大功率放大器，无线发射器，无线收发器以及用于安装大功率放大器的方法技术

目标是提供一种大输出功率放大器、无线发射器和大输出功率放大器安装方法，它们具有具有高散热效果和低成本。该大输出功率放大器包括：具有从设置在散热件上的结晶器的两侧表面向外侧延伸的引线的晶体管；双面接线板，其中散热件插入在该双面接线板的开口中并且该双面接线板的一个表面上的接线图形电连接于该引线；以及用于容纳该双面接线板的外壳，其中该大输出功率放大器还包括一个平板，该平板的一个主表面与所述外壳的内壁接触，而另一个主表面连接于散热件和所述双面接线板的另一个主表面上的接线图形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及大功率放大器、无线发射器、无线收发器以及用于安装大功率放大器 的方法。
技术介绍
目前在用于电话基站的发射器等的利用大输出功率场效应晶体管(通常称之为 FET (场效应晶体管))的高频(通常称之为RF(射频))大功率放大器中，通过焊接将FET 安装于小金属块(block)的方法在目前是广泛地用作FET安装的方法。这种方法的优点是 能够获得良好的散热特性和良好的电接触稳定性。图IA至图IC是示出用于安装与本专利技术有关的大功率放大器的方法的工艺过程 图。下面将根据图IA至图IC描述用于安装与本专利技术有关的大功率放大器的方法。首先，设置具有从设置在散热件Ia上的结晶器(mold) Ib的两侧表面向外延伸的 引线Ic的晶体管1、双面接线板(通常称之为PWB (印刷接线板))2、金属块3和外壳4。晶 体管1的散热件Ia能够插入到其中的开口 2a形成在双面接线板2上，而金属块3能够容 纳在其中的开口 4a形成在外壳4上(图1A)。其次，将散热件Ia插入到双面接线板2的开口 2a中，并且通过焊料5a至5c (图 1B)进行在双面接线板2的一个表面(在图中为上表面)上的接线图形和引线Ic之间的电 连接，以及在晶体管1的散热件Ia和金属块3之间的电连接。最后，将其上安装有晶体管1和金属块3的双面接线板2容纳在外壳4中，使得金 属块3设置在外壳4的开口 4a中，并且因而能够获得大功率放大器(图1C)。在这里，提供专利文献1至4，每个专利文献都描述本专利技术的相关技术。在专利文献1中所描述的功率放大器安装板包括基板和导电板，该基板上形成有 凹入部分，该导电板形成在具有能将场效应晶体管安装在其中的区域的所述凹入部分中， 具有凸形形状的散热结构，并且在该功率放大器安装板中被引向该基板的下表面，该凸形 形状的高度与基板的厚度相同。通过利用功率放大器安装板能够减少用于安装的人工工时和成本。在用于小型电话装置的功率放大器中，在专利文献2中所描述的直接安装的功率 放大器包括主板，小型电话装置的电路形成在该主板上，并且每个元件安装在该主板上；以 及直接安装在该主板上的功率放大器。因此，能够整体地调节该直接安装在主板上的装置。根据直接安装的功率放大器，作为具有移动电话的主板的用于发射 (transmission)的功率放大器，电路图形形成在移动电话的该主板上，功率放大器直接安 装在该主板上并且获得用于发射的功率放大器。因此，在监控移动电话的天线端特性的同 时，通过调节作为安装元件的可变电容能够容易地并且完全地获得最合适的特性。专利文献3中描述的大功率放大器包括金属副载波(metalsubcarrier)、形成在该金属副载波上的半导体装置和微波信号发射线，以及形成在该金属副载波和金属壳体之 间并且与该金属副载波和金属壳体接触的金属散热板。在形成在金属壳体上方的功率放大 器中，构成金属散热板的材料的热敏电阻特性值小于构成金属副载波和金属壳体的材料的 热敏电阻特性值，并且金属散热板具有比金属副载波和金属壳体之间的接触面积更大的面 积。通过该大功率放大器，能够改善散热效果，同时使重量的增加最小化。在专利文献4中描述的用于电功率组件的金属外壳中，用于功率放大的印刷接线 板和半导体通过焊接等固定在散热板上。在高频多级功率放大电路中，印刷接线板用金属 罩覆盖并且散热板的表面用焊料涂覆。通过利用用于电功率组件的金属外壳，应用这样的结构作为用于高频多级功率放 大电路的电力组件的金属外壳，其中用焊料涂覆散热板的使印刷接线板和需要散热的半导 体通过焊接固定于其上的表面，因此，改善焊料的可润湿性，改善从半导体到散热板的热传 导效率，因此抑制了半导体被加热。专利文献1 日本专利申请特许公开No. 2001-250881专利文献2 日本专利申请特许公开No. 1992-3498专利文献3 日本专利公布No. 2970530专利文献4 日本专利公布No. 1995-2815
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而，在图1A至图1C所示的安装方法中，由于机械加工精度的问题在金属块和外 壳之间形成间隙。为了避免由于该间隙引起的RF接地(ground)的不连续性，需要通过焊 接连接双面接线板的后表面上的图形和晶体管。这将使生产成本增加并且产生其他机械误差。在专利文献1所描述的专利技术中，在其中心具有凸形部分的铜板设置在环氧树脂基 板的凹入部分中，场效应晶体管通过焊接安装在该凸形部分中，并且该铜板被引向该基板 的下表面。因此，需要对铜板进行加工，而这将使成本增加。而且，还有该专利技术不能应用于 具有从设置在散热件上的结晶器的两侧向外伸出的引线的晶体管的问题。在专利文献2描述的专利技术中，虽然场效应晶体管穿过安装板的长方形孔而被焊接 于设置在该安装板后表面上的金属板，但是该金属板仅仅与安装板接触而不与外壳接触。 于是，存在散热受到限制的问题。在专利文献3描述的专利技术中，尽管其具有设置在金属副载波和金属壳体之间并且 与该金属副载波和金属壳体接触的金属散热板，但是该金属散热板仅仅设置在金属壳体的 凸形部分，而不是设置在金属壳体的整个表面。因此，热不能从半导体装置充分地传导至壳 体外部，而这导致散热不充分。在专利文献4描述的专利技术中，用于功率放大的半导体利用焊接直接固定于散热 板，通过印刷接线板中的孔对该散热板施加焊料涂覆。但是，也存在问题，即当散热板固定 于外壳时，由于外壳和焊料涂覆施加于其上的散热板之间形成有间隙，所以热不能充分地 散到外壳的外部，而这导致散热不充分。因此，本专利技术的目的是提供一种具有高散热效果并且以低成本生产的大功率放大 器、无线发射器、无线收发器以及用于安装大功率放大器的方法。解决问题的手段本专利技术的第一个装置是大功率放大器，包括晶体管，该晶体管具有从设置在散热 件上的结晶器的两侧表面向外侧延伸的引线；双面接线板，其中散热件插入在该双面接线 板的开口中，并且该双面接线板的一个表面上的接线图形电连接于引线；以及用于容纳该 双面接线板的外壳，其特征在于包括一个平板，该平板的一个主表面与外壳的内壁接触，而 另一个主表面连接于散热件和该双面接线板的另一个主表面上的接线图形。本专利技术的第二个装置是无线发射器，该无线发射器包括用于生成载波的电路、用 于放大语音信号的放大电路、用于用来自放大电路的语音信号调制该载波的调制电路，以 及用于放大调制电路的输出的功率放大电路，其特征在于，上面提到的大功率放大器用于 该功率放大电路中。本专利技术的第三个装置是无线收发器，该无线收发器包括发射单元，该发射单元包 括用于生成载波的电路、用于放大语音信号的放大电路、用于用来自放大电路的语音信号 调制该载波的调制电路，以及用于放大调制电路的输出的功率放大电路；接收单元，该接收 单元包括用于进行由天线所接收的信号的频率转换的电路、用于从频率转换的信号检测语 音信号的检测电路；以及用于通过切换将天线连接于该发射单元或接收单元的转换开关， 其特征在于上面提到的大功率放大器用于该功率放大电路中。本专利技术的第一种方法的特征在于包括设置平板、双面接线板、具有从设置在散热 件上的结晶器的两侧表面向外侧延伸的引线的晶体管和外壳；将双面接线板粘接于该平 板；将晶体管的散热件插入在双面接线板的开口中，并且在双面接线板的露出表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率放大器，包括：晶体管，该晶体管具有从设置在散热件上的结晶器的两侧表面向外侧延伸的引线；双面接线板，其具有开口和一个表面；所述散热件插入在该开口中，在该一个表面上，接线图形电连接于所述引线；以及外壳，该外壳用于容纳所述双面接线板，其中，所述大功率放大器还包括一个平板，该平板的一个主表面与所述外壳的内壁接触，而另一个主表面连接于所述散热件和所述双面接线板的另一个主表面上的接线图形。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石野徹，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]