具有高功能动态性的CMOS有源像素制造技术

技术编号:5385843 阅读:254 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种CMOS型有源像素结构(1),包括:至少一个光电二极管(10),其特征在于,还包括用于读取曝光时光电二极管(10)的演化阶段中的任何偏置电压的装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种CMOS型有源像素结构(1),包括:-至少一个光电二极管(10),-用于在曝光期间读取光电二极管(10)的时间相关变化阶段中的任何极性的电压的装置,该装置包括缓冲放大器(30),该缓冲放大器(30)包括读取晶体管(T2)和充电晶体管(T3),其特征在于,有源像素结构(1)还包括电容性耦合电容器(50),该耦合电容器(50)串联在光电二极管(10)和缓冲放大器(30)之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:Y尼
申请(专利权)人:新成像技术公司
类型:发明
国别省市:FR[法国]

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