肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法技术

技术编号:7410646 阅读:351 留言:0更新日期:2012-06-07 08:16
本发明专利技术涉及一种肖特基变容管的大信号等效电路模型及其提参方法,属于微波器件中的变容管技术领域。所述模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容;所述阳极PAD对地的寄生电容和引线寄生电感相串联,所述引线寄生电感和串联寄生电阻相串联,所述结区非线性电阻和结区非线性电容相并联后,再串联在串联寄生电阻和阴极PAD对地的寄生电容之间。本发明专利技术台面结构肖特基变容管大信号等效电路模型适用频率和偏压范围宽,可用于微波毫米波非线性电路设计;该模型的提参方法准确、简便、快捷,可大大缩短电路设计周期,提高电路设计精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤其涉及一种台面结构,属于微波器件中的变容管

技术介绍
肖特基变容管是一种常用的微波器件。因为其C-V的非线性关系,被广泛应用于微波非线性电路设计中,如压控振荡器、移相器、混频器,倍频器等。附图说明图1为现有技术中台面结构的肖特基变容管的结构示意图。如图1所示,在绝缘衬底10上设有一 N+区11,在所述N+区11上设有一 N区12,绝缘衬底10、N+区11和N区 12上设有介质层13,介质层13上设有阳极15和阴极14,该台面结构的肖特基变容管由于寄生效应小、制作工艺简单得到了广泛的关注。然而由于缺少精确的大信号模型,严重影响了这种变容管在微波非线性电路中的应用。
技术实现思路
本专利技术针对现有台面结构的肖特基变容管由于缺少精确的大信号模型,而严重影响其在微波非线性电路中应用的不足,提供一种台面结构。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下一种肖特基变容管的大信号等效电路模型包括阳极PAD对地的寄生电容、引线寄生电感、串联寄生电阻、结区非线性电容、结区非线性电阻和阴极PAD对地的寄生电容;所述阳极PAD对地的寄生电容和引线寄生电感相串联,所述引线寄生电感和串联寄生电阻相串联,所述结区非线性电阻和结区非线性电容相并联后,再串联在串联寄生电阻和阴极PAD对地的寄生电容之间。在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做如下改进。进一步,所述结区非线性电容和结区非线性电阻满足如下关系式

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基变容管的大信号等效电路模型,其特征在于,所述大信号模型包括阳极 PAD对地的寄生电容(20)、引线寄生电感(21)、串联寄生电阻(22)、结区非线性电容03)、 结区非线性电阻04)和阴极PAD对地的寄生电容05);所述阳极PAD对地的寄生电容QO) 和引线寄生电感相串联,所述引线寄生电感和串联寄生电阻02)相串联,所述结区非线性电阻04)和结区非线性电容03)相并联后,再串联在串联寄生电阻02)和阴极PAD对地的寄生电容05)之间。2.根据权利要求1所述的肖特基变容管的大信号等效电路模型,其特征在于,所述结区非线性电容03)和结区非线性电阻04)满足如下关系式3.一种肖特基变容管的大信号等效电路模型的提参方法,其特征在于,所述提参方法包括步骤A 对肖特基变容管进行直流测试,得到肖特基变容管的I-V特性曲线,并通过I-V 特性曲线得到结区非线性电阻04);步骤B:在小于肖特基变容管开启电压且大于反向击穿电压的范围内,任取一个电压点,测得此电压下肖特基变容管的S参数;步骤C 利用步骤B测得的S参数提取阳极PAD对地的寄生电容00)和阴极PAD对地的寄生电容05);步骤D 测量从肖特基变容管的开启电压至反向击穿电压偏压范围内不同偏压下的S 参数;步骤E 利用步骤D测得的不同偏压下的S参数,提取得到结区非线性电容03);步骤F 测量肖特基变容管在正向大电流情况下的S参数,利用测得的S参数和直流测试结果提取引线寄生电感和串联寄生电阻02)。4.根据权利要求3所述的肖特基变容管的大信号等效电路模型的提参方法,其特征在于,所述步骤A通过I-V特性曲线得到参数Is和η的值,并代入公式5.根据权利要求3所述的肖特基变容管的大信号等效电路模型的提参方法,其特征在于,所述步骤B是利用自动网络分析仪和探针台测得此电压下肖特基变容管的S参数。6.根据权利要求3所述的肖特基变容管的大信号等效电路模型的提参方法,其特征在于,所述步骤C包括将步骤B测得的S参数数据转化为Y参数,并根据如下的三个公式CN 102479263 A权禾丨J 要求书2/2页Im(Y11) = 2 Jif (CJC...

【专利技术属性】
技术研发人员:董军荣黄杰田超杨浩张海英
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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