【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体晶片减薄用的减磨装置，属于发光二极管器件制作
技术介绍
目前半导体晶片的减薄工序主要采用精密研磨机对晶片进行减薄，减薄方式为依据减薄 速度估计减磨时间进行减薄，由于研磨机稳定性差、晶片衬底硬度不匀等因素致使研磨机在 减薄晶片时的研磨速度时快时慢(从2微米/分钟一16微米/分钟不等)，偶尔出现磨薄晶片 子的情况。采用精密研磨机对晶片减磨时，要用到重块， 一般是将晶片黏贴在涂有蜡的重块 平面上，然后进行压片、测量、减磨，直至晶片的最终厚度保持在190-210微米。重块减磨 分一磨、二磨两个研磨阶段， 一般情况下， 一磨减磨速度约为7微米/分钟，二磨减磨速度为 约5微米/分钟。由于此种减薄方式没有厚度检测装置，不易发现异常情况，而当研磨机还没 有到预定研磨时间，晶片就会一直减磨下去，造成次品或者废品的严重后果。
技术实现思路
本技术针对现有半导体晶片减磨技术存在的问题，提供一种能够保护晶片，防止出 现磨薄、磨废晶片的半导体晶片减磨用重块。本技术的半导体晶片减磨用重块采用以下技术方案该半导体晶片减磨用重块包括重块体，在重块体的上表面设有放置晶片的凹槽，凹槽的 深度等于晶片所需的厚度与粘接层厚度之和。本技术在晶片减磨时，将晶片放置于重块体的凹槽内，当晶片减薄到所需厚度时， 即使研磨机还没有到预定研磨时间，也不会继续减磨晶片，而是与重块上表面摩擦，停止晶 片的研磨，阻止晶片继续变薄，直至研磨时间耗尽，保护了晶片，防止了晶片减薄速度过快 时出现磨薄、磨废晶片情况的发生。附图说明附图是本技术的结构示意图。其中1、重块体，2、凹槽。具体实施方...
【技术保护点】
一种半导体晶片减磨用重块，包括重块体，其特征是：在重块体的上表面设有放置晶片的凹槽，凹槽的深度等于晶片所需的厚度与粘接层厚度之和。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：满忠斌，娄娟，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：88[中国|济南]
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