【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器材料,尤其是一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料。
技术介绍
目前广泛生产使用的超稳定型高压陶瓷电容器材料中,不能满足在振荡回路里补偿正温度系数的要求。且同时一般配方的超稳定型陶瓷电容器材料的介电常数较小,不能满足电子线路小型化的需求,且损耗值过大。
技术实现思路
本专利技术提供了一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料。技术方案如下一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料,主要原料SrTiO3、MgTiO3、CaZrO3、MnCO3、 Bi2O3 等;主要特征温度特性为X7R(即-55°C -+125°C )容量变化率为士 15%、介电常数为1800、介质损耗为0. 03、耐压强度为彡8Kv/mm。具体实施例方式一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料;主要原料SrTi03、MgTi03、CaZrO3>MnCO3> Bi2O3 等;主要特征温度特性为X7R(即-55°C -+125°C )容量变化率为士 15%、介电常数为1800、介质损耗为0. 03、耐压强度为彡8Kv/mm。权利要求1. 一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料,其特征在于以温度特性为 X7R(即-55°C _+125°C )容量变化率为士 15%、介电常数为1800、介质损耗为0. 03、耐压强度为 8Kv/mm。全文摘要一种温度特性为X7R的瓷介电容器材料,主要原料SrTiO3、MgTiO3、CaZrO3、MnCO3、Bi2O3等,主要特征温度特性为X7R(即-55℃-+125℃)容量变化率为±15%、介电常数为1800、介质损耗为0.03、耐压强度为≥8Kv ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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