用于ＭＥＭＳ装置中的受控粘合的低温非晶硅牺牲层制造方法及图纸

本发明专利技术提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造微机电系统（ＭＥＭＳ）装置的方法，其包括：　　选择包括小于或等于约２５０℃的沉积温度的沉积条件；以及　　在所述选定的沉积条件下在光学堆叠上沉积牺牲层，其中所述牺牲层包括非晶硅。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯兰道夫韦伯斯特，坦义涂，颜小明，张万宿，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]