半导体激光器制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体激光器。该半导体激光器包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发射器相互独立地被驱动的半导体激光器。
技术介绍
在半导体激光器中，为了相互独立地驱动发射器，在相邻的发射器之间设有用于 电隔离所述相邻发射器的隔离沟槽。尽管隔离沟槽的宽度依激光器的类型而变化，但对于 光束间距为数十微米的窄间距型激光器来说，隔离沟槽的宽度仅为几微米。因此，在这种情 况下，极难提供布线层，该布线层将夹在隔离沟槽之间的发射器(脊)上的条形电极与形成 于窄隔离沟槽中的脊之外的位置处的焊盘电极连在一起。因此，例如，如未经审查的日本专 利申请公开公报2000-269601中所描述，通常在隔离沟槽中掩埋绝缘材料，在所述绝缘材 料上设置布线层。然而，在使用绝缘材料掩埋隔离沟槽的情况下，由于经掩埋的绝缘材料的收缩和 应变，压力施加到脊上，从脊发出的激光束的极化平面往往旋转。在形成深的隔离沟槽的情 况下，绝缘材料的填埋过程变得复杂，产生成本增加的问题。因此，为了解决上述问题，例如，可考虑在不使用绝缘材料填埋隔离沟槽的情形下 将布线层布置在至少沟槽上方的中空处，将布线层布置在该中空处的部分形成为拱形形 状。在这种情况下，减小了布线层在其自身重量下弯曲的可能性。然而，当包含在布线层中 的Au层在大温差的恶劣环境(例如，温差为_40°C至+150°C的环境)下重复地伸展和收缩 时，应变在Au层中积累，则存在布线层破裂的可能性。
技术实现思路
因此，期望提供一种半导体激光器，即使在大温差的恶劣环境下，该半导体激光器 也能减小布置在中空处的布线层破裂的可能性。根据本专利技术的一个实施例，半导体激光器具有多个带状脊，所述多个带状脊均至 少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层。所述多个脊隔着带状沟槽相互平行地布置。在 所述各脊的顶面上设有电连接至所述上披覆层的上电极。布线层电连接至所述上电极。所 述布线层布置在至少所述沟槽上方的中空处。在不同于所述脊和所述沟槽的部分中设有焊 盘电极。所述焊盘电极经由所述布线层电连接至所述上电极。所述布线层从所述脊起依次 具有用于增强与所述脊的所述顶面的粘合的粘合层、Au层和用于抑制所述Au层中应变发 生的应变抑制层。在根据本专利技术一个实施例的所述半导体激光器中，所述沟槽设在相邻的脊之间，电连接所述上电极和所述焊盘电极的所述布线层布置在至少所述沟槽上方的中空处。换句 话说，在所述激光器中，所述布线层与所述沟槽的内壁之间的间隙中不设置如绝缘材料等 填充材料。因此，不存在以下可能性，即在所述布线层与所述沟槽的内壁之间的间隙中设有 如绝缘材料等填充材料时所施加的压力被施加到所述脊上。此外，所述布线层设有用于抑 制所述Au层中应变发生的应变抑制层。使用这种结构，能够抑制所述Au层在大温差的恶 劣环境下重复地伸展和收缩时所述Au层中的应变积累。根据本专利技术的一个实施例，半导体激光器具有多个带状脊，所述多个带状脊均至 少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层。所述多个脊隔着带状沟槽相互平行地布置。在 所述各脊的顶面上设有电连接至所述上披覆层的上电极，布线层电连接至所述上电极。所 述布线层布置在至少所述沟槽上方的中空处。在不同于所述脊和所述沟槽的部分中设有焊 盘电极。所述焊盘电极经由所述布线层电连接至所述上电极。在所述沟槽上方的部分中的 所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。在根据本专利技术实施例的所述半导体激光器中，所述沟槽设在相邻的脊之间，电连 接所述上电极和所述焊盘电极的所述布线层布置在至少所述沟槽上方的中空处。换句话 说，在所述激光器中，所述布线层与所述沟槽的内壁之间的间隙中不设置如绝缘材料等填 充材料。因此，不存在以下可能，即所述布线层与所述沟槽的内壁之间的间隙中提设有如绝 缘材料等填充材料时所施加的压力被施加到所述脊上。此外，在所述沟槽上方的部分中的 所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。使用这种结构，能够抑制在所述 布线层在大温差的恶劣环境下重复地伸展和收缩时所述布线层中的应变积累。在根据本专利技术实施例的半导体激光器中，能够防止在所述布线层与所述沟槽的内 壁之间的间隙中设有如所述绝缘材料等填充材料时所施加的压力被施加到所述脊上，从而 抑制了由施加在所述脊上的压力所导致的极化平面的旋转。在通过沉积形成所述布线层的 情况下，在制造过程中，不存在所述布线层相互接触以及发生由超声波所导致的可靠性不 好的可能性。因此，所述脊相互独立地被驱动，在可靠性不变坏的情况下抑制了由施加到所 述脊上的压力导致的极化角的旋转。此外，根据本专利技术的实施例，抑制了当所述Au层在恶 劣环境下重复地伸展和收缩时所述Au层中的应变积累。因此，减小了所述布线层破裂的可 能性。在根据本专利技术实施例的半导体激光器中，能够防止在所述布线层与所述沟槽的内 壁之间的间隙中设有如所述绝缘材料等填充材料时所施加的压力被施加到所述脊上，因 此，抑制了由施加在所述脊上的压力导致的极化平面的旋转。在通过沉积形成所述布线层 的情况下，在制造过程中，不存在所述布线层相互接触以及发生由超声波所导致的可靠性 不好的可能性。因此，所述脊相互独立地被驱动，在可靠性不变坏的情况下抑制了由施加到 所述脊上的压力所导致的极化平面的旋转。此外，根据本专利技术的实施例，抑制了所述布线层 在恶劣环境下重复地伸展和收缩时所述布线层中的应变积累。因此，减小了所述布线层破 裂的可能性。附图说明下面的说明将更完全地呈现本专利技术的其他及进一步的目的、特征和优点。图1是本专利技术第一实施例的半导体激光器的立体图。 图2是图1中半导体激光器的俯视图。图3是沿图1或2中半导体激光器的A-A线的横剖面图。图4是图1中半导体激光器的变形的横剖面图。图5A和图5B是用于说明图1中的半导体激光器的制造方法示例的立体图。图6A和图6B是用于说明图5A和图5B随后过程的立体图。图7A和图7B是用于说明图6A和图6B随后过程的立体图。图8是用于说明图7A和图7B随后过程的立体图。图9是本专利技术第二实施例的半导体激光器的横剖面图。图10是图9中的半导体激光器中沟槽的外围的横剖面图。图11是用于说明图10中应变抑制层所使用材料的物理值的表。具体实施例方式以下参照附图详细说明实现本专利技术的方式。按照以下顺序进行说明。1.第一实施例(图1至图8)-布线层在沟槽上方具有平坦形状或凹形形状的示例2.第二实施例(图9至图11)-布线层在沟槽上方具有拱形形状的示例_应变抑制层设置为布线层中最上层的示例3.第二实施例的变形-布线层在沟槽上方具有平坦形状或凹形形状的示例4.示例第一实施例图1是本专利技术第一实施例的半导体激光器1的示意结构示例的立体图。图2图示 了图丨中半导体激光器丨的顶面的结构示例。图3图示了沿图1或图2中半导体激光器1 的A-A线的剖面结构的示例。该实施例的半导体激光器1是具有多个条带状发射器的多光 束半导体激光器，是从所述发射器的端面发射激光束的边缘发射半导体激光器。半导体激光器1例如在基板10上具有半导体层20。如图3所示，半导体层20从 基板10侧起依次包括例如下披覆层21、活性层22、上披覆层23和接触层24。尽管未图示， 但半导体层20还可设有上述层之外的其他层(例如，缓冲层、引导层等)。多个带状脊30 相互平行地布置在半导体层20中，用作相互独立地从前端面Sl发射激光束本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，其包括：多个带状脊，这些带状脊隔着带状沟槽相互平行地布置，各带状脊至少依次包括下披覆层、活性层和上披覆层；上电极，其形成在所述各脊的顶面上，电连接至所述上披覆层；布线层，其电连接至所述上电极，布置在至少所述沟槽上方的中空处；及焊盘电极，其形成在从侧面将所述脊和所述沟槽夹在中间的两个区域中的至少一个区域中，经由所述布线层电连接至所述上电极，其中，所述沟槽上方的部分中的所述布线层具有平坦形状或向所述沟槽凹陷的凹形形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：仓持尚叔，日野智公，平田达司郎，吉田雄太，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]