本发明专利技术涉及一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为对以多个同极性串联发光二极管构成的发光二极管组两端，并联共享的限电压元件，以及在每个发光二极管的两端个别并联均压电阻，以对发光二极管作过电压保护；在来自电源的涌浪电压出现时，通过共享限压元件以吸收的，以防止个别发光二极管瞬间过电压及过电流而损毁。
【技术实现步骤摘要】
共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置
本专利技术涉及一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置。
技术介绍
传统发光二极管通常通过在每个发光二极管两端并联限电压元件，如齐纳二极管(zenerdiode)构成发光元件单元，而在发光二极管端电压异常升高时由齐纳二极管吸收异常的电压，以上述发光二极管与齐纳二极管并联的发光元件单元作多组串联（含串并联）构成发光元件组时，常因发光二极管或齐纳二极管特性不同而无法平均分布电压，以致在异常的高电压来临时，承受端电压较高的发光二极管通过的电流加大而被烧毁。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置。为达到上述目的，本专利技术提供一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管两端并联均压电阻以构成发光元件单元所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括以发光元件单元作多组同极性串联或串并联而构成发光元件组所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组发光元件单元呈逆极性串联所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；通过两个上述发光元件单元作逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组；通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括在呈逆极性串联的两发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；通过两个上述发光元件单元作逆极性串联；以及在上述呈逆极性串联的发光元件单元两端，分别呈逆极性并联二极管106。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组，呈同极性串联后的两端，分别呈逆极性并联二极管所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管两端；通过两个以上发光二极管101呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件105，及在每个发光二极管101两端并联均压电阻107以构成发光元件单元；通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组；通过两组以上上述发光元件组呈逆极性串联；以及在上述呈逆极性串联的不同极性侧所属的发光元件组中，呈同极性串联或串并联的多组发光元件组两端，分别呈逆极性并联二极管106。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两个以上发光二极管并联限电压元件，及进一步并联均压电阻所构成的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成的发光元件组所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端；通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单元；以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组以上发光元件组呈逆极性串联所构成，其主要构成含：──发光二极管101：其由发光二极管所构成；──限电压元件105：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻107：其由电阻性元件所构成，供并联于每一个发光二极管的两端；通过以发光二极管并联限电压元件，以及进一步并联均压电阻，而构成发光元件单元；以及通过两组以上的发光元件单元作同极性串联或串并联，而构成发光元件组；以及通过两组以上的发光元件组作逆极性串联。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的发光二极管101除由一个发光二极管101所构成外，进一步包括由两个以上发光二极管串联或并联或串并联构成共构发光二极管单元以取代单一发光二极管101。作为优选方案，其中所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置的限电压保护元件由以下一种以上元件，以一个以上呈同极性串联或并联或串并联所构成，包括：──齐纳二极管；──变阻体；──具顺向电压降的二极管；──反极性呈顺向电压降的齐纳二极管。本专利技术所提供的共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，为对以多个同极性串联发光二极管构成的发光二极管组两端，并联共享的限电压元件，以及在每个发光二极管的两端个别并联均压电阻，以对发光二极管作过电压保护；在来自电源的涌浪电压出现时，通过共享限压元件以吸收的，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.02.11 US 13/025,284;2011.02.11 US 13/025,3201.一种共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置为在两个以上呈同极性串联的发光二极管组两端，并联一个共享限电压元件，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻以构成发光元件单元所构成，其主要构成含：──发光二极管(101)：其由发光二极管所构成；──限电压元件(105)：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻(107)：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管(101)两端；通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元。2.如权利要求1所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括以发光元件单元作多组同极性串联或串并联而构成发光元件组所构成，其主要构成含：──发光二极管(101)：其由发光二极管所构成；──限电压元件(105)：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻(107)：其由电阻性元件所构成供并联于每个发光二极管(101)两端；通过两个以上发光二极管(101)呈同极性串联后的两端，并联一个共享限电压元件(105)，及在每个发光二极管(101)两端并联均压电阻(107)以构成发光元件单元；通过多组上述发光元件单元作同极性串联或串并联而构成发光元件组。3.如权利要求1所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置，其特征在于，所述共享限电压元件个别均压电阻的发光二极管装置包括由两组发光元件单元呈逆极性串联所构成，其主要构成含：──发光二极管(101)：其由发光二极管所构成；──限电压元件(105)：其由具有过电压时其阻抗迅速下降的半导体元件：齐纳二极管或变阻体所构成；──均压电阻(107)：其由电阻性...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨泰和，
申请(专利权)人：杨泰和，
类型：发明
国别省市：
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