不需调节器及二极管的自举电路制造技术

本发明专利技术公开了一种不需调节器及二极管的自举电路。该自举电路包括比较器、第一开关及电容。该比较器具有第一端，用以接收参考电压，第二端，耦接于该自举电路的自举电压输出端，及第三端，用以输出开关控制信号；该第一开关具有第一端，用以接收输入电压，第二端，用以接收该开关控制信号，及第三端，耦接于该自举电压输出端；及该电容是耦接于电压切换端和该比较器的第二端之间。因此，本发明专利技术所提供的自举电路在集成电路中实现的面积比现有技术的自举电路的面积小，且不需频率补偿以及无稳定度的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种自举电路，尤指一种不需调节器及二极管的自举电路。
技术介绍
请参照图1，图1是为现有技术说明自举(bootstrap)电路100的示意图。自举电路100包括调节器(regulator) 102、二极管104及电容106。二极管104具有阳极端，耦接于调节器102，及阴极端耦接于自举电压(bootstrap voltage)输出端BS。电容106具有第一端，耦接于自举电压输出端BS，及第二端耦接于电压切换端SW。当频率CK为逻辑低电位(地电位)时，因为频率CK通过驱动电路108关闭开关Sl和通过反相器110开启开关 S2，所以电压切换端SW的电压VSW为零(地电位)。此时，调节器102开始通过二极管104 对电容106充电，直到自举电压输出端BS的电压VBS等于调节器102提供的电压VR减去二极管104的跨压VD时，调节器102停止通过二极管104对电容106充电。当频率CK为逻辑高电位(输入电压VIN)时，因为频率CK通过驱动电路108开启开关Sl和通过反相器110关闭开关S2，所以电压切换端SW的电压VSW为输入电压VIN。此时，自举电压输出端BS的电压VBS是由式(1)决定。VBS = VIN+VR-VD (1)由式(1)可知，自举电压输出端BS的电压VBS大于输入电压VIN。而驱动电路108 可利用较高的自举电压输出端BS的电压VBS将开关Sl开启。因此，开关Sl可驱动负载 112。然而，在集成电路上实现调节器102及二极管104需要耗费相当大的面积。另外， 调节器102的频率补偿方式亦会受到电容106的严重影响，且当调节器102对电容106充电时，电容106储存的电压会比调节器102提供的电压VR低，亦即电容106储存的电压为 VR-VD0
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种不需调节器及二极管的自举电路。该自举电路包括比较器、第一开关及电容。该比较器具有第一端，用以接收参考电压，第二端，耦接于该自举电路的自举电压输出端，及第三端，用以输出开关控制信号；该第一开关具有第一端，用以接收输入电压，第二端，用以接收该开关控制信号，及第三端，耦接于该自举电压输出端；及该电容是耦接于电压切换端和该比较器的第二端之间。本专利技术提供的一种不需调节器及二极管的自举电路，是利用比较器和第一开关以取代现有技术的调节器和二极管。因此，本专利技术所提供的自举电路在集成电路中实现的面积比现有技术的自举电路的面积小，且不需频率补偿及无稳定度的问题。附图说明图1是为现有技术说明自举电路的示意图。图2是为本专利技术的一实施例说明不需调节器及二极管的自举电路的示意图。图3是为本专利技术的还一实施例说明不需调节器及二极管的自举电路的示意图。图4是为本专利技术的还一实施例说明不需调节器及二极管的自举电路的示意图。其中，附图标记说明如下100、200、300、400 自举电路102调节器104二极管202、302、402比较器204,304,404 第一开关106、206、306、406 电容408第二开关108驱动电路110反相器112负载Rl第一分压电阻R2第二分压电阻S1、S2开关VIN输入电压SC开关控制信号BS自举电压输出端Sff电压切换端CK频率A节点具体实施例方式请参照图2，图2是为本专利技术的一实施例说明不需调节器(regulator)及二极管的自举(bootstrap)电路200的示意图。自举电路200包括比较器202、第一开关204及电容 206。比较器202具有第一端，用以接收参考电压VREF，第二端，耦接于自举电压(bootstrap voltage)输出端BS，及第三端，用以输出开关控制信号SC。第一开关204具有第一端，用以接收输入电压VIN，第二端，用以接收开关控制信号SC，及第三端，耦接于自举电压输出端 BS，其中第一开关204是为P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管或传输闸。电容206是耦接于电压切换端SW和比较器202的第二端之间。当频率CK为逻辑低电位(地电位)时，因为频率CK通过驱动电路108关闭开关Sl和通过反相器110开启开关S2，所以电压切换端SW的电压VSW为零(地电位)。此时，比较器202比较自举电压输出端BS的电压VBS和参考电压VREF。如果电压VBS低于参考电压VREF，则比较器202 输出开关控制信号SC至第一开关204的第二端，导致第一开关204开启。因此，输入电压 VIN通过第一开关204对电容206充电，直到电压VBS等于参考电压VREF时，输入电压VIN 停止第一开关204对电容206充电。当频率CK为逻辑高电位(输入电压VIN)时，因为频率CK通过驱动电路108开启开关Sl和通过反相器110关闭开关S2，所以电压切换端SW的电压VSW为输入电压VIN。此时，自举电压输出端BS的电压VBS是由式⑵决定。VBS = VIN+VREF (2)由式⑵可知，自举电压输出端BS的电压VBS大于输入电压VIN。而驱动电路108 可利用较高的自举电压输出端BS的电压VBS将开关Sl开启。因此，开关Sl可驱动负载 112。请参照图3，图3是为本专利技术的还一实施例说明不需调节器及二极管的自举电路 300的示意图。自举电路300包括比较器302、第一开关304、电容306、第一分压电阻Rl及第二分压电阻R2，其中第一分压电阻Rl是耦接于自举电压输出端BS和比较器302的第二端之间，第二分压电阻R2是耦接于比较器302的第二端和地端之间。当频率CK为逻辑低电位时，输入电压VIN通过第一开关304对电容306充电，直到节点A的电压VA等于参考电压VREF。此时，自举电压输出端BS的电压VBS是由式(3)决定。VBS = VREF*(1+R1/R2) (3)因此，自举电路300可通过第一分压电阻Rl及第二分压电阻R2，调整自举电压输出端BS的电压VBS。另外，自举电路300的其余操作原理皆和自举电路200相同，在此不再赘述。请参照图4，图4是为本专利技术的还一实施例说明不需调节器及二极管的自举电路 400的示意图。自举电路400包括比较器402、第一开关404、电容406、第二开关408、第一分压电阻Rl及第二分压电阻R2，其中第一分压电阻Rl是耦接于自举电压输出端BS和比较器402的第二端之间，第二分压电阻R2是耦接于比较器402的第二端和地端之间，以及第二开关408是耦接于自举电压输出端BS和第一分压电阻Rl之间，且第二开关408的第二端是耦接于比较器402的第三端，以接收开关控制信号SC。因为，第一开关404和第二开关 408的第二端都是接收开关控制信号SC，所以第一开关404和第二开关408是同时开启或同时关闭。另外，第一开关404和第二开关408是为P型金属氧化物半导体晶体管、N型金属氧化物半导体晶体管或传输闸。 当频率CK为逻辑低电位时，输入电压VIN通过第一开关404和第二开关408对电容406充电，直到节点A的电压VA等于参考电压VREF。此时，自举电压输出端BS的电压 VBS是由式⑶决定。另外，当节点A的电压VA等于参考电压VREF时，比较器402输出开关控制信号SC关闭第一开关404和第二开关408。因为，第二开关408被关闭，所以自举电压输出端BS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈祈铭，谢仲铭，
申请(专利权)人：沛亨半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：