引线框架制造技术

技术编号:7545013 阅读:206 留言:0更新日期:2012-07-13 13:13
本实用新型专利技术公开了引线框架,特别是涉及引线框架的连接结构。本实用新型专利技术的引线框架,其特征在于,所述框架从上至下间隔排列有24排芯片引线架,每排有168粒芯片引线架,每粒芯片引线架可供放置一个半导体芯片,每排上的168粒芯片引线架间隔位于框架的同一水平线上,本实用新型专利技术的引线框架增大了产品的密度,进而提高生产效率,降低了生产成本。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及引线框架,尤其涉及M排引线框架。
技术介绍
引线框架作为集成电路和芯片引线架的芯片载体,是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。目前的引线框架产品,如市场上的6排/720粒每一条,该引线框架有6排,每排上有120粒芯片,该引线框架长度为179. 6mm,宽度为31. 5mm,这种产品密度低,导致生产效率低,生产成本高,另外,目前低利用率的产品,其所耗用的资源也浪费很大。随着市场用量的增长,目前的设备和产品的设计生产力已经不能满足市场需要,需要提高产品的有效利用率,随着生产成本和劳力成本的提高,面临着价格压力,需要通过技术改良以降低生产成本。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于为了解决现有引线框架密度低,导致生产效率低,生产成本高的问题,提供密度大、成本低的M排引线框架。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为该引线框架,所述框架从上至下间隔排列有M排芯片引线架,每排有168粒芯片引线架,每排上的168粒芯片引线架间隔位于框架的同一水平线上。作为优选方案,所述框架长度为252士0. 05mm,宽度为73士0. 04mm。本技术中的引线框架由传统的6排/720粒每一条,提高到M排/4032粒每一条,这样,增大了产品的密度,进而提高生产效率,降低了生产成本。附图说明本技术将通过例子并参照附图的方式说明,其中图1是传统的6排引线框架示意性结构图图2是本技术引线框架的示意性结构图。图3是本技术引线框架的实施例1示意性局部放大图。图4是本技术引线框架的实施例2示意性局部放大图。具体实施方式如图1所示,本实施例的引线框架,包括主管1、分水咀2、法兰盘3、安装孔4。以下结合附图对本技术的实施例作进一步详细描述。实施例1如图2和3所示,本实施例的引线框架,所述框架从上至下间隔排列有M排芯片引线架,每排有168粒芯片引线架,每排上的168粒芯片引线架间隔位于框架的同一水平线上,所述芯片引线架为两个引脚,该引线框架适用于S0D923系列二极管。根据本技术的实施例,所述框架长度为252士0. 05mm,宽度为73士0. 04mm。实施例2如图4所示,本实施例的引线框架与实施例1的技术特征一致,其区别特征在于, 所述芯片引线架为三个引脚。该引线框架适用于S0T923系列三极管。综上所述,由于采用了上述技术方案,与现有技术相比本技术的有益效果是 由传统的6排/720粒每一条,提高到M排/4032粒每一条,较大幅度地增加了框架排列密度,提高设备效率,降低成本,提高资源利用率,经实际测试,前段提高50%的设备效率、成型提高4. 5倍的效率,框架成本降低30%、化合物成本降低30%,框架利用率提高40%、化合物用量降低35%)。本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种引线框架,其特征在于,所述框架从上至下间隔排列有M排芯片引线架,每排有168粒芯片引线架,每排上的168粒芯片引线架间隔位于框架的同一水平线上。2.根据权利要求1所述的一种引线框架,其特征在于,所述框架长度为252士0.05mm,宽度为 73 士0. 04mm。专利摘要本技术公开了引线框架,特别是涉及引线框架的连接结构。本技术的引线框架,其特征在于,所述框架从上至下间隔排列有24排芯片引线架,每排有168粒芯片引线架,每粒芯片引线架可供放置一个半导体芯片,每排上的168粒芯片引线架间隔位于框架的同一水平线上,本技术的引线框架增大了产品的密度,进而提高生产效率,降低了生产成本。文档编号H01L23/495GK202332835SQ20112043627公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月7日 优先权日2011年11月7日专利技术者岡本好布, 罗天秀 申请人:成都先进功率半导体股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀岡本好布
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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