低噪声放大器制造技术

一种低噪声放大器，包括：第一输入端，第一输入选择端母端，第一输出端，第一低通电流镜，第一放大电路和选择电路，所述选择电路，用于使所述子放大电路适于处理所述第一输入选择端母端输入的射频信号。应用所述低噪声放大器，可以节省片内面积，减少片外器件数，从而简化设计、缩短开发时间、节约开发和设计成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非接触式的自动识别
，特别涉及射频识别读写器中的低噪声放大器。
技术介绍
高集成度、低成本、低功耗的射频识别(RFID，Radio Frequency Identification) 读写器对建设智能化社会有重要的作用。如果将其集成到手机和其他各类移动终端，不仅可进一步拓展目前已逐步实施的众多射频识别应用领域，而且会产生许多全新应用领域。 例如，使用者可通过手机互联网联接方便地掌握感兴趣的产品信息，集成有RFID读写器和 GPS接收功能的手机可无缝隙地监督、定位和跟踪产品，从而提高消费者选择产品的灵活性以及产品供应链的管理效率。目前，一些主要的手机厂商(如诺基亚)已带头在其主要产品中采纳RFID功能，其他厂商也必将跟进。如图1所示，ABI Research预测2015年单在亚太地区市场就将有5千5百多万的RFID手机消费量。目前实用的RFID技术存在五个标准体系1. ISOdnternational Standard Organization)标准体系，包括 IS0/IEC 18000、 IS0/IEC 14443、IS0/IEC 15693 系列标准；2. EPC Global (Electronic Product Code)标准体系；3.源于日本的Ubiquitous ID标准体系；4.中国信息产业部的800/900MHZ频段射频识别RFID技术应用规定；5.中国联通手机2. 4G频率NFC应用业务规范和中国移动通信企业标准手机支付 RFID-SIM卡片基础技术方案。按应用频率的不同，RFID技术可分为低频(LF)、高频(HF)、超高频(UHF)、微波 (MW)四类；相对应的代表性频率分别为低频135KHz以下、高频13. 56MHz、超高频860M 960MHz、微波 2. 4GHz 及 5. 8GHz。RFID的应用前景广阔，是全球竞争激烈的高技术行业之一。但由于RFID全球标准、频段不统一，产品不兼容，地阻碍了各类应用的推广，因此，多频段、多标准、便携式的 RFID读写器市场即将应运而生。目前，基于分立元件的RFID读写器已经全面开发，但是设备一般比较庞大、昂贵而且功耗高。最近两年，RFID读写器射频前端系统集成芯片和标签的研究，吸引了众多国内外研究人员的注意，但基本上全部是局限于单一频段和单一标准的， 主要可分为HF和UHF两大阵营。一方面，世界经济、技术正朝着全球化迅速发展，另一方面，不同国家和地方存在着日益严重的保护主义和技术/贸易壁垒；这两种因素的存在，使得开发以不变应万变的兼容产品势在必行。因此，需要提供多标准、多频段RFID读写器的关键技术，尤其是低噪声放大器的多频段共享技术，使用利于大规模推广的廉价CMOS工艺制程，开发低功耗的射频收发器前端，为促进物联网技术和应用的发展、建设智能社会体系作出一份贡献。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是，提供一种低噪声放大器的电路，以简化射频识别读写器中的设计、进而节约设计成本。为解决上述问题，本专利技术提供一种噪声放大器，包括第一输入端A，可用于输入直流偏置信号；第一输入选择端母端Al，可用于输入射频信号；第一输出端B，用于输出处理后的信号；第一低通电流镜1，用于处理直流偏置信号；其第一端是所述第一输入端A，第二端接地；第一放大电路2，用于与所述第一低通电流镜1配合，放大所述第一输入选择端母端Al输入的射频信号；其第一端与所述第一低通电流镜第三端，并与所述第一输入选择端母端Al连接，其第二端是第一输出端B ；其特征在于，所述第一放大电路2至少包括第一子放大电路和第二子放大电路，所述第一子放大电路和第二子放大电路的第一端并联并与所述第一输入选择端母端Al连接，第二端并联并与第一输出端B连接；还包括，选择电路3，用于使所述子放大电路适于处理所述第一输入选择端母端Al输入的射频信号；其第一端与所述第一放大电路2连接，第二端接地；所述选择电路3与所述第一放大电路2连接的第一端，包括至少两个子端，所述子端分别与所述第一子放大电路和第二子放大电路的第三端单独连接。可选的，所述第一低通电流镜包括第一组第一 NMOS管附，具有漏极，连接到所述第一输入端A ；具有源极，接地；具有栅极；所述栅极与漏极连接；第一电阻，串联在所述第一 NMOS管m的栅极与第一输入选择端母端Al间；第一电容，与所述第一电阻Rl和所述第一 NMOS管m的源极并联。可选的，所述第一子放大电路包括第一输入选择端第二子端A12，可用于输入射频信号；可与第一输入选择端母端Al连接；第一组第三NMOS管N3，具有漏极，连接到所述第一输出端B ；具有源极，连接到所述选择电路3的第一端的子端；具有栅极，连接到所述第一输入选择端第二子端A12，同时连接到所述第一低通电流镜1。可选的，所述第二子放大电路包括第一输入选择端第三子端A13，可用于输入射频信号；可与第一输入选择端母端Al连接；第一组第四NMOS管N4，具有漏极，连接到所述第一输出端B ；具有源极，连接到所述选择电路3的第一端的子端；具有栅极，连接到所述第一输入选择端第三子端A13，同时连接到所述第一低通电流镜1。可选的，所述选择电路3是多端口电感，包括第一端第一子端H1，与所述第三 NMOS管N3源极连接；第一端第二子端H2，与所述第四NMOS管N4源极连接；第二端H20接地。可选的，所述第一输入端A，可用于输入射频信号；还包括，第一低频放大电路4， 用于与所述第一低通电流镜1配合，放大所述第一输入端A输入的射频信号；其第一端与所述第一低通电流镜1连接，第二端接地，第三端是所述第一输出端B。可选的，所述第一低频放大电路4包括第一输入选择端第一子端All，可与所述第一输入选择端母端Al连接；第一组第二 NMOS管N2，具有漏极，连接到第一输出端B ；具有源极，接地；具有栅极，与第一输入选择端第一子端All连接，同时与所述第一低通电流镜1 连接。可选的，还包括第二输入端D，可用于输入与所述第一输入端A相应的直流偏置信号；第二输入选择端母端D1，可用于输入与所述第一输入选择端母端Al极性相反数值相等的射频信号；第二输出端E，用于输出处理后的信号；第二低通电流镜5，用于处理直流偏置信号；其第一端是所述第二输入端D，第二端接地；第二放大电路6，用于与所述第二低通电流镜5配合，按所述第一放大电路2相应的倍数，放大所述第一输入选择端母端Dl输入的射频信号；其第一端与所述第二低通电流镜5第三端连接，并与所述第二输入选择端母端Dl连接，其第二端是第二输出端E ；所述第二放大电路6至少包括第三子放大电路和第四子放大电路，所述第三子放大电路和第四子放大电路的第一端并联并与所述第二输入选择端母端Dl连接，第二端并联并与第一输出端E连接；所述选择电路3的第三端与所述第二放大电路6的第三端连接，所述选择电路3的第三端包括至少两个子端，所述子端分别与所述第三子放大电路和第四子放大电路的第三端单独连接。可选的，所述第二低通电流镜5包括第二组第一 NMOS管附1，具有漏极，连接到所述第二输入端D ；具有源极，接地；具有栅极；所述栅极与漏极连接；第二电阻R11，串联在所述第二组第一 NMOS管mi的栅极与第二输入选择端母端Dl间；第二电容Cll，与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种低噪声放大器，包括：第一输入端（Ａ），可用于输入直流偏置信号；第一输入选择端母端（Ａ１），可用于输入射频信号；第一输出端（Ｂ），用于输出处理后的信号；第一低通电流镜（１），用于处理从所述第一输入端（Ａ）输入的直流偏置信号；其第一端是所述第一输入端（Ａ），第二端接地；第一放大电路（２），用于与所述第一低通电流镜（１）配合，放大所述第一输入选择端母端（Ａ１）输入的射频信号；其第一端与所述第一低通电流镜第三端，并与所述第一输入选择端母端（Ａ１）连接，其第二端是第一输出端（Ｂ）；其特征在于，所述第一放大电路（２）至少包括第一子放大电路和第二子放大电路，所述第一子放大电路和第二子放大电路的第一端连接并与所述第一输入选择端母端（Ａ１）连接，第二端连接并与第一输出端（Ｂ）连接；还包括，选择电路（３），用于使所述子放大电路适于处理所述第一输入选择端母端（Ａ１）输入的射频信号；其第一端与所述第一放大电路（２）连接，第二端接地；所述选择电路（３）与所述第一放大电路（２）连接的第一端，包括至少两个子端，所述子端分别与所述第一子放大电路和第二子放大电路的第三端单独连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：栗星星，赵岩，栗晶晶，葛莉华，
申请(专利权)人：无锡里外半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32