高压大功率驱动器模块制造技术

技术编号:6850583 阅读:298 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种结构紧凑,占用空间小,重量轻,组装方便,可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特殊之处是:在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。优点是:耐压高,承受电流大布局合理,占用空间小,散热性好,可靠性高,适用于-45~125℃的工作环境。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体混合集成电路器件,尤其是涉及一种高压大功率驱动器模块
技术介绍
大部分高压大功率驱动器是通过多个半导体元器件组合使用来实现电路功能,虽然可以实现高压大功率应用,但是占用空间大,重量重,组装繁琐。尤其是在空间要求小,重量要求轻,可靠性要求高的条件下,用多个半导体分立器件实现大功率驱动电路具有一定困难。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构紧凑,占用空间小,重量轻,组装方便,可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块。本技术涉及的高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特殊之处是在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。本技术的优点是结构紧凑,占用空间小,耐压高,承受电流大布局合理,特别是将功率三极管、功率MOSFET和片式电阻通过真空烧结工艺进行焊接,实现低的孔洞率, 降低了芯片到管壳的热阻,散热性好,在管壳内填充有氮气并采用气密性封装,大大提高了高压大功率逆变器模块的可靠性,可适用于-45 125°C的工作环境。通过将功率三极管、 功率MOSFET芯片和片式电阻集成在一个管壳内,进行模块化封装,功率器件芯片之间在达到散热要求条件下实现了小的间距,同时电路的连接采用硅铝丝,减小了管壳体积。附图说明图1是本技术的结构示意图;图2是本技术的内部结构图;图3是本技术的电路结构图;图中管壳1、功率三极管芯片2、硅铝丝3、金属化陶瓷基板4、钼片5、铅锡银合金焊料6、可伐片7、高温合金焊料8、片式电阻9、功率MOSFET芯片10。具体实施方式如图所示,本技术包括由底座和盖板构成的管壳1、功率三极管芯片2、硅铝丝3、金属化陶瓷基板4、钼片5、铅锡银合金焊料6、可伐片7、高温合金焊料8、片式电阻9、 功率MOSFET芯片10。管壳底1和金属化陶瓷基板.4通过高温合金焊料8进行焊接,钼片5、可伐片7与金属化陶瓷基板4通过高温合金焊料8进行焊接,所述的功率三极管芯片2、 功率MOSFET芯片10和片式电阻9通过铅锡银合金焊料6真空烧结焊接在钼片5上,各个功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻9之间采用硅铝丝3互连构成,通过硅铝丝 3互连构成推挽输出电路,在管壳1内填充氮气,在氮气氛围中采用平行封焊工艺进行气密性封装。权利要求1. 一种高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率 MOSFET芯片和片式电阻,其特征是在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。专利摘要一种结构紧凑,占用空间小,重量轻,组装方便,可实现高压大功率推挽输出功能的高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特殊之处是在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。优点是耐压高,承受电流大布局合理,占用空间小,散热性好,可靠性高,适用于-45~125℃的工作环境。文档编号H01L25/18GK202042482SQ201120093568公开日2011年11月16日 申请日期2011年4月1日 优先权日2011年4月1日专利技术者潘蕊, 王建翼, 王立伟, 苏舟, 高广亮 申请人:锦州辽晶电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压大功率驱动器模块,包括管壳,钼片及可伐片,功率三极管芯片、功率MOSFET芯片和片式电阻,其特征是:在管壳底座上通过高温合金焊料焊接有金属化陶瓷基板,所述的钼片、可伐片与金属化陶瓷基板通过高温合金焊料进行焊接,所述的功率三极管、功率MOSFET芯片和片式电阻通过真空烧结焊接在钼片上,各个元器件之间采用硅铝丝互连构成推挽输出电路,在管壳上设有外引线,在管壳内填充有氮气。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:苏舟王立伟高广亮王建翼潘蕊
申请(专利权)人:锦州辽晶电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:21

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