蚀刻液组成物制造技术

本发明专利技术提供了一种由铟系金属膜、铝系金属膜及钛系或钼系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物。本发明专利技术的蚀刻液组成物，其特征在于，对于组成物的总重量，包含：铁化合物的重量占0.1％～10％、硝酸的重量占0.1％～10％、含氟化合物的重量占0.01％～5％和其余的水的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种能够对由铟系金属膜、铝系金属膜、及钛系或钼系金属膜组成的三重膜进行蚀刻的蚀刻液组成物，该铟系金属膜、铝系金属膜、及钛系或钼系金属膜用作半导体装置及扁平面板表示装置特别是用作TFT或OLED等的栅极、源极/漏极阵列配线。
技术介绍
在扁平面板表示装置中，在印刷电路板上形成金属配线的过程通常由通过溅射形成金属膜的工序、在金属膜上涂覆光致抗蚀剂，并使该光致抗蚀剂曝光及显影，以在挑选的范围内形成光致抗蚀剂的工序及对金属膜进行蚀刻的工序构成。另外，还含有个别的单位工序进行前或进行后进行的洗净工序等。这种蚀刻工序指的是将光致抗蚀剂作为掩膜使用，以在挑选的范围内留下金属膜的工序。对于蚀刻工序而言，通常使用的是运用等离子等的干蚀刻，或是运用蚀刻液的湿蚀刻。一方面，在扁平面板表示装置中，作为像素电极，主要使用由铟系金属膜所组成的透明传导膜。另外，作为源/漏电极，主要使用铝系金属膜，也就是Al-La-X (从X = Mg、Zn、 In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、佝、Si、Mo、Pt 及 C 中选择的金属)形态的铝镧系合金膜。另外，在源/漏电极的下部，为了粘接源/漏电极与绝缘膜，作为缓冲膜，主要使用含钛或钼的金属膜。为了对这种扁平面板表示装置的像素电极、源/漏电极及缓冲膜进行蚀刻，一直以来，每个电极都必须使用不同的蚀刻液组成物。例如，在专利文献1中，公开了含有磷酸、 硝酸、水溶性有机酸、蚀刻活性剂、蚀刻调节剂及水的蚀刻液组成物。但是，所述组成物虽然对由铝、镍及添加金属所组成的单一膜有效果，但是在多重膜上并不能发挥其蚀刻特性。因此，需要开发一种能够对扁平面板表示装置的像素电极、源/漏电极及缓冲膜一并进行蚀刻的新的蚀刻液组成物。现有技术文献专利文献专利文献1 韩国专利公开第10-2006-0104926号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种能够对在半导体装置及扁平面板表示装置上作为配线使用的含铟金属膜、含铝金属膜、尤其是铝镧镍合金膜及含钛或钼金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻的蚀刻液组成物。本专利技术的另一目的在于提供一种能够简化蚀刻工序、提高生产效率、且具有很好蚀刻特性的蚀刻液组成物。本专利技术的再一目的在于提供一种无需昂贵的装备、有利于大面积蚀刻、非常经济的蚀刻液组成物。解决课题的方法为了实现上述目的，本专利技术提供一种由铟系金属膜、铝系金属膜及钛系或钼系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物，其特征在于，对于该组成物的总重量，包含铁化合物的重量占0. 10%、硝酸的重量占0. 10%、含氟化合物的重量占0.01% 5% 其余的水的部分。优选地，本专利技术提供一种由铟系金属膜、铝系金属膜及钛系或钼系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物，其特征在于，对于该组成物的总重量，包含铁化合物的重量占 7 %、硝酸的重量占2 0Z0 7 %、含氟化合物的重量占0. 2%和其余的水的部分。另外，本专利技术提供一种在上述组成物中还含有重量占0. 5%的磷酸盐化合物的三重膜的蚀刻液组成物。专利技术的效果由于本专利技术的蚀刻液组成物能够对由含铟金属膜、含铝合金膜及含钛或钼金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻，因此，能够简化蚀刻工序，且能够提高生产效率。另外，本专利技术中的蚀刻液组成物，其蚀刻速度快，且不会对下部膜及装备造成损伤，能够进行均勻的蚀刻，因此，具有很好的蚀刻特性。此外，本专利技术中的蚀刻液组成物，不需要昂贵的装备，有利于大面积蚀刻，非常经济。具体实施例方式以下就本专利技术进行详细的说明。本专利技术的蚀刻液组成物，含有铁化合物、硝酸、含氟化合物及水。在本专利技术中，铁化合物起对铝系金属膜及钛系或钼系金属膜的表面进行氧化的作用。对于组成物的总重量，所述铁化合物的含有量，优选地，占重量的0. 1 % 10% ；更优选地，占重量的1% 7%。若未达到上述范围，则含铝金属膜的蚀刻速度会下降，因此产生残渣。另外，蚀刻特性不均勻会导致印刷电路板内产生斑点。若超过上述范围，则蚀刻速度过快可能会导致含铝金属膜和含钛或钼金属膜消失。对于所述铁化合物并不做特别限定，例如，可以将i^eCl3、Fe (NO3) 3> Fe2(SO4)3^ NH4Fe (SO4)2, Fe (ClO4) 3、FePO4, Fe (NH4) 3 (C2O4) 3等铁化合物分别单独使用，或将其中的2种以上铁化合物组合使用。在本专利技术中，硝酸起对铝系金属膜和钛系或钼系金属膜的表面进行氧化的作用。对于组成物的总重量，所述硝酸的含有量，优选地，占重量的0. 10%;更优选地，占重量的2% 7%。若未达到上述范围，则铝系金属膜和钛系或钼系金属膜的蚀刻速度会下降。另外，由于诱发印刷电路板的蚀刻速度差异，使在钛系或钼系金属膜上发生出现残渣(tailing)现象的蚀刻，所以可能会产生斑点。若超过上述范围，则由于产生I3R裂纹而导致药液浸透，可能会发生铝系金属膜和钛系或钼系金属膜短路的现象。进一步地，由于过分蚀刻，铝系金属膜和钛系或钼系金属膜也可能会消失，或者可能会丧失作为金属配线的功能。在本专利技术中，含氟化合物主要起对氧化的铟系金属膜、氧化的铝系金属膜及下部的钛系或钼系金属膜进行蚀刻的作用。对于组成物的总重量，所述含氟化合物的含有量，优选地，占重量的0. 01% 5%; 更优选地，占重量的0. 2%。若含有量未达到上述范围，则铝系金属膜的蚀刻速度很慢，在印刷电路板内会诱发不均勻的蚀刻特性。若含有量超过上述范围，则铝系金属膜可能会由于过快的蚀刻速度而消失，作为下部膜的钛系或钼系金属膜也可能会损伤。对于所述含氟化合物并不作特别限定，优选的是能够分解成氟离子或多原子氟离子的化合物。例如，所述含氟化合物可以使用氟化氨、氟化纳、氟化钾、重氟化氨、重氟化纳、 及重氟化钾等。这些既可以单独使用，也可以2种以上混合使用。在本专利技术中，水指的是去离子水。对于所述水而言，使用半导体工序用水，优选的是使用18MQ/cm以上的水。对于组成物的总重量，所述水包含使本专利技术中的蚀刻液组成物的总重量到达100%的其余的部分。本专利技术中的蚀刻液组成物，除所述必须成分外，还可以含有磷酸盐化合物。本专利技术中的组成物含有磷酸盐化合物的情形下，还适合于对下部膜为钼系金属膜的三重膜一并进行蚀刻。在本专利技术中，磷酸盐化合物的作用是形成良好的圆锥断面，调节铝系金属膜及钼系金属膜的蚀刻速度。对于组成物的总重量，所述磷酸盐化合物，优选地，占重量的0. 1 % 5% ；更优选地，占重量的0. 2%。若满足上述范围，则容易调节铝系金属膜及钼系金属膜的蚀刻速度，能够实现均勻的蚀刻特性。虽然优选的是，所述磷酸盐化合物为由从在磷酸中用碱金属或碱土金属置换了 1个 3个氢原子的盐所组成的群中选择的1种或2种以上的磷酸盐化合物，但是并不限于此。具体地，对于所述磷酸盐化合物而言，可以从磷酸二氢钠(sodium dihydrogen phosphate)、磷酸二氢钾(potassium dihydrogen phosphate)及其组合所组成的群中选择。另外，本专利技术中的蚀刻液组成物，除前述的成分以外，还可以含有蚀刻调节剂、界面活性剂、金属离子封锁剂、防腐剂等中的1种或2种以上的其他添加剂。一方面，在本专利技术中，铟系金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎蕙驘，刘仁浩，权五柄，李喻珍，
申请(专利权)人：东友FINECHEM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：