【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种CMOS型有源像素结构(1),包括:-至少一个光电二极管(10),-用于在曝光期间读取光电二极管(10)的时间相关变化阶段中的任何极性的电压的装置,该装置包括缓冲放大器(30),该缓冲放大器(30)包括读取晶体管(T2)和充电晶体管(T3),其特征在于,有源像素结构(1)还包括电容性耦合电容器(50),该耦合电容器(50)串联在光电二极管(10)和缓冲放大器(30)之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。