一种厚铜电路板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种厚铜电路板的制作方法，包括：分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。采用本发明专利技术技术方案，可以在铜厚大于6oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路，也容易加工出合格的阻焊图形；并且，通过设置对位靶标，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子互连
，具体涉及。
技术介绍
在电子互连
，常用oz表示铜箔厚度，用mil表示线路的宽度或线路的间距，其中，Ioz表示1平方英尺的面积上重量为1盎司的铜箔的厚度，约等于34. 287微米； Imil表示千分之一英寸，约等于25. 4微米。例如对于铜厚大于6oz的厚铜电路板，在制作线路宽度/间距小于8mil/8mil的密集线路时，如果采用常规的蚀刻方法，由于侧蚀严重，将难以制作出尺寸合格的线路，也难以加工出合格的阻焊图形。
技术实现思路
本专利技术实施例提供，可以在铜厚大于6oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路。，包括分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。本专利技术实施例采用分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形的技术方案，很容易制作出尺寸合格的密集线路，也容易加工出合格的阻焊图形；并且，在蚀刻厚铜箔的一面之后，通过设置对位靶标，在蚀刻另一面时，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。附图说明图Ia是本专利技术一个实施例提供的厚铜电路板的制作方法的流程图；图Ib是本专利技术另一实施例提供的厚铜电路板的制作方法的流程图；图加-1是采用本专利技术方法制造的厚铜电路板在各个阶段的示意图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术实施例进行详细说明。请参考图la，本专利技术实施例提供，分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。该方法具体包括110、在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形。所说的厚铜箔可以是厚度超过3oz的铜箔，尤其可以是厚度达到或超过6oz的铜箔。本步骤采用常规方法先在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形，但是，本次蚀刻深度有限，并不贯穿整个厚铜箔。120、在所述厚铜箔上设置对位靶标。本步骤中，在厚铜箔上加工定位柱或定位通孔等作为定位靶标，以便在对厚铜箔的第二面进行蚀刻时，可以精确定位，不会布线偏差。130、采用所述对位靶标进行定位，在厚铜箔的第二面上蚀刻电路图形。本步骤中，采用所述定位靶标定位，蚀刻厚铜箔的第二面，本次蚀刻与上次对第一面的蚀刻均蚀刻厚铜箔上相同的部位。则，本次蚀刻的深度也不必贯穿整个厚铜箔，蚀刻出的凹槽的底部只要抵达上次蚀刻而成的凹槽即可，这样，两次蚀刻的凹槽连接贯穿整个厚铜箔，从而形成电路图形。本实施例采用分别在厚铜箔的两面蚀刻电路图形的技术，可以减小每次蚀刻的蚀刻深度，进而降低侧蚀的影响，从而可以在铜厚大于3oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路，该方法尤其适用于在6oz以上的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路； 并且，通过采用设置对位靶标的技术，可以保证在厚铜箔的正反两面进行蚀刻时，没有蚀刻偏差或者蚀刻偏差最小。请参考图lb，本专利技术一个实施例提供的厚铜电路板的制作方法，该实施例以6oz 厚铜电路板为例，包括210、在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形，蚀刻部位形成第一凹槽。如图加和2b所示，本实施例先在厚铜箔100的第一面制作电路图形，包括加工抗蚀膜200，将需要形成电路图形的部位挡住；然后进行蚀刻，将不需要的形成电路图形的部位蚀刻出第一凹槽101。第一凹槽101的深度接近厚铜箔100厚度的一半即3oz，可以略大于3oz，也可以略小于3oz。其中，抗蚀膜200可以是干膜(Dry film)。加工抗蚀膜200 的步骤可以包括贴膜、曝光和显影。220、蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标。对位靶标可以在蚀刻厚铜箔100的第二面时起到定位的作用，保证两面蚀刻的图形一致，尽量避免出现偏差。一种实施方式中，如图2c所示，可以在厚铜箔100上开设通孔作为对位靶标300，并且，所开设的通孔可以有多个，例如分别在厚铜箔100的四个角开设四个通孔，作为对位靶标300。230、在厚铜箔的第一面压合半固化片，使第一凹槽被部分半固化片材料填充。如图2d所示，可以在蚀刻厚铜箔100的第二面之前，先在已蚀刻的第一面压合半固化片400，使半固化片400的部分材料将之前蚀刻出的第一凹槽101填充，以方便后续对第二面的蚀刻以及加工阻焊油墨等操作。M0、采用对位靶标进行定位，在厚铜箔的第二面上对应于第一凹槽的部位进行蚀刻，蚀刻出的第二凹槽的底部连通第一凹槽，从而在厚铜箔上制作出电路图形。如图2e和2f所示，本步骤中，对厚铜箔100的第二面进行蚀刻，包括加工抗蚀膜200，将需要形成电路图形的部位挡住；然后进行蚀刻，将不需要的形成电路图形的部位蚀刻出第二凹槽102。两面蚀刻时蚀刻的是厚铜箔100上的相同部位，蚀刻出的第二凹槽 102的底部要连通第一凹槽101，S卩，本次蚀刻的深度也接近厚铜箔厚度的一半即3oz，在第一凹槽101深度大于3oz时，第二凹槽的深度可以小于3oz ；在第一凹槽101深度小于3oz 时，第二凹槽的深度则应大于3oz ；总之，需要两个凹槽的底部连通贯穿。其中，为保证对位精准，防止蚀刻出现偏差，本步骤中对厚铜箔的第二面进行蚀刻时可以采用所设的对位靶标300进行定位。如果厚铜箔100的第二面将成为整个电路板的最外层，例如top层，步骤240之后还可以包括采用所述对位靶标进行定位，在所述厚铜箔的第二面上加工阻焊图形。如图2g所示，加工阻焊图形500时，蚀刻出的第一凹槽101和第二凹槽102已经连通成为贯穿厚铜箔101的通孔，但其中有一半的深度即原第一凹槽101中已经被半固化片填充，剩下另一半的深度即第二凹槽102是中空的，深度只有3oz，相对于现有技术需要再6oz深度的凹槽中加工阻焊图形，本实施例中需要在3oz深度的第二凹槽中加工阻焊图形，从而很容易加工出合格的阻焊图形。一种实施方式中，步骤230之后还可以包括a、在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔，所述另一厚铜箔的与所述半固化片接触的第一面已蚀刻电路图形，蚀刻出的第三凹槽的深度不小于所述另一厚铜箔厚度的一半，且所述另一厚铜箔上设置有另一对位靶标。如图池所示，将半固化片400和厚铜箔100压合之后，还可以在半固化片400的另一面压合另一厚铜箔600，以便继续制作电路图形。该另一厚铜箔600在与半固化片400压合之前，已经执行和步骤101、102相同的步骤，即，该另一厚铜箔600的用于压合的第一面也已经蚀刻电路图形，蚀刻出的第三凹槽601的深度不小于另一厚铜箔600的厚铜箔，且， 另一厚铜箔600上已经加工有另一对位靶标700。另一该厚铜箔600也是厚度达到6oz的铜箔。b、在所述厚铜箔上设置连通另一厚铜箔的金属化孔。包括在所述厚铜箔上钻定位孔；采用所述定位孔进行定位，开设连通另一厚铜箔的通孔；对所述通孔进行电镀，形成金属化孔。经过上一步骤，半固化片400的两面均压合了厚铜箔，为了使最终在两层厚铜箔上制作出的两层电路电连接，本步骤中可以在其中一层厚铜箔，例如厚铜箔100上加工贯穿两层厚铜箔和中间半固化片的金属化通孔，如图2i所示。具体步骤可以包括在所述厚铜箔100上钻定位孔；采用所述定位孔进行定位，开设连通另一厚铜箔的通孔；对所述通孔进行电镀，形成金属化孔。C、采用所述另一厚铜箔上设置的另一对位靶标进行定位，在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种厚铜电路板的制作方法，其特征在于，包括：分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冷科，刘海龙，崔荣，罗斌，
申请(专利权)人：深南电路有限公司，
类型：发明
国别省市：94