接地屏蔽电容器制造技术

在一个实施例中，一种装置包括耦合到第一金属层的第一参考电压和耦合到第二金属层的第二参考电压。多个指状物中的第一指状物类型在第一区域耦合到第一金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。多个指状物中的第二指状物类型在第一区域耦合到第二金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。另外，第一指状物类型和第二指状物类型交替定位于彼此旁边。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
具体实施例一般地涉及接地屏蔽电容器。
技术介绍
除非这里另有明示，在这一部分中描述的方式并非由于包含于这一部分中而为对于本申请中的权利要求的现有技术、也不因此而承认为现有技术。对于无源部件(比如电感器或者变压器)，在集成电路(IC)芯片中的无源部件之下的区域经常保留未使用。这避免无源部件之下的电路上的无源部件的影响和无源部件上的电路的影响。影响包括电耦合(电容性的)和磁耦合(涡流)。接地屏蔽可以放置于无源部件之下以终结电耦合产生的电场。此外，可以通过使用接地屏蔽来提高无源部件的性能。例如接地屏蔽可以增加电感器的质量因子⑴)。也可以减少在无源部件与无源部件之下的衬底或者另一结构之间的电耦合。然而有可能的是接地屏蔽不会阻碍涡流，因此即使当使用接地屏蔽时，在无源部件之下经常未放置电路。在无源部件之下没有任何东西可能引起芯片制造问题。例如对于芯片制造而言更好的是将每个金属层的密度维持于上限与下限之间。用高层金属制作的无源部件和在高层金属层之下没有任何东西违反更低层金属的密度规则。存在将金属填充物放置于无源部件周围的变通方法。然而填充物占用附加区域。在无源部件之下的金属层上使用接地屏蔽将满足金属密度规则而无金属填充物的防护环。图1示出了用于集成电路(IC)芯片的具有常规接地屏蔽104的变压器102的例子。虽然示出了变压器102，但是可以使用另一无源部件。变压器102在这一例子中包括初级线圈和次级线圈这两个线圈。接地屏蔽104处于变压器102之下并且包括多个指状物106。指状物106在它们之间包括间隙，该间隙不允许环形电流在接地屏蔽104周围流动，这避免涡流的不利影响。每个指状物106耦合到接触件108。这将指状物耦合到接地110。指状物106也全部耦合到相同金属层。除了接地屏蔽104之外，芯片可以包括去耦合电容器。在一些射频电路中，从电源拉取高频电流。键合线电感在高频充当大的电抗。因而在芯片上需要通向接地的交变电流 (AC)低阻抗路径。通常使用在电源与接地之间的大的去耦合电容器。这些去耦合电容器在芯片上需要大量区域。可以使用的去耦合电容器的一个例子为金属氧化物金属(MOM)电容器。图2示出了常规MOM电容器200的例子。MOM电容器200包括多个金属线202。奇数金属线20 可以在底部连接到第一连接，该第一连接可以连接到接地204。偶数金属线202b可以在顶部连接到第二连接，该第二连接可以连接到电源206。奇数金属线20 和偶数金属线202b在 MOM电容器200中交替。然后形成在偶数金属线202b与奇数金属线20 之间的电容。常规地，接地屏蔽104和MOS电容器200是在芯片的不同区域中的单独结构。具有单独结构可能低效率使用芯片上的区域。
技术实现思路
在一个实施例中，一种装置包括耦合到第一金属层的第一参考电压和耦合到第二金属层的第二参考电压。多个指状物中的第一指状物类型在第一区域耦合到第一金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。多个指状物中的第二指状物类型在第一区域耦合到第二金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。另外，第一指状物类型和第二指状物类型交替定位于彼此旁边。在一个实施例中，第一指状物类型在第一区域耦合到第三金属层而在第二区域耦合到第三金属层和第四金属层。第二指状物类型在第一区域耦合到第四金属层而在第二区域耦合到第三金属层和第四金属层。在一个实施例中，第一指状物类型在第一区域在第一金属层耦合到第三指状物类型。第二指状物类型在第一区域在第二金属层耦合到第三指状物类型。在一个实施例中，一种系统包括无源设备，其中在无源设备之下包括该装置。在一个实施例中，一种方法包括在第一区域在第一金属层上将第一参考电压耦合到多个指状物中的第一指状物类型而在第二区域将第一参考电压耦合到第一金属层和第二金属层。该方法也包括在第一区域在第二金属层上将第二参考电压耦合到多个指状物中的第二指状物类型而在第二区域将第二参考电压耦合到第一金属层和第二金属层。第一指状物类型和第二指状物类型交替定位于彼此旁边。在一个实施例中，该方法包括在第一金属层上经过第三指状物类型耦合第一参考电压而在第二金属层上经过第三指状物类型耦合第二参考电压。第一指状物类型在第三指状物类型处耦合到第一金属层，而第二指状物类型在第三指状物类型处耦合到第二金属层。以下具体实施方式和附图提供对本专利技术的性质和优点的更详细理解。 附图说明图1示出了用于集成电路(IC)芯片的具有常规接地屏蔽的变压器的例子。图2示出了常规MOM电容器的例子。图3示出了根据一个实施例的接地屏蔽电容器的例子。图4示出了根据一个实施例的图3中所示区域的放大版本。图5示出了根据一个实施例的金属层1、2、3和4的侧视图的例子。图6示出了根据一个实施例的交变电流(AC)耦合接地屏蔽的例子。图7示出了 AC耦合接地屏蔽和调谐接地屏蔽电容器可以使用于其中的电路图的例子。图8示出了根据一个实施例的用于提供接地屏蔽电容器的方法的流程图。具体实施例方式这里描述用于接地屏蔽电容器的技术。在下文描述中，出于说明的目的，阐述诸多例子和具体细节以便提供对本专利技术实施例的透彻理解。如权利要求限定的具体实施例可以单独地或者与下文描述的其它特征组合地包括这些例子中的一些或者所有特征并且还可以包括这里描述的特征和概念的修改和等效物。图3示出了根据一个实施例的接地屏蔽电容器300的例子。接地屏蔽电容器300 提供形状为接地屏蔽的电容器并且提供接地屏蔽和AC去耦合电容器两者提供的特征。接地屏蔽电容器300可以放置于无源部件(比如IC芯片中的变压器、电感器或者平衡-不平衡转换器(balim))的区域之下。接地屏蔽电容器300包括将接地屏蔽电容器300耦合到第一参考电压(比如电源电压)的电源连接302。接地连接304将接地屏蔽电容器300耦合到第二参考电压(比如接地)。在一个实施例中，电源连接302在与接地连接304不同的金属层上。例如电源连接 302在金属层1和3上而接地连接304在金属层2和4上。接地屏蔽电容器300包括多个指状物306。指状物306可以是芯片中的导电金属线。指状物306在径向结构中布置于接地屏蔽电容器300周围。例如指状物306从一点向外延伸并且以圆形方式布置。可以使用不同径向结构，在这些结构中，指状物306布置于接地屏蔽电容器300周围。虽然描述了径向结构，但是可以使用其它非径向结构。指状物306可以包括初级指状物306a和次级指状物306b。虽然描述初级指状物 306a和次级指状物306b，但是可以使用其它布置。初级指状物306a可以提供用于次级指状物306b的连接点。在一个实施例中，第一次级指状物306b可以视为第一指状物类型，第二次级指状物306b可以视为第二指状物类型，而初级指状物306a可以视为第三指状物类型。初级指状物306b可以在交替的金属层上输送电源和接地，即初级指状物306a的金属层1和3耦合到电源连接302而初级指状物306a的金属层2和4耦合到接地连接304。某些次级指状物306b除了在连接到初级指状物306a的内边缘处之外，经过通孔 (未示出)一起连接到金属层(比如金属层1、2、3和4)。虽然提到金属层1-4，但是可以使用其它金属层。如下文将更具体描述的那样，交本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·辛诺夫，W·A·洛伊布，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：