气体喷嘴座制造技术

本实用新型专利技术提供一种气体喷嘴座，该气体喷嘴座包含具有主气道的本体，在该本体上还包含盖体，在该本体的侧边则具有至少一个副气道，该盖体具有至少一个导流结构以使流经该至少一个副气道的气流可在该本体上方形成气流壁。由此，利用喷嘴周围形成的气流壁可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种气体喷嘴座，尤其涉及一 种可大幅减少微粒或灰尘等外来物堆积在气流道的气体喷嘴座。
技术介绍
在半导体工艺中，因工艺需要而会将晶圆片、光罩等半导体组件容置在储存匣内， 之后利用喷嘴装置填充例如氮气的气体至储存匣内，以避免储存匣内所容置的晶圆片、光罩或其它半导体组件受到氧化及微粒污染。举例而言，在45纳米工艺下，晶粒(die)与晶粒之间的间隔更小，故对于大幅减少微粒或灰尘堆积污染的要求也越来越严格。公知的气体喷嘴装置如图1所示，其包含喷嘴座100、喷嘴110及气体输送装置 120，该喷嘴座100用以承载该喷嘴110以及用于与该气体输送装置120连接。该喷嘴座 100在存放半导体组件的储存匣的领域中，通常被固定在一储放架(图未示)上，且在该储放架上配置有气体输送装置120以与该喷嘴座100连接。该喷嘴110则在储存匣置放时与储存匣的进气口对接，进而将气体输送至储存匣内。请参阅图2，图1中的喷嘴座的剖面图。在喷嘴座100的中间部位具有贯通喷嘴座 100的气道103，并借由侧边延伸部上的贯孔105供固定组件将喷嘴座100固设在前述的储放架上。在气道内并具有供喷嘴110固定的凹槽。然而，在公知技术的喷嘴座结构下，微粒或灰尘容易堆积在喷嘴110内或气道103 内，因此，在储存匣与喷嘴座100连接并通气时，堆积的微粒或灰尘就会随着气流进入储存匣内，造成晶圆片、光罩或其它半导体组件的污染。
技术实现思路
本技术涉及一种气体喷嘴座，其可避免微粒、灰尘或其它外来物堆积在喷嘴座内，并可适用于各种需要防止微粒、灰尘或其它外来物堆积的气体输送结构中。在实施例中，本技术的气体喷嘴座包含本体及盖体，该本体被主气道所贯通，在该本体顶面的周缘则有导流结构，在该本体的侧面则侧向延伸有延伸部，其中，至少一个副气道贯通该延伸部；至于该盖体则具有贯通该盖体的通道并使前述本体固定在该通道中，该通道之上开口周缘向该通道的壁面形成有另一导流结构，其中，该上开口周缘与该本体顶面周缘间具有间隙。在实施例中，该本体顶面周缘具有的导流结构可为呈倒角结构的第一外倒角；而该盖体上形成的另一导流结构则可为呈内倾角结构的第一内倾角。其中，该延伸部更可低于该本体顶面；以及，在该盖体上，该通道的上开口的面积可小于该通道的下开口的面积， 并借由该延伸部将该盖体固定在该本体上。在实施例中，前述第一外倒角与一水平面呈第一夹角，该第一内倒角与该水平面呈第二夹角，该第一夹角可大于该第二夹角。其中，该第一夹角还可约为30度至90度，该第二夹角还可约为30度。在实施例中，该盖体的顶面与该本体的顶面位于同一水平面，且该主气道的壁面具有至少一个凹槽。在实施例中，该本体还具有供固定组件固设的至少一个贯孔。在实施例中，该盖体与该延伸部可借由紧迫方式将该盖体固定在该本体上。在实施例中，该通道的下开口周缘还可具有呈倒角结构的第二内倒角。在实施例中，以俯视角度观之，该本体、该延伸部及该盖体可具有圆形、椭圆形、矩形、三角形或多边形等的外形。在实施例中，本技术的气体喷嘴座可应用于用来存放半导体组件的储存匣， 用以将气体导入该储存匣，该气体喷嘴座包含具有主气道的本体，该气体喷嘴座的特征在于在该本体上还包含盖体，在该本体的侧边则具有至少一个副气道，该盖体具有至少一个导流结构以使流经该至少一个副气道的气流可在该本体上方形成气流壁。在实施例中，该盖体的至少一个导流结构为在该盖体内壁具有的第一内倾角；及该本体上还包含作为导流结构的第一外倒角；其中，该第一内倾角与该第一外倒角的角度搭配用以使流经该至少一个副气道的气流在该本体上方形成该气流壁。在实施例中，该主气道贯通该本体，该盖体供该本体固定在其内且该盖体未遮蔽该主气道，该至少一个副气道位于该本体侧的延伸部上且位于该盖体的下方。在实施例中，该第一外倒角与水平面呈第一夹角，该第一内倾角与该水平面呈第二夹角，该第一夹角大于该第二夹角。由此，本技术利用喷嘴座结构上的特点，使气流可在喷嘴周围形成气流壁，进而可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内。附图说明图1为公知气体喷嘴装置的立体图。图2为图1中的喷嘴座的剖面图。图3为本技术一实施例中气体喷嘴座的分解立体图。图4为根据图3的气体喷嘴座的組合立体图。图5为沿图4的aa’线段的剖面视图。图6为本技术一实施例中气体喷嘴座与喷嘴结合的剖面视图。图7为本技术另ー实施例中气体喷嘴座的上视图。主要组件符号说明100 喷嘴座103 气道105 贯孔110 喷嘴120 气体输送装置200 本体202 导流结构(第一外倒角)204 延伸部206 贯孔210主气道212凹槽220副气道300盖体302导流结构(第一内倾角)304第二内倒角310通道400喷嘴A气流壁G间隙aa'剖面线具体实施方式为充分了解本技术的目的、特征及功效，现借由下述具体的实施例，并配合所附的图形，对本技术做详细说明，说明如后本技术可利用喷嘴座在结构上的特征来在喷嘴周围形成气流壁，进而可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内，并进而减少微粒、灰尘或其它外来物堆积在喷嘴内的机会。在其中一方面，这些结构可使得用以存放晶圆片、光罩等半导体组件的储存匣得以减少被微粒、灰尘或其它外来物污染的机会。请同时参阅图3、4及5，图3是本技术一实施例中气体喷嘴座的分解立体图； 图4为根据图3的气体喷嘴座的组合立体图；图5为沿图4的aa’线段的剖面视图。在一种实施例中，本技术的喷嘴座包含本体200及盖体300，该本体200被贯通有主气道210，在该本体200侧边则具有至少一个副气道220 ；该盖体300则被贯通有通道310，并使该本体200得以固定在该通道310中，从而该盖体300供该本体200固定在其内且该盖体300未遮蔽该主气道210。在该本体200的顶面周缘具有导流结构202，而在盖体300的该通道310的上开口周缘向该通道310的壁面形成有另一导流结构302。其中，至少一个副气道220形成在本体200侧面的侧向延伸的延伸部204上且位于该盖体的下方，该至少一个副气道220贯通该延伸部204，以供气流通过。此外，盖体300之上开口周缘与本体200的顶面周缘间具有间隙G，以供形成气流壁的气体的流出。由此，副气流道 220使气体可以进入盖体300与延伸部204间的空间，并由间隙G流出，进而可在喷嘴座上方形成气流壁。请再参阅图3、4及5，在较佳的实施例中，本体200的顶面周缘具有的导流结构 202可为倒角或倾角，如图所示的第一外倒角202 ；至于盖体300上具有的另一导流结构 302也可为倒角或倾角，如图所示的第一内倾角302。该第一内倾角302与该第一外倒角 202的角度搭配用以使流经该至少一个副气道220的气流在该本体200上方形成该气流壁。 然而，熟悉该项技术者应了解的是，导流结构并不仅限于倒角或倾角，无论是在本体200上或盖 体300上，任何能引导气流的结构变化都属于本技术的范畴，例如倒角及倾角可变化为弧形的边缘及弧形的壁面，或变化为具有导流沟槽的边缘及壁面等。在本实施例中，气流可在盖体300及本体200的延伸部204间流动。在一个较佳实施例中，延伸部204低于该本体200的顶面，借由盖体300及低于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种气体喷嘴座，其特征在于，包含：本体，具有贯通该本体的主气道，在该本体顶面的周缘具有导流结构，在该本体的侧面则侧向延伸有延伸部，其中，至少一个副气道贯通该延伸部；及盖体，具有贯通该盖体的通道并使该本体固定在该通道中，该通道之上开口周缘向该通道的壁面形成有另一导流结构，其中，该上开口周缘与该本体顶面周缘间具有间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林权瑞，张朝钧，
申请(专利权)人：华景电通股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71