单相整流桥制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单相整流桥。包括有：壳体、桥式整流器、基础件。所述基础件由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依次层叠连接组成；所述桥式整流器下底面与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器接线端子外伸出壳体。本实用新型专利技术具有以下优点：１）采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，具有高导热率，加之高纯厚铜基板的高热容量和高热扩散能力，与同类产品相比具有强的散热性能各绝缘性能，产品耐压达到２．５ＫＶ以上；２）所选铜垫板、陶瓷基片及铜基板与硅芯片的热膨胀率相近，故热膨胀内应力小、性能稳定、使用寿命长。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，更具体地说涉及一种单相整流桥。技术背景在电力半导体模块的发展中，随着集成度的提高，体积减小，使得单位散热面积上 的功耗增加，散热成为模块制造中的一个关键问题，而传统的模块结构如焊接式、或压接 式，已无法成功地解决散热问题。因此对处于散热底板和芯片之间的导热绝缘材料提出了 新要求。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术不足之处而提供一种散热性能好的、性能稳定 的、寿命长耐用的单相整流桥。本技术的目的是通过以下措施来实现一种单相整流桥，包括有壳体、一组由 玻璃钝化的高压芯片组成的桥式整流器，其特征在于还有由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依 次层叠连接的基础件；所述桥式整流器下底面与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及 基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器接线端子外伸出壳体。与现有技术相比，由于采用了本技术的单相整流桥，具有以下优点1)采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，具有高导热率，加之高纯厚 铜基板的高热容量和高热扩散能力，与同类产品相比具有强的散热性能各绝缘性能，产品 耐压达到2. 5KV以上；2)所选铜垫板、陶瓷基片及铜基板与硅芯片的热膨胀率相近，故热膨 胀内应力小、性能稳定、使用寿命长。附图说明图1为本技术实施例内部结构示意图。图2为图1实施例整流桥电路原理图。具体实施方式以下结合附图对具体实施方式作详细说明图1 图2中，一种单相整流桥，包括有壳体8、一组由玻璃钝化的高压芯片组成的 桥式整流器9，所述壳体8底面由下至上依次层叠有铜基板1，陶瓷基片2，铜垫板3，所述桥 式整流器9由连桥4，二极管芯片6，交、直流接线端子5组成，桥式整流器9下底面与铜垫 板3焊接连接，桥式整流器9由环氧树脂7灌封在壳体8中，桥式整流器接线端子外伸出壳 体。本技术采用由铜垫板、陶瓷基片组成的覆铜陶瓷基板材料，铜垫板能够有效 与二极管芯片焊接，起到良好的过渡连接作用，陶瓷基片具有绝缘性能好，能有效降低焊接 时的机械应力，传导热性能佳的特有性能。位于最底部的铜基板具有高热容量和高热扩散3能力，二极管芯片采用本公司经玻璃钝化的高压芯片，通过特有的氮化硅制程工艺，采用了 背面切割工艺，避免了正面切割可能起的玻璃裂纹、硅裂、背崩等可靠性问题，保证了组成 的桥式整流器具有耐高温、耐高压特性及高可靠性，本产品耐压能达到2. 5KV以上。 上述实施例并不构成对本技术的限制，凡采用等同替换或等效变换的形式所 获得的技术方案，均落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相整流桥，包括有壳体、一组由玻璃钝化的高压芯片组成的桥式整流器，其特征在于：还有由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依次层叠连接的基础件；所述桥式整流器下底面与基础件的铜垫板焊接连接，桥式整流器及基础件由环氧树脂灌封在壳体中，桥式整流器接线端子外伸出壳体。

【技术特征摘要】
1. 一种单相整流桥，包括有壳体、一组由玻璃钝化的高压芯片组成的桥式整流器，其特 征在于还有由铜基板、陶瓷基片、铜垫板依次层叠连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋陆金，臧凯晋，
申请(专利权)人：上海美高森美半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]