电涌保护器制造技术

一种半导体芯片与电极全面积电连接的电涌保护器，在绝缘外壳中，接线端子、导电连接线、电极、半导体芯片、电极、机械热脱扣器装置、指示窗机构、导电连接线、接线端子顺序电连接，其特征是：在电涌保护器的半导体芯片两侧导电面与两电极平面焊接电连接后出现的裂缝、间隙和半导体芯片未焊面与电极焊孔之间注射填充有导电固化液，使导电固化液固化后与半导体芯片、电极共同构成为导电体，形成半导体芯片与两电极之间的全面积电连接，使电涌保护器中半导体芯片全截面参与电连接导通电流。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电涌保护器的半导体芯片与电极电连接工艺，尤其是能 使半导体芯片与电极之间全面积电连接的电涌保护器。
技术介绍
目前，公知的电涌保护器构造是由绝缘外壳、接线端子、导电连接线、电 极、半导体芯片、机械热脱扣器装置、指示窗和安装夹具组成。其工作原理是 分别安装在配电系统的相线与地线、零线与地线之间。当配电系统中出现高压 电涌波，并达到激发半导体芯片导通时，芯片的自身高电阻急剧下降使之变为 导体而对地放电，这时电压急剧下降，当对地放电过程中的电压下降到某额定 电压时，半导体芯片的自身电阻迅速增大使之进入关闭状态，这时半导体芯片 相当于绝缘体，使电源恢复正常，从而把电源中出现的高压电涌波排除掉。但 是，在电涌保护器的半导体芯片与电极全截面电连接时，大都采用回流焊接、 锡焊接，这样就存在焊接后半导体芯片与电极焊接处冷却收縮导致半导体芯片 产生裂缝，也会出现半导体芯片与电极之间焊熔料流不满产生间隙。 一般电涌 保护器半导体芯片与电极焊接采用以上方法，由于半导体芯片与电极在焊接过 程中出现以上裂缝和间隙，造成了半导体芯片截面通电流不均匀，导致半导体 芯片功率减小、寿命降低和半导体芯片损坏。
技术实现思路
为了克服现有的电涌保护器的半导体芯片与电极之间焊熔料流不满产生裂 缝间隙和半导体芯片与电极的气孔处不能全面积电连接，导致半导体芯片不能 全面积通过电流而烧坏半导体芯片，本技术提供一种电涌保护器的半导体 芯片与电极电连接工艺，该工艺能使电涌保护器的半导体芯片与电极之间全面积电连接，使半导体芯片全面积通过电流，解决了半导体芯片在导通电流过程 中由于电流不均匀而导致半导体芯片功率减小、寿命降低和半导体芯片损坏。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是 一种电涌保护器，在绝 缘外壳中，接线端子、导电连接线、电极、半导体芯片、电极、机械热脱扣器 装置、指示窗机构、导电连接线、接线端子顺序电连接，在电涌保护器的半导 体芯片两侧导电面与两电极平面焊接电连接后出现的裂缝、间隙和半导体芯片 未焊面与电极焊孔之间注射填充有导电固化液，使导电固化液固化后与半导体 芯片、电极共同构成为导电体。本技术的有益效果是，电涌保护器的半导体芯片导电截面增大，使半 导体芯片截面上过电流均匀，解决了半导体芯片在导通过程中由于过电流不均 匀而产生的局部过负荷现象，提高了电涌保护器的使用寿命，在半导体芯片与 电极电连接后出现的裂缝和半导体芯片焊面与电极气孔处之间仅采用了注射导 电固化液，工艺简单。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。附图说明图1是本技术的半导体芯片与电极电连接原理图。图2是本技术的两个半导体芯片与电极电连接原理图。图3是本技术的n个半导体芯片与电极电连接原理图。 图4是本技术实施例中半导体芯片与电极电连接焊接后纵剖面图。 图5是本技术实施例中半导体芯片与电极平面结构图。 图6是本技术实施例中半导体芯片与两侧电极电连接焊接后纵剖面结 构图。图7是本技术的半导体芯片、电极电连接平面示意图。图中l.绝缘材料，2.接线端子，3,热熔断脱扣装置，4.地线，5.半导体芯 片，6.半导体芯片电连接平面，7.焊料与导电固化液共同构成的导电体，8.电 极，9.环状焊接面，IO.半导体芯片未被电连接面，ll.注射导电固化液排气孔， 12.注射导电固化液用孔，13.焊接用孔，14.间隙，15.裂缝，16.导电固化液， 17.导电固化液，18.焊接料环，19.指示窗，20.绝缘外壳。 具体实施方案在图1中，为有一个半导体芯片的电涌保护器电路原理图； 在图2中，为有两个半导体芯片的电涌保护器电路原理图； 在图3中，为有n个半导体芯片的电涌保护器电路原理图。 在图4所示实施例中，半导体芯片(5)的半导体芯片电连接平面(6)通过焊料与导电固化液共同构成的导电体(7)与电极(8)电连接。在图5所示实施例中，通过注射导电固化液用孔(12)注入导电固化液，由注射导电固化液排气孔(11)把型腔内的空气排出。在图6所示实施例中，半导体芯片电连接面(6)与电极(8)焊接后出现的间隙(14)，半导体芯片(5)与电极(8)焊接面冷却后收縮出现的裂缝(15)，在该间隙(14)和裂缝(15)中注入导电固化液(16);在半导体芯片未焊接面 (10)与电极焊接用孔(13)之间注入导电固化液(17);由导电固化液(16)、导电固化液(17)、焊接料环(18)共同构成的导体(7)全面积连接在半导体芯片电连接面(6)与电极(8)之间，使半导体芯片(5)的半导体芯片电连接平面(6)与电极(8)牢固电连接。权利要求1. 一种电涌保护器，在绝缘外壳中，接线端子、导电连接线、电极、半导体芯片、电极、机械热脱扣器装置、指示窗机构、导电连接线、接线端子顺序电连接，其特征是在电涌保护器的半导体芯片两侧导电面与两电极平面焊接电连接后出现的裂缝、间隙和半导体芯片未焊面与电极焊孔之间注射填充有导电固化液，使导电固化液固化后与半导体芯片、电极共同构成为导电体。专利摘要一种半导体芯片与电极全面积电连接的电涌保护器，在绝缘外壳中，接线端子、导电连接线、电极、半导体芯片、电极、机械热脱扣器装置、指示窗机构、导电连接线、接线端子顺序电连接，其特征是在电涌保护器的半导体芯片两侧导电面与两电极平面焊接电连接后出现的裂缝、间隙和半导体芯片未焊面与电极焊孔之间注射填充有导电固化液，使导电固化液固化后与半导体芯片、电极共同构成为导电体，形成半导体芯片与两电极之间的全面积电连接，使电涌保护器中半导体芯片全截面参与电连接导通电流。文档编号H01C7/12GK201315207SQ200820136318公开日2009年9月23日 申请日期2008年9月22日 优先权日2008年9月22日专利技术者梁怀均, 英 袁 申请人:安阳安科电器股份有限公司;袁 英;梁怀均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电涌保护器，在绝缘外壳中，接线端子、导电连接线、电极、半导体芯片、电极、机械热脱扣器装置、指示窗机构、导电连接线、接线端子顺序电连接，其特征是：在电涌保护器的半导体芯片两侧导电面与两电极平面焊接电连接后出现的裂缝、间隙和半导体芯片未焊面与电极焊孔之间注射填充有导电固化液，使导电固化液固化后与半导体芯片、电极共同构成为导电体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁英，梁怀均，
申请(专利权)人：安阳安科电器股份有限公司，袁英，梁怀均，
类型：实用新型
国别省市：41[中国|河南]