一种多芯组陶瓷电容器制造技术

技术编号:6598578 阅读:276 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种陶瓷电容器,特别是指一种多芯组陶瓷电容器,它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。与现有技术相比,本实用新型专利技术的一种多芯组陶瓷电容器结构设计实现了在不改变容量与等效电阻的情况下,大大提高等效电容的耐击穿电压。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种陶瓷电容器。
技术介绍
片式陶瓷电容器除有电容器“隔直通交”的通性特点外,其还有体积小、比容大、寿命长、可靠性高、适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,片式电容器也以惊人的速度向前发展,每年以10% 15%的速度递增。目前,世界片式电容的需求量在2000亿支以上,70%出自日本,其次是欧美和东南亚(含中国)。随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备,如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。电容器的性能规格中有两个指标,一是它的电容量,一是它的耐压能力。使用电容器时,两极板所加的电压一定要小于或等于它的耐压值,否则电容器会被击穿。片式陶瓷电容器也存在这样的问题。
技术实现思路
本技术的主要目的在于克服现有技术的缺点,提供一种耐击穿电压较高的多芯组陶瓷电容器。本技术采用如下技术方案一种多芯组陶瓷电容器,它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。所述至少三只陶瓷电容芯片藉由至少三个金属弓丨出框连接在一起。所述至少三只陶瓷电容芯片焊接在所述至少三个金属引出框上。所述至少三个金属引出框分别为第一引出框、第二引出框和至少一个连接引出框,该第一引出框和第二引出框上均具有安装端。所述陶瓷电容芯片在并联时采用水平平铺方式。由上述对本技术的描述可知,与现有技术相比,本技术的一种多芯组陶瓷电容器结构设计实现了在不改变容量与等效电阻的情况下,大大提高等效电容的耐击穿电压。附图说明图1为本技术具体实施方式的立体结构示意图;图2为本技术具体实施方式的俯视结构示意图。具体实施方式以下通过具体实施方式对本技术作进一步的描述。参照图1和图2,本技术的一种多芯组陶瓷电容器,由四只陶瓷电容芯片11、 12、13、14藉由第一引出框21、第二引出框22、连接引出框23先并联后串联组成的,其中陶瓷电容芯片11、12藉由第一引出框21和连接引出框23并联连接,陶瓷电容芯片13、14藉由第二引出框22和连接引出框23并联连接,然后再将陶瓷电容芯片11、12并联组成的芯片组与陶瓷电容芯片13、14并联组成的芯片组进行串联,最后由第一引出框21的安装端211 和第二引出框22的安装端221引出。 上述仅为本技术的一个具体实施方式,但本技术的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本技术进行非实质性的改动,均应属于侵犯本技术保护范围的行为。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯组陶瓷电容器,其特征在于:它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。

【技术特征摘要】
1.一种多芯组陶瓷电容器,其特征在于它是由至少三只陶瓷电容芯片先并联后串联组成的。2.如权利要求1所述的一种多芯组陶瓷电容器,其特征在于所述至少三只陶瓷电容芯片藉由至少三个金属引出框连接在一起。3.如权利要求2所述的一种多芯组陶瓷电容器,其特征在于所述至少三只陶瓷电容芯片焊接在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷财万贺卫东郑志原
申请(专利权)人:福建火炬电子科技股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:35

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