硅片湿法旋转腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种硅片湿法旋转腐蚀装置，包括腐蚀槽和装载转子，腐蚀槽内盛有酸液，硅片平装于装载转子上，在装载转子的带动下旋转，另设一气缸，气缸的两端分别与压力轴承和位置轴承相连，所述位置轴承通过连杆与所述装载转子相连。工作时，压力轴承推动气缸活塞进而推动位置轴承，在连杆的作用下调节装载转子的位置高低，使得所述硅片的旋转对称轴基本与酸液的上表面持平。这样，硅片始终保持一半浸泡在酸液里面，一半暴露在酸液的外面，即使在高速旋转时硅片表面也不会形成漩涡，成功解决了硅片腐蚀均匀性差的问题；另一方面，采取该方案，酸液的有效利用率也得到提高，在提升产品加工质量的同时降低了生产成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体湿法腐蚀
，尤其是一种硅片湿法旋转腐蚀装置。
技术介绍
“湿法腐蚀”是对半导体硅片加工处理的一种常用工艺，将多个硅片整齐排放在装载转子上，然后整体浸泡在腐蚀槽内的酸液当中，当机器运转时，硅片沿着以硅片圆心为中心轴做自转运动，边旋转边腐蚀。在化学反应比较缓和、腐蚀速率慢的情况下，加工后的硅片的腐蚀均勻性较好，但是，当化学反应较为剧烈、腐蚀速率较快时(超过lOOOOA/min)，转子的转速比较高，在运动着的硅片表面的酸液会形成漩涡，在靠近硅片中心的区域，酸液和硅片的接触程度低，腐蚀深度浅，而硅片边缘区域与酸液接触程度高，腐蚀深度深，加工后的硅片从中间到边缘腐蚀速率递增，导致腐蚀均勻性差的问题，严重时，腐蚀均勻性差异超过20%。在腐蚀精度和均一性要求越来越高的器件中，其不稳定的腐蚀速率和均勻性将会直接导致产品电参数失效而报废。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种硅片湿法旋转腐蚀装置，以解决加工时硅片中间腐蚀慢、边缘腐蚀快的问题。本技术的技术解决方案是，一种硅片湿法旋转腐蚀装置，包括腐蚀槽和装载转子，腐蚀槽内盛有酸液，硅片平装于装载转子上，在装载转子的带动下旋转，旋转时硅片与所述酸液接触进行腐蚀加工，其特征在于另设一气缸，所述气缸的两端分别与压力轴承和位置轴承相连，所述位置轴承通过连杆与所述装载转子相连，工作时，压力轴承推动气缸活塞进而推动位置轴承，在连杆的作用下调节装载转子的位置高低，使得所述硅片的旋转对称轴基本与酸液的上表面持平。进一步地，上述硅片湿法旋转腐蚀装置中，所述压力轴承是一根长轴承，便于调节气缸压力；所述硅片在装载转子上的每次装载数量为I-M片。本技术相比于现有技术，其有益效果主要是通过动态调节压力轴承，保持加工过程中硅片的旋转对称轴与酸液的上表面持平，这样，硅片始终保持一半浸泡在酸液里面，一半暴露在酸液的外面，即使在高速旋转时硅片表面也不会形成漩涡，成功解决了硅片腐蚀均勻性差的问题；另一方面，采取该方案，酸液的有效利用率也得到提高，其更换周期从12批料增加到22批料，在提升产品加工质量的同时降低了生产成本。附图说明图1是本技术硅片湿法旋转腐蚀装置的示意图。其中1 腐蚀槽，2 酸液，3 装载转子，4 硅片，5 压力轴承，6 气缸，7 位置轴承，8 连杆。具体实施方式以下结合实施例附图，对本技术的
技术实现思路
作进一步详述，以使本技术的技术方案更易于理解和掌握。图1是本技术提供的硅片湿法旋转腐蚀装置的示意图，如图所示，该装置包括腐蚀槽1和装载转子3，腐蚀槽1内部盛有酸液2，硅片4整齐平行地装载于装载转子3 上，每次装载数量为1- 片，加工时，硅片4在装载转子3的带动下旋转，旋转对称轴即为硅片4的中心轴。在腐蚀槽1的外侧另设一气缸6，气缸6的两端分别与压力轴承5和位置轴承7相连，位置轴承7通过连杆8与装载转子3相连。工作时，调节压力轴承5来调节气缸6的内部压力，气缸6通过活塞推动位置轴承7，在连杆8的作用下调节装载转子3在腐蚀槽1内的位置高低，使得硅片4的旋转对称轴基本与酸液2的上表面持平。为便于调节， 压力轴承5选用长轴承。该方案尤其适用于Sysmax机台改造，将“整体浸泡”的加工方式改变为“一半暴露一半浸泡”的加工方式，通过动态调节压力轴承5，保持加工过程中硅片4的旋转对称轴与酸液2的上表面持平。这样，硅片4始终保持一半浸泡在酸液里面，一半暴露在酸液的外面，即使在高速旋转时硅片4的表面也不会形成漩涡，成功解决了腐蚀均勻性差的问题。试用表明，对于腐蚀速率超过lOOOOA/min的硅片加工，其均勻性差异可从改造前的20%左右降低到5%左右。另一方面，采取本技术提供的方案，酸液2的有效利用率也得到提高， 其更换周期从12批料增加到22批料，在提升产品加工质量的同时降低了生产成本。以上已将本技术的技术方案进行了详细说明，所涉及的具体实例仅仅是较佳实施例而已，对本案的保护范围不构成任何限制。凡在本案的基础上作出的均等变化与修饰等，均落在本技术权利要求的保护范围之内。权利要求1.硅片湿法旋转腐蚀装置，包括腐蚀槽和装载转子，腐蚀槽内盛有酸液，硅片平装于装载转子上，在装载转子的带动下旋转，旋转时硅片与所述酸液接触进行腐蚀加工，其特征在于另设一气缸，所述气缸的两端分别与压力轴承和位置轴承相连，所述位置轴承通过连杆与所述装载转子相连，工作时，压力轴承推动气缸活塞进而推动位置轴承，在连杆的作用下调节装载转子的位置高低，使得所述硅片的旋转对称轴基本与酸液的上表面持平。2.根据权利要求1所述的硅片湿法旋转腐蚀装置，其特征在于所述压力轴承是一根长轴承，便于调节气缸压力。3.根据权利要求1所述的硅片湿法旋转腐蚀装置，其特征在于所述硅片在装载转子上的每次装载数量为1- 片。专利摘要本技术涉及一种硅片湿法旋转腐蚀装置，包括腐蚀槽和装载转子，腐蚀槽内盛有酸液，硅片平装于装载转子上，在装载转子的带动下旋转，另设一气缸，气缸的两端分别与压力轴承和位置轴承相连，所述位置轴承通过连杆与所述装载转子相连。工作时，压力轴承推动气缸活塞进而推动位置轴承，在连杆的作用下调节装载转子的位置高低，使得所述硅片的旋转对称轴基本与酸液的上表面持平。这样，硅片始终保持一半浸泡在酸液里面，一半暴露在酸液的外面，即使在高速旋转时硅片表面也不会形成漩涡，成功解决了硅片腐蚀均匀性差的问题；另一方面，采取该方案，酸液的有效利用率也得到提高，在提升产品加工质量的同时降低了生产成本。文档编号H01L21/67GK202247021SQ201120384349公开日2012年5月30日 申请日期2011年10月11日 优先权日2011年10月11日专利技术者丁乙人, 刘勇, 刘明, 陆绍良 申请人:康可电子(无锡)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁乙人，刘明，刘勇，陆绍良，
申请(专利权)人：康可电子无锡有限公司，
类型：实用新型
国别省市：