结构是通过半色调或灰色调一次构图工艺形成的。采用本发明专利技术能够简化阵列基板的制备工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体エ业中的微细加工
，尤其涉及。
技术介绍
以薄膜晶体管为控制元件、液晶为介质的集大規模半导体集成电路和平板光源技术于一体的光电子产品-薄膜晶体管液晶显示器以其功耗低、携帯方便、使用范围广、品质高等优点成为新一代的主流显示器。薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上受材料、器件结构以 及エ艺过程的影响。在薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制备过程中，一方面需要将显示像素区域与外围驱动电路进行连接；另ー方面需要在显示器件中进行静电防治、激光修补等设计；这两方面都需要导电层间的互连。本文中，导电层指阵列基板中的栅电极金属层、数据线金属层和透明导电层，通过刻蚀这些导电层可以得到相应的导电结构，如栅线引线、栅电极金属层测试线、源漏电极、数据线引线、数据线金属层测试线、像素电极等。在制备阵列基板吋，上下两层导电结构被绝缘介质隔开，因此需要对绝缘介质打孔，并在打孔处覆盖上层的导电结构以使上下两层导电结构连接。如图I所示，现有技术以以下方式实现导电层间的互连对位于栅电极金属层上方的绝缘介质(包括栅绝缘层7和钝化层10)和位于数据线金属层上方的绝缘介质(指钝化层10)进行刻蚀，分别得到栅电极金属层上方的接触孔和数据线金属层上方的接触孔，然后在这些接触孔上覆盖ー层透明导电层11使像素电极11’和源漏电极9’相连。这里需要说明ー下，图I中虚线右边所示的区域为阵列基板的周边区域，与虚线左边所示的像素区域并不是通过剖切同一个平面得到的；但是这里为了说明通过刻蚀同一层能同时得到两个区域相应层的图形，所以将两者画在一起。如果附图标记6”与9”分别表示周边区域中的栅电极金属层测试线和数据线金属层测试线，则栅电极金属层测试线6”和数据线金属层测试线9”通过透明导电层11导通。如果附图标记6”与9”分别表示周边区域中的栅线引线和数据线引线，则栅线引线6”和透明导电层11相连，数据线引线9”和透明导电层11相连，但栅线引线6”数据线引线9”不导通，即两者上方的透明导电层11不相连。由于栅电极金属层上方的接触孔和数据线金属层上方的接触孔是在同一次构图エ艺中刻蚀得到的，而栅电极金属层和数据线金属层上方介质的膜质和膜厚都不一样，所以这种构图エ艺复杂，刻蚀的深度也不易控制，一方面容易造成过刻或没刻透的情況；另ー方面容易在钝化层10和栅绝缘层7、钝化层10和数据线金属层之间形成倒角，当透明导电层11覆盖在两个不同深度的接触孔上时容易出现跨断情况，如图2所示；而且，利用该构图エ艺在介质上刻蚀出接触孔时会对介质表面造成损害；因此，利用该构图エ艺得到的接触孔导电性能不稳定，会直接对显示器的显示性能产生不良影响
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供，能够简化阵列基板的制备エ艺。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的—种阵列基板，包括基板、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源漏电极、钝化层和像素电扱；其中，被绝缘介质隔开的两层导电结构通过连接部连接，连接部和绝缘介质下面的导电结构是通过半色调或灰色调一次构图エ艺形成的。其中，所述两层导电结构分别为源漏电极和像素电极；所述源漏电极具有连接部。其中，所述阵列基板还具有周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的栅电极金属层测试线和透明导电层，所述栅电极金属测试线具有连接部。 其中，所述阵列基板还具有周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的数据线金属层测试线和透明导电层，所述数据线金属层测试线具有连接部。其中，所述阵列基板还具有周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的栅线引线和透明导电层，所述栅线引线具有连接部。其中，所述阵列基板还具有周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的数据线引线和透明导电层，所述数据线引线具有连接部。其中，所述连接部为凸起，所述凸起的表面与凸起周边的绝缘介质的表面齐平。一种阵列基板的制备方法，制备出基板、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源漏电极、钝化层和像素电极；所述方法还包括通过半色调或灰色调一次构图エ艺形成连接部和绝缘介质下面的导电结构，被所述绝缘介质隔开的两层导电结构通过连接部连接。其中，所述两层导电结构分别为源漏电极和像素电极；所述源漏电极具有连接部。其中，所述方法还包括制备出所述阵列基板的周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的栅电极金属层测试线和透明导电层，所述栅电极金属测试线具有连接部。其中，所述方法还包括制备出所述阵列基板的周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的数据线金属层测试线和透明导电层，所述数据线金属层测试线具有连接部。其中，所述方法还包括制备出所述阵列基板的周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的栅线引线和透明导电层，所述栅线引线具有连接部。其中，所述方法还包括制备出所述阵列基板的周边区域，所述两层导电结构分别为所述周边区域中的数据线引线和透明导电层，所述数据线引线具有连接部。其中，所述连接部为凸起，所述凸起的表面与凸起周边的绝缘介质的表面齐平。由以上技术方案可以看出，本专利技术阵列基板中连接部和绝缘介质下面的导电结构是通过半色调或灰色调一次构图エ艺形成的，因此无需再进行一次构图エ艺以单独制备接触孔，简化了制备エ艺，从而缩短了生产周期并节省了刻蚀接触孔所需的掩模板。并且，阵列基板中被绝缘介质隔开的两层导电结构通过连接部连接，因此使下方的导电结构和绝缘介质之间不会出现倒角，也就使上方的导电结构覆盖在下方的导电结构和绝缘介质上时不会出现跨断情況，从而确保成膜质量，保证连接部可靠稳定的导电性能。附图说明图I为现有技术中阵列基板的结构示意图，其中的接触孔由对介质进行刻蚀得到；图2为现有技术中钝化层和栅绝缘层、钝化层和数据线金属层之间形成倒角，透明导电层出现跨断情况的示意图；图3为现有技术中利用半色调掩模板或灰色调掩模板进行曝光显影后的光刻胶的结构不意图；图4为图3中的膜层经过第一次刻蚀后的形貌图；图5为图4中的光刻胶经过灰化后的形貌图；图6为图5中的膜层经过第二次刻蚀后的形貌图； 图7为剥离光刻胶后的图6中膜层的最终形貌图；图8为本专利技术实施例的阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例的沉积栅电极金属层后的基板的结构示意图；图10为本专利技术实施例的在对栅电极金属层进行构图エ艺过程中，利用半色调掩模板或灰色调掩模板进行曝光显影后的基板与光刻胶的形貌示意图；图11为本专利技术实施例的对栅电极金属层进行构图エ艺后得到的栅电极与栅电极金属层测试线的结构示意图；图12为本专利技术实施例的沉积栅绝缘层后的基板的结构示意图；图13为本专利技术实施例的经过构图エ艺得到硅岛后的基板的结构示意图；图14为本专利技术实施例的沉积数据线金属层后的基板的结构示意图；图15为本专利技术实施例的在对数据线金属层进行构图エ艺过程中，利用半色调掩模板或灰色调掩模板进行曝光显影后的基板与光刻胶的形貌示意图；图16为本专利技术实施例的对数据线金属层进行构图エ艺后得到的源漏电极与数据线金属层测试线的结构示意图；图17为本专利技术实施例的沉积钝化层后的基板的结构示意图；图18为本专利技术实施例的沉积透明导电层后的基板的结构示意图。具体实施例方式本领域技术人员都知道，在薄膜晶体管液晶显示器的制备过程中，需要按照产品设计要求对膜层进行构图エ艺来得到需要的膜层形貌。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李坤，玄明花，高永益，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：