低蚀刻性光刻胶清洗剂制造技术

技术编号:5486188 阅读:209 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光刻胶清洗剂,包含:季胺氢氧化物,式Ⅰ所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物,和式Ⅱ所示的苯乙酮或其衍生物;其中,R↓[1]为含6-18个碳原子的芳基;R↓[2]为H、C↓[1]-C↓[18]的烷基或含有6-18个碳原子的芳基;m=2-6;n=1-6;R↓[5]和R↓[6]为H、羟基、C↓[1]-C↓[2]的烷基、C↓[1]-C↓[2]的烷氧基或C↓[1]-C↓[2]的羟烷基。该清洁剂用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶或其它残留物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘兵彭洪修史永涛
申请(专利权)人:安集微电子上海有限公司
类型:发明
国别省市:31

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