一种高封装效率的半导体元件，包括封装外壳、半导体核心和引线框架，所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心电连接，所述半导体核心设置有硅通孔，所述硅通孔内部设置有将半导体核心的背面电极引线至正面的金属线。所述半导体核心的正面设置有绝缘层，所述绝缘层与正面电极对应部分设置有通孔，所述通孔内设置有沉积金属层。所述金属线设置有保护层。本实用新型专利技术在半导体核心设置硅通孔，半导体核心的正面的电极形成金属凸点，从而形成功率半导体，致使半导体核心与封装体的面积比接近1，大大提高了芯片面积与封装面积的比值，有助于提高电子产品的便携性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种高封装效率的半导体元件。
技术介绍
随着目前手机和其他掌上设备的流行，便携式消费电子产品也越来越向小型化发展，传统的功率半导体的封装形式越来越不能满足便携式消费电子产品的小型化发展要求。例如半导体封装技术中，传统的T0-252封装其芯片与封装体的面积比为1 :2，封装效率比较低，芯片与封装体的面积比值远远小于1 :1，致使封装体占据了过多的PCB有效面积， 从而会影响电子产品的最终外形尺寸。
技术实现思路
本技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种高封装效率的半导体元件。本技术的目的通过以下技术措施实现。一种高封装效率的半导体元件，包括封装外壳、半导体核心和引线框架，所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心电连接，所述半导体核心设置有硅通孔，所述硅通孔内部设置有将半导体核心的背面电极引线至正面的金属线。所述半导体核心的正面设置有绝缘层，所述绝缘层与正面电极对应部分设置有通孔，所述通孔内设置有沉积金属层。所述金属线设置有保护层。所述硅通孔的内壁设置有绝缘层。所述半导体核心的侧部和底部设置有钝化层。本技术在半导体核心设置硅通孔，半导体核心的正面的电极形成金属凸点， 从而形成功率半导体，致使半导体核心与封装体的面积比接近1，大大提高了芯片面积与封装面积的比值，有助于提高电子产品的便携性。附图说明利用附图对本技术做进一步说明，但附图中的内容不构成对本技术的任何限制。图1是本技术的一个实施例的结构示意图。图2是图1的右视图。图3是图1的仰视图。图4是图1的C-C剖面图。附图标记封装外壳1，引脚2。具体实施方式结合以下实施例对本技术作进一步说明。实施例1本实施例的高封装效率的半导体元件如图1-4所示，包括封装外壳、半导体核心和引线框架，所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心电连接，所述半导体核心设置有硅通孔，所述硅通孔内部设置有将半导体核心的背面电极引线至正面的金属线。实施例2本实施例参照图1-4，在实施例1的基础上，所述半导体核心的正面设置有绝缘层，所述绝缘层与正面电极对应部分设置有通孔，所述通孔内设置有沉积金属层。所述金属线设置有保护层。所述硅通孔的内壁设置有绝缘层。所述半导体核心的侧部和底部设置有钝化层。最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本技术的技术方案而非对本技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术技术方案的实质和范围。权利要求1.一种高封装效率的半导体元件，其特征在于包括封装外壳、半导体核心和引线框架，所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心电连接，所述半导体核心设置有硅通孔，所述硅通孔内部设置有将半导体核心的背面电极引线至正面的金属线。2.根据权利要求1所述的高封装效率的半导体元件，其特征在于所述半导体核心的正面设置有绝缘层，所述绝缘层与正面电极对应部分设置有通孔，所述通孔内设置有沉积 ^riM O3.根据权利要求1所述的高封装效率的半导体元件，其特征在于所述金属线设置有保护层。4.根据权利要求1所述的高封装效率的半导体元件，其特征在于所述硅通孔的内壁设置有绝缘层。5.根据权利要求1所述的高封装效率的半导体元件，其特征在于所述半导体核心的侧部和底部设置有钝化层。专利摘要一种高封装效率的半导体元件，包括封装外壳、半导体核心和引线框架，所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述引线框架的接脚与所述半导体核心电连接，所述半导体核心设置有硅通孔，所述硅通孔内部设置有将半导体核心的背面电极引线至正面的金属线。所述半导体核心的正面设置有绝缘层，所述绝缘层与正面电极对应部分设置有通孔，所述通孔内设置有沉积金属层。所述金属线设置有保护层。本技术在半导体核心设置硅通孔，半导体核心的正面的电极形成金属凸点，从而形成功率半导体，致使半导体核心与封装体的面积比接近1，大大提高了芯片面积与封装面积的比值，有助于提高电子产品的便携性。文档编号H01L23/48GK202275820SQ20112032366公开日2012年6月13日 申请日期2011年8月31日 优先权日2011年8月31日专利技术者席伍霞 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：席伍霞，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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