陶瓷封装的片式石英晶体频率器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件。该频率器件包括上、下盖板和晶片，晶片位于下盖板凹坑中，下盖板凹坑长度、宽度大于晶片长度、宽度，下盖板凹坑深度大于晶片厚度；该频率器件还包括内电极、外电极。本实用新型专利技术不仅结构简单、尺寸小、气密性好，而且可靠；制造频率器件方法不仅简单，而且制造成本低、效率高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件，包括上盖板、下盖板和晶片，在下盖板的内侧开有下盖板凹坑，晶片以导电胶固定位于下盖板凹坑中，其特征在于该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成，下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度，下盖板凹坑的深度大于晶片厚度；同时该频率器件还包括内电极和外电极，外电极位于下盖板外侧面上，内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚一滨，
申请(专利权)人：上海晶赛电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]