一种电介体瓷器，具有以钛酸钡为主成分的晶粒，相对于构成所述钛酸钡的钡１摩尔，以ＭｇＯ换算的情况下，含有镁０．０１～０．０６摩尔，以Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］换算的情况下，含有钇０．０００７～０．０３摩尔，以ＭｎＯ换算的情况下，含有锰０．０００２～０．０３摩尔，并且，进而相对于所述钛酸钡１００质量份，以Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］换算的情况下，含有铌４．２～３３．３质量份，所述晶粒的平均粒径为０．０５～０．２５μｍ。电容器包括包含该电介体瓷器的电介体层、和导体层的层叠体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由以钛酸钡为主成分的晶粒形成的电介体瓷器、和将其使 用于电介体层的电容器。
技术介绍
当前，以便携式计算机或移动电话为首的数字方式的电子设备的普及 受到人们的瞩目，不远的将来，将展开地上数字广播。作为地上数字广播 用接收机即数字方式的电子设备，有液晶显示器或等离子体显示器等，但在这些数字方式的电子设备中使用大量的LSI。因此，构成液晶显示器或等离子体显示器等这些数字方式的电子设备 的电源电路中安装有大量的旁路用电容器。在此使用的电容器在需要高的 静电电容的情况下，采用高介电常数的层叠陶瓷电容器(例如，参照专利 文献l)。另一方面，虽然是低电容，但重视温度特性的情况下，采用电容 变化率小的温度补偿型层叠陶瓷电容器(例如，参照专利文献2)。然而，专利文献l中公开的高介电常数的层叠陶瓷电容器的电介体层 由具有强介电性的电介体瓷器的晶粒构成，因此，存在相对介电常数(比 誘電率)的温度变化率大，且电场一介电极化特性中的迟滞大的不妥善情 况。另外，在专利文献l中公开的电介体层使用强介电性的电介体瓷器来 形成的电容器中，在电源电路上，容易产生电感应应变引起的噪音，因此， 电容器中引起的这样的噪音成为在等离子体显示器等中使用时的障碍。另一方面，温度补偿型的层叠陶瓷电容器中构成其电介体层的电介体 瓷器为常介电性(常誘電性)，因此，电场一介电极化特性中的迟滞小。 因此，虽然具有不引起强介电性特有的电感应应变的优点，但电介体瓷器 的相对介电常数低，因此，蓄电能力低，导致不能满足作为旁路电容器的 性能的问题。专利文献1特开2001—89231号公报专利文献2特开2001—294481号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题在于提供显示高介电常数且稳定的相对介电 常数的温度特性的电介体瓷器、和将其使用于电介体层的电容器。本专利技术的电介体瓷器，其特征在于，其是由以钛酸钡为主成分的晶粒、 和在该晶粒之间形成的晶界相构成的电介体瓷器，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔，以MgO换算的情况下，含有镁0.01 0.06摩尔，以Y203 换算的情况下，含有钇0.0007 0.03摩尔，以MnO换算的情况下，含有 锰0.0002 0.03摩尔，并且，进而相对于所述钛酸钡100质量份，以Nb205 换算的情况下，含有铌4.2 33.3质量份，所述晶粒的平均粒径为0.05 0.25,。优选在本专利技术的电介体瓷器中，相对于构成所述钛酸钡的钡l摩尔， 以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以￥203换算的情 况下，含有所述钇0.005 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含有所述锰 0.01 0.03摩尔，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Nb20s换算的 情况下，含有所述铌6.3 15.6质量份，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩 尔的钛的摩尔比为0.97 0.98。优选本专利技术的电介体瓷器中，相对于所述钛酸钡IOO质量份，进而以 Si02换算的情况下，含有硅0.73 6.3质量份，以B203换算的情况下，含 有硼0.31 2.1质量份。优选在本专利技术的电介体瓷器中，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔， 以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以￥203换算的情 况下，含有所述钇0.0015 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含有所述 锰0.01 0.03摩尔，并且，相对于所述钛酸钡IOO质量份，以Nb20s换算 的情况下，含有所述铌6.3 15.6质量份，相对于所述钛酸钡IOO质量份， 进而以Si02换算的情况下，含有硅0.73 3.13质量份，以8203换算的情 况下，含有硼0.31 1.04质量份，相对于构成所述钛酸钡的钡l摩尔的钛 的摩尔比为0.97 0.98。优选本专利技术的电介体瓷器中，相对于所述钛酸钡ioo质量份，进而以 Si02换算的情况下，含有硅0.73 6.3质量份，以Li20换算的情况下，含 有锂0.31 2.1质量份。优选在本专利技术的电介体瓷器中，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔， 以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以￥203换算的情 况下，含有所述钇0.0015 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含有所述 锰0.01 0.03摩尔，并且，相对于所述钛酸钡IOO质量份，以Nb20s换算 的情况下，含有所述铌6.3 15.6质量份，进而相对于所述钛酸钡100质 量份，以Si02换算的情况下，含有硅0.73 3.13质量份，以Li20换算的 情况下，含有锂0.31 1.04质量份，相对于构成所述钛酸钡的钡l摩尔的 钛的摩尔比为0.97 0.98。本专利技术的电容器，其特征在于，包括由电介体瓷器构成的电介体层和 导体层的层叠体，所述电介体瓷器为由以钛酸钡为主成分的晶粒、和在该 晶粒之间形成的晶界相构成的电介体瓷器，相对于构成所述钛酸钡的钡1 摩尔，以MgO换算的情况下，含有镁0.01 0.06摩尔，以￥203换算的情 况下，含有钇0.0007 0.03摩尔，以MnO换算的情况下，含有锰0.0002 0.03摩尔，并且，进而相对于所述钛酸钡IOO质量份，以Nb20s换算的情 况下，含有铌4,2 33.3质量份，所述晶粒的平均粒径为0.05 0.25pm。优选在本专利技术的电容器的电介体层中，相对于构成所述钛酸钡的钡1 摩尔，以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以￥203换 算的情况下，含有所述钇0.005 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含有 所述锰0.01 0.03摩尔，并且，进而相对于所述钛酸钡100质量份，以 Nb205换算的情况下，含有所述铌6.3 15.6质量份，相对于构成所述钛酸 钡的钡1摩尔的钛的摩尔比为0.97 0.98。优选在所述电介体瓷器中，相对于所述钛酸钡100质量份，进而以Si02 换算的情况下，含有硅0.73 6.3质量份，以B203换算的情况下，含有硼 0.31 2.1质量份。优选在本专利技术的电容器的电介体层中，相对于构成所述钛酸钡的钡1 摩尔，以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以￥203换 算的情况下，含有所述钇0.0015 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含有所述锰0.01 0.03摩尔，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Nb205 换算的情况下，含有所述铌6.3 15.6质量份，进而相对于所述钛酸钡100 质量份，以Si02换算的情况下，含有硅0.73 3.13质量份，以8203换算 的情况下，含有硼0.31 1.04质量份，相对于构成所述钛酸钡的钡1摩尔 的钛的摩尔比为0.97 0.98。优选在所述电介体瓷器中，相对于所述钛酸钡100质量份,进而以Si02 换算的情况下，含有硅0.73 6.3质量份，以Li20换算的情况下，含有锂 0.31 2.1质量份。优选在本专利技术的电容器的电介体层中，相对于构成所述钛酸钡的钡1 摩尔，以MgO换算的情况下，含有所述镁0.017 0.06摩尔，以丫203换 算的情况下，含有所述钇0.0015 0.01摩尔，以MnO换算的情况下，含 有所述锰0.01 0.03摩尔，并且，相对于所述钛酸钡100质量份，以Nb205 换算的情况下，含有所述铌6.3 1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电介体瓷器，其特征在于，其是由以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间形成的晶界相构成的电介体瓷器， 相对于构成所述钛酸钡的钡１摩尔，以ＭｇＯ换算的情况下，含有镁０．０１～０．０６摩尔，以Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］换算的情况下，含有钇０．０ ００７～０．０３摩尔，以ＭｎＯ换算的情况下，含有锰０．０００２～０．０３摩尔，并且， 进而相对于所述钛酸钡１００质量份，以Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］换算的情况下，含有铌４．２～３３．３质量份， 所述晶粒的平均粒径为０．０５～０．２５ μｍ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山口胜义，久木亮太，三野裕章，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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