移位寄存器制造技术

本发明专利技术提供移位寄存器。将包括自举电路的单位电路(10)多级连接，构成移位寄存器。在单位电路(10)中，晶体管(11)为导通状态、且时钟信号(CK)为高电平的期间，为时钟通过期间。在一个导通端子与晶体管(11)的栅极连接的晶体管中，使在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态、另一个导通端子被施加低电平电位的晶体管(12)、(14)的沟道长度比晶体管(11)的沟道长度长。由此，能够削减时钟通过期间的泄漏电流，抑制晶体管(11)的栅极电位的变动，防止输出信号变钝。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及移位寄存器，特别涉及优选在显示装置的驱动电路等中使用的移位寄存器。
技术介绍
有源矩阵型显示装置按行单位对2维配置的像素电路进行选择，通过将与显示数据相应的电压写入所选择的像素电路来显示图像。为了按行单位选择像素电路，作为扫描信号线驱动电路使用移位寄存器，该移位寄存器根据时钟信号将输出信号依次移位。在进行点顺序驱动的显示装置中，在数据信号线驱动电路的内部设置同样的移位寄存器。此外，在液晶显示装置等中，存在使用用于形成像素电路内的TFTCThin Film Transistor 薄膜晶体管)的制造工艺，将扫描信号线驱动电路与像素电路形成为一体的情况。在这种情况下，为了削减制造成本，优选由与TFT相同的导电型的晶体管(具体而言为N沟道型晶体管)形成作为扫描信号线驱动电路发挥作用的移位寄存器。在由N沟道型晶体管构成的移位寄存器中，为了将时钟信号以其原有的电压电平输出，使用图18所示的自举(bootstrap)电路。在图18所示的电路中，当输入信号IN从低电平变化为高电平时，通过与二极管连接的晶体管92，节点N9的电位也变化为高电平， 晶体管91成为导通状态。之后，当输入信号IN变化为低电平时，晶体管92成为截止状态， 节点N9成为浮动状态(floating，浮置)，晶体管91保持导通状态。在该状态下，当时钟信号CK从低电平变化为高电平时，由于存在于晶体管91的栅极-源极间的电容器93的作用(自举效应)，节点N9的电位上升至QXVck)左右(其中， Vck是时钟信号CK的振幅)。因此，具有振幅Vck的时钟信号CK不使电压降低地通过晶体管91，从输出端子OUT，时钟信号CK以原有的电压电平输出。另外，关于包括自举电路的移位寄存器，例如记载在专利文献1 3中。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-50502号公报专利文献2 国际公开第92/15992号小册子专利文献3 日本特开平8-87897号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述现有的移位寄存器中，输出晶体管的栅极电位由于泄漏电流而变动，因此存在输出信号变钝(dull，迟钝，钝化)的问题。在图18所示的电路中，为了在输出时钟信号CK后使节点N9的电位变化为低电平，在节点N9与接地之间设置有晶体管94 (参照图 19)。在节点N9的电位为Vck以上的期间，使用控制信号CTRL将晶体管94控制成截止状态。但是，在对晶体管94的漏极-源极间施加电位差QXVck)的期间，有比通常大的泄漏电流流经晶体管94。因此，节点N9的电位从QXVck)起随着时间的经过而下降，输出信号OUT发生变钝(参照图20)。例如，在非晶硅TFT液晶面板中，与一般的TN(Twisted Nematic 扭转向列型)模式液晶面板相比，存在需要提高扫描信号线的高电平电位的液晶面板。在将扫描信号线驱动电路一体地形成在这样的液晶面板的情况下，存在对移位寄存器内的晶体管的漏极-源极间施加较高的超过40V的电压的情况。在这样需要较高的高电平电位的情况下，输出信号容易发生变钝。此外，输出信号变钝在高温时也容易发生。当移位寄存器的输出信号变钝时，包含移位寄存器的显示装置等容易发生误动作。因此，本专利技术的目的在于提供能够防止输出信号变钝的移位寄存器。用于解决问题的方式本专利技术的第一方面提供一种移位寄存器，其特征在于其是将单位电路多级连接而构成的移位寄存器，上述单位电路包括输出晶体管，其设置在时钟端子与输出端子之间，根据栅极电位来切换是否使时钟信号通过；和一个导通端子与上述输出晶体管的栅极连接的一个以上的控制晶体管，其中在上述输出晶体管为导通状态、且上述时钟信号为高电平的时钟通过期间，上述输出晶体管的栅极电位比上述时钟信号的高电平电位高，在上述控制晶体管中包括与上述输出晶体管相比沟道长度更长的晶体管。本专利技术的第二方面的特征在于在本专利技术的第一方面中，在上述控制晶体管中包括在时钟通过期间，栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被施加低电平电位的晶体管，该晶体管的沟道长度比上述输出晶体管的沟道长度长。本专利技术的第三方面的特征在于在本专利技术的第二方面中，在上述控制晶体管中包括在时钟通过期间，栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被固定地施加低电平电位的晶体管，该晶体管的沟道长度比上述输出晶体管的沟道长度长。本专利技术的第四方面的特征在于在本专利技术的第二方面中，在上述控制晶体管中包括在时钟通过期间，栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被提供在时钟通过期间为低电平的信号的晶体管，该晶体管的沟道长度比上述输出晶体管的沟道长度长。本专利技术的第五方面的特征在于在本专利技术的第二方面中，在上述控制晶体管中包括在时钟通过期间，栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被施加低电平电位的多个晶体管，该多个晶体管的沟道长度均比上述输出晶体管的沟道长度长。本专利技术的第六方面的特征在于在本专利技术的第一方面中，在上述控制晶体管中包括与上述输出晶体管相比沟道长度长0. 5 μ m以上的晶体管。本专利技术的第七方面的特征在于在本专利技术的第一方面中，上述输出晶体管的栅极与上述输出晶体管的上述输出端子一侧的导通端子电容華禹合。本专利技术的第八方面提供一种显示装置，其特征在于，包括呈2维状配置的多个像素电路；包括第一 第七方面的任一个方面中的移位寄存器的驱动电路。专利技术的效果根据本专利技术的第一方面，通过使与输出晶体管的栅极连接的控制晶体管的沟道长度变长，能够在时钟通过期间削减流过控制晶体管的泄漏电流，能够抑制输出晶体管的栅极电位的变动。由此，能够防止输出信号变钝。根据本专利技术的第二方面，输出晶体管的栅极与晶体管连接，该晶体管在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被施加低电平电位，在这种情况下，通过使该晶体管的沟道长度变长，能够在时钟通过期间削减流过该晶体管的泄漏电流，能够抑制输出晶体管的栅极电位的变动，由此，能够防止输出信号变钝。根据本专利技术的第三方面，输出晶体管的栅极与晶体管连接，该晶体管在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被固定地施加低电平电位， 在这种情况下，通过使该晶体管的沟道长度变长，能够在时钟通过期间削减流过该晶体管的泄漏电流，能够抑制输出晶体管的栅极电位的变动，由此，能够防止输出信号变钝。根据本专利技术的第四方面，输出晶体管的栅极与晶体管连接，该晶体管在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被提供在时钟通过期间为低电平的信号，在这种情况下，通过使该晶体管的沟道长度变长，能够在时钟通过期间削减流过该晶体管的泄漏电流，能够抑制输出晶体管的栅极电位的变动，由此，能够防止输出信号变钝。根据本专利技术的第五方面，输出晶体管的栅极与多个晶体管连接，该多个晶体管在时钟通过期间栅极被提供低电平电位而成为截止状态，另一个导通端子被施加低电平电位，在这种情况下，通过使该多个晶体管的沟道长度变长，能够在时钟通过期间削减流过该多个晶体管的泄漏电流，能够抑制输出晶体管的栅极电位的变动，由此，能够防止输出信号变钝。根据本专利技术的第六方面，通过使与输出晶体管的栅极连接的控制晶体管的沟道长度比输出晶体管的沟道长度长0. 5 μ m以上，即使在晶体管的沟道长度发生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池哲郎，田中信也，山崎周郎，嶋田纯也，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：