【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体混合集成电路器件,尤其是涉及一种高压大功率驱动器模块。
技术介绍
大部分高压大功率驱动器是通过多个半导体元器件组合使用来实现电路功能,虽然可以实现高压大功率应用,但是占用空间大,重量重,组装繁琐。尤其是在空间要求小,重量要求轻,可靠性要求高的条件下,用多个半导体分立器件实现大功率驱动电路具有一定困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构紧凑,占用空间小,重量轻,组装方便,可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块。本技术涉及的高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特殊之处是在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。本技术的优点是结构紧凑,占用空间小,耐压高,承受电流大布局合理,特别是将功率三极管、功率MOSFET和片式电阻通过真空烧结工艺进行焊接,实现低的孔洞率, 降低了芯片到管壳的热阻,散热性好,在管壳内填充有氮气并采用气密性封装,大大提高了高压大功率逆变器模块的可靠性,可适用于-45 125°C的工作环境。通过将功率三极管、 功率MOSFET芯片和片式电阻集成在一个管壳内,进行模块化封装,功率器件芯片之间在达到散热要求条件下实现了小的间距,同时电路的连接采用硅铝丝,减小了管壳体积。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是本技术的内 ...
【技术保护点】
1.一种高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特征是:在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:苏舟,王立伟,高广亮,王建翼,潘蕊,
申请(专利权)人:锦州辽晶电子科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:21
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