本发明专利技术涉及分割线中的材料结构和分离芯片的方法。公开了一种用于制造芯片的方法。该方法包括在晶片上与芯片相邻的切口中形成材料结构。该方法进一步包括选择性地移除切口中的材料结构并且对晶片进行划片。公开了一种半导体晶片。该半导体晶片包括多个芯片和多个切口。切口使芯片彼此分离。至少一个切口包括切口框。切口框被布置为与至少一个芯片的边直接相邻。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及半导体器件且涉及半导体器件的制造，并且更具体地涉及切口框 (kerf framing)以及切口框的制造。
技术介绍
数十或数百种集成电路典型地在单个半导体晶片上制造。半导体晶片包括芯片或管芯，集成电路位于所述芯片或管芯中；以及切口或分割线，其分离各个芯片。各个芯片通过沿切口锯切晶片进行划片。随后典型地分离地或者在多芯片模块中封装各个芯片。
技术实现思路
在一个实施例中，公开了一种用于制造芯片的方法。该方法包括在晶片上与芯片相邻的切口中形成材料结构。该方法进一步包括选择性地移除切口中的材料结构并且对晶片进行划片。在一个实施例中，公开了一种半导体晶片。该半导体晶片包括多个芯片和多个切口。切口使芯片彼此分离。至少一个切口包括切口框。切口框被布置为与至少一个芯片的边直接相邻。附图说明为了更完整地理解本专利技术以及其优点，现在参照结合附图进行的下面描述，在附图中图1示出了两个芯片之间的传统切口； 图2示出了当刀片正在分离芯片时的传统切口； 图3示出了具有切口框的实施例的晶片； 图4示出了两个芯片之间的切口的实施例； 图如示出了切口框的实施例； 图恥示出了切口框的实施例；图6示出了两个芯片之间的切口的实施例，其中将掩模放置在两个芯片上； 图7示出了移除切口框之后的切口的实施例； 图8示出了移除掩模之后的切口的实施例；以及图9示出了沿切口的实施例的锯切道(sawing street)。具体实施例方式下文详细地讨论目前优选的实施例的实现和使用。然而，应认识到，本专利技术提供了可以在各种各样的具体背景下实施的许多可应用的专利技术概念。所讨论的具体实施例仅说明了用于实现和使用本专利技术的具体方式而非限制本专利技术的范围。将在具体背景即半导体晶片下关于优选的实施例描述本专利技术。图1示出了两个芯片110、120之间的切口 100的传统布置。每个芯片110、120包括内部区域111、121和外围区域112、122。内部区域111、121可以包括集成电路或者诸如功率晶体管的单个器件。例如，集成电路可以是诸如微控制器的逻辑器件或者诸如DRAM或非易失性存储器的存储器器件。内部区域111、121可以包括一个或若干个金属化层。外围区域112、122可以包括围绕芯片110、120的止裂阻挡物(crack stop barrier)或者密封环113、123。止裂阻挡物或密封环113、123可以防止断裂传播到芯片110、120的内部区域 111、121中。芯片110、120可以通过二氧化硅或者钝化材料进行封装。切口 100是芯片110、120之间的区域。通过沿切口 100切割晶片来使芯片110、 120单体化(singulate)。切口 100的宽度105可以例如是锯切刀片130的宽度107的约2 倍。晶片上的切口 100可以在χ方向上比在y方向上宽。当测试器件或测试结构140位于切口 100中时，切口 100可以是较宽的。例如，测试结构140可以是工艺控制监控器(pcm) 测试结构和/或可靠性控制监控器(rem)测试结构。pem/rem结构可以包括金属和硅部件。 在晶片被完全处理之后，通过沿切口切割晶片来对芯片110、120进行划片。锯切刀片130 沿切口 100移动，从而切割晶片并且分离芯片110、120。在刀片130沿切口移动的同时，可能出现破碎(chipping)并且可能创建断裂。断裂可能朝向芯片110、120传播。密封环或止裂阻挡物113、123被假设用于防止断裂150传播到芯片110、120的内部区域111、121中。 然而，密封环113、123可能不阻挡所有断裂150。例如，断裂150可以通过绕过密封环113、 123而伸展到内部区域111、121中。断裂150可以通过传播到其中不存在密封环保护的衬底160中而传播到芯片110、120的内部区域111、121中。沿切口 100切割晶片可能产生断裂和破碎。切割pcm和/或rem测试结构可能产生断裂或破碎。断裂150也可能因破碎而产生。图3示出了晶片300的一部分。晶片300的该部分包括多个芯片310和多个切口 320。切口 320使芯片310彼此分离。在一个实施例中，材料结构或切口框330可以沿每个芯片310的短边314和/或沿每个芯片310的长边313布置。材料结构330可以被布置为在切口 320中与芯片310的长边313或短边314相邻。材料结构330可以被布置为紧接pcm和/或rem测试结构并且可以邻接pcm和/或rem测试结构。材料结构330可以邻接芯片310的长边313或短边314。材料结构330可以被形成为与芯片310的长边313或短边314直接相邻或者与其直接接触。材料结构330可以在切口 320中形成框。材料结构 330可以包括切口密封。在一个实施例中，材料结构330可以沿整个切口 320布置。材料结构330可以在 χ方向上沿整个切口 320布置和/或在y方向上沿整个切口 320布置。芯片310可以典型地包括围绕芯片310的外围区域113、123的密封环113、123。密封环113、123可以防止断裂150传播到芯片310的内部区域111、121中。切口 320中的切口框330可以镜像芯片310中的密封环113、123的结构。切口框330可以包括与芯片310 内部的密封环113、123相同的材料或不同的材料。在一个实施例中，切口框可以在制造芯片310的金属化层的同时制造。切口框可以包括与芯片的金属化层和密封环相同的层堆叠(stack),但是金属宽度可以变化。在一个实施例中，切口框的宽度可以与密封环113、123的宽度一样小或者比其更小，以便节约芯片面积。这种方法的一个优点可以在于用于对芯片内部的金属化层图案化的光掩模组仅可以改变一次，以便限定其中可以制造切口框的区域。可能不存在用于制造切口框的额外制造成本。图4示出了第一芯片311和第二芯片316之间的切口 320的实施例。切口 320可以包括测试结构340。例如，测试结构340可以是布置在切口 320的中间的pcm或rem测试结构。切口 320进一步包括材料结构330。在一个实施例中，材料结构330可以沿pem/rem 测试结构340或者直接紧接pem/rem测试结构340或与其相邻布置。在一个实施例中，切口框330被布置在切口 320的外围区域307中。切口 320可以包括紧接第一芯片311的外部312并且紧接第二芯片316的外部317的切口框330。切口框330可以被布置为直接紧接芯片311、316的外部312、317或者与其直接相邻。芯片 311,316的外部312、317可以是二氧化硅或者诸如氮化硅的钝化材料。外部312、317可以是与切口框330的框材料不同的材料。切口框330的框材料可以包括传导材料，诸如例如铝(Al)、铜(Cu)或钨(W)的金属或者多晶硅。材料结构330的框材料可以是与芯片110、 120的外围区域112、122中的密封环113、123相同的材料。图fe示出了切口 320中的材料结构330的实施例的横截面视图。材料结构330 可以通过沉积若干材料层331-341而制成。每个材料层331-341可以包括隔离材料和框材料。隔离材料可以是例如二氧化硅或者低k电介质。框材料可以是传导材料本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：T菲舍尔，H奥波尔卡，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。