复合绝缘全屏蔽中间连接头制造技术

技术编号:6623120 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头、母线,中间接头与母线连接,其特征:在中间连接头外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构由一层或数层绝缘层和中间屏蔽均压层组成,在其外设有接地屏蔽层、外绝缘层和外保护层。本实用新型专利技术外面一层的屏蔽均压层要长于里面一层的屏蔽均压层,接地屏蔽层要长于所有的屏蔽均压层,从而达到在接地屏蔽层时其电位降低到零电位,并通过引出的接地线和接地系统相连接,再外加绝缘层和保护层,从而实现了中间接头部位表面零电位,达到实现接头部位的全绝缘。因此绝缘效果好,能够实现中间接头部位全绝缘,中间接头表面零电位。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型的复合绝缘全屏蔽中间连接头
技术介绍
现有的绝缘母线在技术上能够实现单根母线做到全绝缘,但是在每根母线的两端存在高压端,而所要连接的两台设备之间的距离往往都超过单根母线长度的距离,因此,需用中间接头将两根母线连接,这样就存在不同的两根母线之间的高压端之间和中间接头的部位存在带电情况,现有的技术在中间连接处不能够实现全绝缘,有部分企业采用了外加屏蔽筒的技术,但是因为技术上不过关,加上屏蔽筒老化容易进水,反而更容易出现质量事故。
技术实现思路
为了克服上述缺陷,本专利技术的目的是提供一种新型的复合绝缘全屏蔽中间连接头。为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案一种复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头、母线,中间接头与母线连接, 其特征在中间连接头外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构由一层或数层绝缘层和中间屏蔽均压层组成,在其外设有接地屏蔽层、外绝缘层和外保护层。上述数层中间屏蔽均压层中的外层的屏蔽均压层比内层的屏蔽均压层略长。上述接地屏蔽层比所有中间屏蔽均压层长。本技术外面一层的屏蔽均压层要长于里面一层的屏蔽均压层,接地屏蔽层要长于所有的屏蔽均压层,从而达到在接地屏蔽层时其电位降低到零电位,并通过引出的接地线和接地系统相连接,再外加绝缘层和保护层,从而实现了中间接头部位表面零电位,达到实现接头部位的全绝缘。因此绝缘效果好,能够实现中间接头部位全绝缘,中间接头表面零电位。附图说明图1为本技术的结构示意图。具体实施方式一种新型的复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头1、母线2,中间接头1与母线2连接。其特征在中间连接头1外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构通过绝缘层5 和中间屏蔽均压层4,将电位逐步降低,绝缘层5和中间屏蔽均压层4可以由一层到数层构成,其层数取决于母线导体的工作电压等级,导体工作电压越高其层数设计越多。在其外设有接地屏蔽层3、外绝缘层6和外保护层7。权利要求1.一种复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头、母线,中间接头与母线连接,其特征在中间连接头外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构由一层或数层绝缘层和中间屏蔽均压层组成,在其外设有接地屏蔽层、外绝缘层和外保护层。2.根据权利要求1所述的复合绝缘全屏蔽中间连接头,其特征在于中间屏蔽均压层中的外层的屏蔽均压层比内层的屏蔽均压层略长。3.根据权利要求1所述的复合绝缘全屏蔽中间连接头,其特征在于接地屏蔽层比所有中间屏蔽均压层长。专利摘要本技术涉及一种复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头、母线,中间接头与母线连接,其特征在中间连接头外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构由一层或数层绝缘层和中间屏蔽均压层组成,在其外设有接地屏蔽层、外绝缘层和外保护层。本技术外面一层的屏蔽均压层要长于里面一层的屏蔽均压层,接地屏蔽层要长于所有的屏蔽均压层,从而达到在接地屏蔽层时其电位降低到零电位,并通过引出的接地线和接地系统相连接,再外加绝缘层和保护层,从而实现了中间接头部位表面零电位,达到实现接头部位的全绝缘。因此绝缘效果好,能够实现中间接头部位全绝缘,中间接头表面零电位。文档编号H01R11/01GK201985267SQ20112004093公开日2011年9月21日 申请日期2011年2月18日 优先权日2011年2月18日专利技术者卢世华 申请人:杭州华新高科新材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合绝缘全屏蔽中间连接头,包括中间连接头、母线,中间接头与母线连接,其特征在中间连接头外包覆有复合绝缘全屏蔽结构,本结构由一层或数层绝缘层和中间屏蔽均压层组成,在其外设有接地屏蔽层、外绝缘层和外保护层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:卢世华
申请(专利权)人:杭州华新高科新材料有限公司
类型:实用新型
国别省市:86

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