本发明专利技术揭露了发光装置，以及相关组件、工艺、系统及方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光装置，以及相关组件、工艺、系统及方法。
技术介绍
较之白炽光源和/或荧光源，发光二极管(LED)通常以更高效的方式提供光照。与 LED相关的相对高的能效驱使人们在各种照明应用中使用LED来代替现有光源。例如，有时将LED用作交通灯，以及用来照亮移动电话键盘及显示屏。LED通常由多层构成，这些层中至少有一些是由不同材料构成的。选作这些层的材料及厚度通常决定了该LED所发光的波长。此外，为了相对有效地转换为光能，可对这些层的化学组合物做出选择以试图阻止注入电荷载流子进入某些区域(通常称为量子阱)。一般，生长有量子阱的结的一侧上的层掺杂有形成高电子浓度的施主原子(通常称这些层为η型层)，并且相对侧上的层掺杂有形成相对高的空穴浓度的受主原子(通常称这些层为P 型层)。制备LED的常见方法例如下。以晶片(wafer)的形式制备这些材料层。一般，通过使用外延沉积技术而形成这些层，例如金属有机物化学气相沉积(MOCVD)，初始沉积层形成于生长基底上。然后对这些层进行多种蚀刻及金属化技术以形成用于电流注入的接触部， 随后将该晶片分成单个的LED芯片(chip)。通常对所述LED芯片进行封装。使用时，通常将电能注入LED，然后被转换为电磁辐射(光)，从该LED提取部分的所述电磁辐射。
技术实现思路
本专利技术涉及发光装置，以及相关组件、系统及方法。在一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置包括基底、半导体层及量子阱包含区域的多层堆叠。所述方法亦包括蚀刻所述量子阱包含区域的至少一部分以设置已蚀刻多层堆叠，所述多层堆叠包括多个由所述基底支撑的台面。所述方法还包括将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座以及移除所述基底。在另一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置支撑多个台面的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域。该方法亦包括对至少一些所述台面的取向(orientation)进行映射(mapping)以提供已映射的取向。所述方法还包括根据所述已映射的取向对至少一个所述台面的表面刻图以及从至少一个所述台面形成至少一个发光 装直。在再一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置支撑多个台面的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域。所述方法亦包括平整所述多个台面中的至少一些台面以使所述已平整台面基本具有平的表面以及从至少一个所述台面形成至少一个发光装置。在又一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置支撑多个台面的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域。所述方法亦包括在所述多个台面中的至少一些台面上沉积阻挡材料以及处理所述阻挡材料以形成平的表面。所述方法还包括对至少一个所述台面的表面刻图及从至少一个所述台面形成发光装置。在一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置支撑多个台面的晶片形式的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域及阻挡层。所述阻挡层在整个所述晶圆的所述表面基本为平的。所述方法亦包括对至少一个所述台面的表面刻图及从至少一个所述台面形成发光装置。在另一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置通过半导体层及多个台面连接至基底的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域。所述方法亦包括以台面接台面的基础至少部分地分解所述半导体层的一些部分。在再一个方面，本专利技术的特征在于一种制造发光装置的方法。所述方法包括设置包括多个由基底支撑的台面的已蚀刻多层堆叠。至少一些所述台面包括半导体层及量子阱包含区域。所述方法亦包括将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座、移除所述基底，以及从至少一个所述台面形成至少一个发光装置。在又一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括平整所述多个台面中的至少一些台面以使所述已平整台面具有基本平的表面。所述多个台面中的至少一些台面包括由子基座支撑的量子阱包含区域。所述方法亦包括从至少一个所述台面形成至少一个发光装置。在一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置包括基底的第一物件，所述基底支撑多个台面；以及从所述第一物件形成第二物件，其中所述第二物件包括支撑所述多个台面中的至少一些台面的子基座。在另一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置包括基底及半导体层的多层堆叠。所述方法亦包括蚀刻至少一部分的所述多层堆叠以设置包括多个气体积聚区的已蚀刻多层堆叠，以及将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座。本方法还包括将所述半导体层曝露于电磁辐射以部分地分解所述半导体层。将所述半导体层曝露于电磁辐射生成气体且所述气体积聚于所述气体积聚区中。在再一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置包括基底、半导体层及结合层的多层堆叠。所述方法亦包括蚀刻至少一部分的所述结合层以设置已蚀刻多层堆叠以及将所述已蚀刻多层堆叠结合至子基座。在还有一个方面，本专利技术的特征在于一种方法，所述方法包括设置支撑多个台面的子基座。至少一些所述台面包括量子阱包含区域。所述方法亦包括对多个所述台面分组以形成裸芯(die)以及在所述裸芯中的所述多个台面之间的区域中沉积材料。所述方法还包括对至少一个台面的表面刻图及从所述裸芯中的台面形成至少一个发光装置。在一个方面，本专利技术的特征在于一种将多层堆叠结合至子基座的方法。所述方法包括设置包括基底、半导体层、及结合层的多层堆叠。所述方法亦包括确定所述多层堆叠中存在的非平面性的量、确定将所述非平面性减少至预定水平所需的蚀刻量以及根据所述已确定的蚀刻量蚀刻所述多层堆叠。说明书、附图及权利要求书中记载了本专利技术的特征及优点。附图说明图I为发光系统的不意图2A-2D为光显系统的示意图3为光显系统的不意图4A为LED的俯视图的不意图4B为光显系统的不意图5为光显系统的不意图6为光显系统的不意图7为光显系统的不意图8A及8B为光显系统的不意图9为光显系统的不意图10为光显系统的不意图11为光显系统的不意图12为具有已刻图表面的LED的剖视图13为图2的LED的已刻图表面的俯视图14为作为具已刻图表面的LED的提取效率与失谐参数的关系的曲线图15为LED的已刻图表面的傅立叶变换的示意图16为具已刻图表面的LED的提取效率与最近邻距离的关系的曲线图17为具已刻图表面的LED的提取效率与填充因子的关系的曲线图18为LED的已刻图表面的俯视图19为具有不同表面图形的LED的提取效率的曲线图20为具有不同表面图形的LED的提取效率的曲线图21为具有不同表面图形的LED的提取效率的曲线图22为具有不同表面图形的LED的提取效率的曲线图23为两个具有不同已刻图表面的LED的傅立叶转换与这些LED的辐射发射谱相比较的示意图24为具不同表面图形的LED的提取效率与角度的关系的曲线图25为具有已刻图表面以及已刻图表面上的磷层的LED的侧视图26为多层堆叠的剖视图27为多层堆叠的剖视图28为多层堆叠的剖视图29为多层堆叠的剖视图30为基底移除工艺的侧视图31为多层堆叠的局部剖视图32为多层堆叠的局部剖视图33为多层堆叠的局部剖视图34为多层堆叠的局部剖视图35为多层堆叠的局部剖视图36为多层堆叠的局部剖视图37为多层堆叠的局部剖视图38为多层堆叠的局部剖视图39为多层堆叠的局部剖视图40为多层堆叠的局部剖视图41为多层堆叠的局部剖视图42为多层堆叠本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚历克斯易·A·尔恰克，迈克尔·利姆，斯科特·W·邓肯，约翰·W·格拉夫，米兰·S·明斯克，马特·韦格，
申请(专利权)人：发光装置公司，
类型：发明
国别省市：
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