抗突波高压保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种抗突波高压保护电路，是设在一输入电源与负载之间的电源回路上，主要是由一电压检测电路及一与负载串联的保护开关组成；所述电压检测电路由电源回路检测输入电源是否出现瞬间高压，若未出现，即保持保护开关的导通状态，若出现瞬间高压则令保护开关转呈开路，以保护负载不受瞬间高压损毁。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种输入电源出现突波高压时能立即切断电源回路以保护负载不致受损的保护电路，特别涉及一种抗突波高压保护电路。
技术介绍
一般电源虽有额定电压的规范，但依然可能出现不稳定状况，例如快速开关或雷击都可能产生瞬间突波，该等突波所造成的瞬间高压，对于电器用品的危害十分严重，因此必须加以防范抑制。如图2所示，是一种已知的突波保护电路，主要是在负载70的两端跨设(并联)一保护开关71，所述保护开关71是呈常开状，且其启闭是由一过电压检测电路72所控制，所述过电压检测电路72是由电源回路上取得输入电压，并判断其是否高于一设定的电压值， 若未超过，保护开关71维持开路，负载70的电源回路维持导通，若高于设定电压值，则使保护开关71导通转呈闭路，此时瞬间大电流将流过保护开关71，而不会通过负载70，借此可达到保护负载70不受突波损毁的保护目的。尽管前述电路对负载提供了保护措施，但其保护效果并不周延1.前述电路从检测到高压至开关切换的时间太长，仍有可能造成负载损伤或损毁。2.由于是利用切换保护开关将负载的电源回路予以短路，在短路构成期间强大电流将通过保护开关及电源设备，由于输入电压愈高，短路电流愈大，当电压大到某极限值时，将损伤或损毁电源设备或保护开关本身。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的过电压保护电路因反应速度慢无法获致周延的保护目的，且当异常电压太大时将损及保护开关本身或电源设备的问题，本技术提供一种抗突波高压保护电路，其可在输入电源出现突波高压时，立即切断电源回路以保护负载不致受损，且不虞损及其本身的组件或电源设备。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种抗突波高压保护电路，是设在一输入电源与负载间的电源回路上，其特征在于，包括有一保护开关，是设在电源回路上而与负载串联，所述保护开关是呈常闭状，并具有一控制端； 一电压检测电路，其至少具有一输入端及一输出端，其输入端和输入电源连接，其输出端连接至保护开关的控制端； 所述电压检测电路是用以检测输入电源是否出现瞬间高压，若未出现，即保持保护开关的常闭状态，若出现瞬间高压则令保护开关转呈开路，至此电源回路即被切断，遂可保护负载不受瞬间高压损毁；且如是设计将可防止输入电源的电源设备或保护开关本身受损。所述抗突波高压保护电路，其中，电压检测电路主要是令一三极管的基电极通过至少一齐纳二极管与输入端连接，由齐纳二极管的崩溃电压决定三极管的导通时机，所述三极管的集电极连接至保护开关的控制端。所述抗突波高压保护电路，其中，三极管的基电极与输入端之间设有两齐纳二极管及两电阻，又基电极与接地端之间设有另一齐纳二极管。所述抗突波高压保护电路，其中，电压检测电路的其中一齐纳二极管两端跨接有一跳接开关。所述抗突波高压保护电路，其中，保护开关是一场效应三极管，其栅电极构成保护开关的控制端，其漏电极、源电极分别连接负载与接地端。以前述的保护电路设计至少具备以下优点1.本技术由检测高压到切换开关的整个过程，反应速度快，可在极短时间内对负载构成防护，具备非常周延的保护效果。2.由于本技术是开关控制负载的电源回路通断，因此不会有大电流通过负载、保护开关或电源设备，从而可以承受的异常电压范围非常大。3.由于大电流不会通过负载、保护开关或电源设备，故可保护负载、保护开关不受损毁。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。附图说明图1是本技术的电路图。图2是传统保护电路的方块图。具体实施方式有关本技术一较佳实施例的详细电路图，请参阅图1所示，其包括有一电压检测电路10与一保护开关20，所述电压检测电路10至少具有一输入端及一输出端，其输入端是与电源设备连接，以检测输入电源的电压大小，又其输出端是用以控制保护开关20的启闭，又保护开关20是与负载30串接，借以控制负载30与电源设备之间的电源回路是否正常。以下进一步说明前述各组件的详细电路构造所述电压检测电路10主要是令一三极管Q3的基电极通过至少一齐纳二极管与输入电源连接，由齐纳二极管的崩溃电压决定三极管Q3的导通时机，于本实施例中，三极管 Q3的基电极与输入端之间设有两齐纳二极管ZD1、ZD2及两电阻R3、R4，又其基电极与接地端之间设有另一齐纳二极管ZD4，在此状况下，三极管Q3的导通时机是在输入端电压大于三组齐纳二极管ZD1、ZD2、ZD4额定崩溃电压的相加值时。对于所属
的普通技术人员可以理解的是所述齐纳二极管的数量与规格可视实际需求而增减调整，在本实施例中， 在其中一齐纳二极管ZD2的两端跨接有一跳接开关(JUMPER) JP1，以调节三极管Q3的导通时机，简言之，若跳接开关JPl短路，三极管Q3的导通时机是在输入端电压大于二组齐纳二极管S)l、ZD4额定崩溃电压的相加值时，齐纳二极管ZD2则因两端短路而未产生作用。又三极管Q3集电极是连接至保护开关20的控制端，在本实施例中，所述保护开关20是一场效应三极管Ql，前述控制端是指场效应三极管Ql的间极，而漏电极、源电极分别连接负载30与接地端，而通过负载30与输入电源连接以构成回路。于本实施例中，所述负载30是由复数发光二极管组成的发光模块，其仅为举例而已，非用以限定本技术的应用对象。由上述说明可了解本技术一较佳实施例的具体
技术实现思路
，至于其工作原理详如以下所述假设电压检测电路10三组齐纳二极管ZD1、ZD2、ZD4的崩溃电压相加为77. IV，则当输入电源的电压未高于77. IV时，三组齐纳二极管ZDl、ZD2、ZD4均未不导通，三极管Q3 亦不导通，因此保护开关20的闸极为高电位，其漏、源电极之间遂为导通状态，此时负载30 可由电源设备供电而正常工作。若输入电源出现突波且其电压值超过77. IV，则三组齐纳二极管ZD1、ZD2、ZD4崩溃导通，亦使三极管Q3导通，此时其集电极将由高电位转为低电位，而保护开关20漏、源电极间即由导通转为开路，借此中断负载30的电源回路，确保负载30不受突波高压毁损。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。综上所述，本技术在结构设计、使用实用性及成本效益上，完全符合产业发展所需，且所揭示的结构亦是具有前所未有的创新构造，具有新颖性、创造性、实用性，符合有关新型专利要件的规定，故依法提起申请。权利要求1.一种抗突波高压保护电路，是设在一输入电源与负载间的电源回路上，其特征在于， 包括有一保护开关，是设在电源回路上而与负载串联，所述保护开关是呈常闭状，并具有一控制端；一电压检测电路，其至少具有一输入端及一输出端，其输入端和输入电源连接，其输出端连接至保护开关的控制端。2.根据权利要求1所述抗突波高压保护电路，其特征在于，所述电压检测电路主要是令一三极管的基电极通过至少一齐纳二极管与输入端连接，由齐纳二极管的崩溃电压决定三极管的导通时机，所述三极管的集电极连接至保护开关的控制端。3.根据权利要求2所述抗突波高压保护电路，其特征在于，所述三极管的基电极与输入端之间设有两齐纳二极管及两电阻，又基电极与接地端之间设有另一齐纳二极管。4.根据权利要求3所述抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种抗突波高压保护电路，是设在一输入电源与负载间的电源回路上，其特征在于，包括有：一保护开关，是设在电源回路上而与负载串联，所述保护开关是呈常闭状，并具有一控制端；一电压检测电路，其至少具有一输入端及一输出端，其输入端和输入电源连接，其输出端连接至保护开关的控制端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴森渊，
申请(专利权)人：咸瑞科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71